eng
Competent opinion
Компетентное мнение
Рассказывают А.Ю. Сметанов и Ю.Р. Носов
НПП "Сапфир" – на взлете. История продолжается. 55 лет назад, в 1951 году для разработки и изготовления катодных узлов электровакуумных приборов был создан НИИ-311 с заводом № 311 и ОКБ. В 1956 году НИИ-311 был переориентирован на разработку и производство полупроводниковых диодов и тиристоров. Так началось развитие НИИ "Сапфир" с заводом "Опторон". Сегодня это два независимых предприятия, причем ОАО НПП "Сапфир" – фактически частная компания, поскольку контрольный пакет акций принадлежит С.А.Веремеенко. НПП "Сапфир" известен как монопольный производитель столь стратегически важной продукции, как радиационно стойкая элементная база.
В то же время трудно назвать другое предприятие, о котором сегодня было бы столько противоречивых суждений. Чтобы узанть о состоянии дел из первых уст, мы обратились к генеральному директору НПП "Сапфир" Александру Юрьевичу Сметанову и одному из ветеранов предприятия, начальнику лаборатории Юрию Романовичу Носову.
НПП "Сапфир" – на взлете. История продолжается. 55 лет назад, в 1951 году для разработки и изготовления катодных узлов электровакуумных приборов был создан НИИ-311 с заводом № 311 и ОКБ. В 1956 году НИИ-311 был переориентирован на разработку и производство полупроводниковых диодов и тиристоров. Так началось развитие НИИ "Сапфир" с заводом "Опторон". Сегодня это два независимых предприятия, причем ОАО НПП "Сапфир" – фактически частная компания, поскольку контрольный пакет акций принадлежит С.А.Веремеенко. НПП "Сапфир" известен как монопольный производитель столь стратегически важной продукции, как радиационно стойкая элементная база.
В то же время трудно назвать другое предприятие, о котором сегодня было бы столько противоречивых суждений. Чтобы узанть о состоянии дел из первых уст, мы обратились к генеральному директору НПП "Сапфир" Александру Юрьевичу Сметанову и одному из ветеранов предприятия, начальнику лаборатории Юрию Романовичу Носову.
Рассказывают А.Г. Васильев, Ю.А. Кузнецов и М.М. Крымко
НПП "Пульсар" – лидер российской твердотельной СВЧ-электроники. "Пульсар" исторически был одним из столпов отечественной электроники. Политико-экономический кризис 90-х годов не пощадил и это предприятие, тем не менее, оно сумело выстоять и сохранить работоспособность. Более того, именно с "Пульсаром" связана часть задач по возрождению всей отечественной электроники. О современном состоянии предприятия, его задачах и перспективах нам рассказали генеральный директор Андрей Георгиевич Васильев, заместитель генерального директора по научной работе Юрий Алексеевич Кузнецов и главный инженер Михаил Миронович Крымко.
НПП "Пульсар" – лидер российской твердотельной СВЧ-электроники. "Пульсар" исторически был одним из столпов отечественной электроники. Политико-экономический кризис 90-х годов не пощадил и это предприятие, тем не менее, оно сумело выстоять и сохранить работоспособность. Более того, именно с "Пульсаром" связана часть задач по возрождению всей отечественной электроники. О современном состоянии предприятия, его задачах и перспективах нам рассказали генеральный директор Андрей Георгиевич Васильев, заместитель генерального директора по научной работе Юрий Алексеевич Кузнецов и главный инженер Михаил Миронович Крымко.
Exhibitions & Conferences
Выставки и конференции
Е.Прокофьева, И.Титова, И.Шахнович.
Медицинская электроника в России: покупать нельзя производить? Медицинская электроника, как и любая перспективная область применения электронной техники, – очень привлекательный рынок, борьба за который ведется на всех уровнях и с применением всех законных (и не очень) средств. Во всем мире. В том числе – и в России. Отечественные предприятия уже практически потеряли рынки бытовой техники, аппаратуры связи, автомобильной электроники, авионики и т.д. На очереди рынок медицинского оборудования. Его специфика в том, что изделия медицинской электроники в большинстве своем не столь массовые, чтобы проявилась принципиальная неспособность российской промышленности выпускать качественные высокотехнологичные крупносерийные изделия. А в области малых серий высокотехнологичных продуктов мы еще вполне конкурентоспособны.
Рынок медоборудования пока не захвачен полностью – "лишь" на 70%. Потенциал его велик. Постигнет его участь, скажем, сотовой телефонии – вот вопрос, ответ на который зависит и от государственных структур, и от работников здравоохранения, и от компаний – разработчиков и производителей медицинской электроники.
Медицинская электроника в России: покупать нельзя производить? Медицинская электроника, как и любая перспективная область применения электронной техники, – очень привлекательный рынок, борьба за который ведется на всех уровнях и с применением всех законных (и не очень) средств. Во всем мире. В том числе – и в России. Отечественные предприятия уже практически потеряли рынки бытовой техники, аппаратуры связи, автомобильной электроники, авионики и т.д. На очереди рынок медицинского оборудования. Его специфика в том, что изделия медицинской электроники в большинстве своем не столь массовые, чтобы проявилась принципиальная неспособность российской промышленности выпускать качественные высокотехнологичные крупносерийные изделия. А в области малых серий высокотехнологичных продуктов мы еще вполне конкурентоспособны.
Рынок медоборудования пока не захвачен полностью – "лишь" на 70%. Потенциал его велик. Постигнет его участь, скажем, сотовой телефонии – вот вопрос, ответ на который зависит и от государственных структур, и от работников здравоохранения, и от компаний – разработчиков и производителей медицинской электроники.
CAD
Системы проектирования
А.Борович.
Технологии глобального синтеза компании Cadence Фирмам, работающим в сфере средств автоматизации проектирования, для достижения успеха необходимо правильно определить тенденции на рынке инноваций и вовремя выйти на этот рынок с продуктами, обеспечивающими наиболее эффективную поддержку перспективных технологий. В компании Cadence технологии глобального логического синтеза рассматривают как локомотив для продвижения своего продукта RTL Compiler (входящего в состав платформы Encounter), ориентированного на разработку цифровых СБИС и систем на кристалле.
Технологии глобального синтеза компании Cadence Фирмам, работающим в сфере средств автоматизации проектирования, для достижения успеха необходимо правильно определить тенденции на рынке инноваций и вовремя выйти на этот рынок с продуктами, обеспечивающими наиболее эффективную поддержку перспективных технологий. В компании Cadence технологии глобального логического синтеза рассматривают как локомотив для продвижения своего продукта RTL Compiler (входящего в состав платформы Encounter), ориентированного на разработку цифровых СБИС и систем на кристалле.
Electronic Components
Элементная база электроники
В.Майская.
СВЧ-полупроводниковые технологии – статус равен. Но у кого он равнее? Транзисторы — рабочая лошадка как цифровых, так и аналоговых устройств. С момента изобретения в середине ХХ века эти приборы, в том числе и предназначенные для применения в ВЧ- и СВЧ-аппаратуре, постоянно совершенствуются. И сегодня транзисторы, а также выполненные на их базе микросхемы – основа многих систем военного и гражданского назначения, не говоря о быстро развивающемся рынке оборудования беспроводной связи. За последние 15 лет они прошли путь от относительно простых систем до устройств со сложными схемами модуляции в соответствии с стандартами WiMAX и ZigBee. Для изготовителей полупроводниковых приборов, обслуживающих эти области применения, открылись большие перспективы, а перед их разработчиками по-прежнему стоят задачи совершенствования характеристик при обеспечении массового производства и низкой стоимости. Поэтому неудивительно существование, наряду с распространенной кремниевой, и многих других СВЧ-технологий. Сегодня кремниевые приборы находят применение в основном в системах, рассчитанных на частоты ниже 10 ГГц, тогда как транзисторы на полупроводниковых соединениях все шире используются в системах на частоты выше 10 ГГц. И хотя уже появляются SiGe-устройства миллиметрового диапазона, маловероятно, что они смогут вытеснить приборы на полупроводниковых соединениях в системах, требующих высокого усиления и большой мощности, или в сверхмалошумящих устройствах. Вместе с тем, несмотря на то, что новые технологии активно завоевывают сегменты рынка, на которых ранее доминировали кремниевые приборы, они не смогут полностью вытеснить "старые добрые" устройства. Наоборот, разработчики СВЧ-систем и аппаратуры получают широкий выбор транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем, позволяющих выполнять требования, предъявляемые к создаваемым системам.
СВЧ-полупроводниковые технологии – статус равен. Но у кого он равнее? Транзисторы — рабочая лошадка как цифровых, так и аналоговых устройств. С момента изобретения в середине ХХ века эти приборы, в том числе и предназначенные для применения в ВЧ- и СВЧ-аппаратуре, постоянно совершенствуются. И сегодня транзисторы, а также выполненные на их базе микросхемы – основа многих систем военного и гражданского назначения, не говоря о быстро развивающемся рынке оборудования беспроводной связи. За последние 15 лет они прошли путь от относительно простых систем до устройств со сложными схемами модуляции в соответствии с стандартами WiMAX и ZigBee. Для изготовителей полупроводниковых приборов, обслуживающих эти области применения, открылись большие перспективы, а перед их разработчиками по-прежнему стоят задачи совершенствования характеристик при обеспечении массового производства и низкой стоимости. Поэтому неудивительно существование, наряду с распространенной кремниевой, и многих других СВЧ-технологий. Сегодня кремниевые приборы находят применение в основном в системах, рассчитанных на частоты ниже 10 ГГц, тогда как транзисторы на полупроводниковых соединениях все шире используются в системах на частоты выше 10 ГГц. И хотя уже появляются SiGe-устройства миллиметрового диапазона, маловероятно, что они смогут вытеснить приборы на полупроводниковых соединениях в системах, требующих высокого усиления и большой мощности, или в сверхмалошумящих устройствах. Вместе с тем, несмотря на то, что новые технологии активно завоевывают сегменты рынка, на которых ранее доминировали кремниевые приборы, они не смогут полностью вытеснить "старые добрые" устройства. Наоборот, разработчики СВЧ-систем и аппаратуры получают широкий выбор транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем, позволяющих выполнять требования, предъявляемые к создаваемым системам.
А.Лебедев, С.Сбруев.
SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее Промышленный интерес к полупроводникам возник после того, как В.Шокли с сотрудниками в 1949 году открыл транзисторный эффект в p-n-переходах, выполненных на кристаллах германия (Ge). В первой половине 50-х годов начались поиски полупроводниковых материалов, способных работать при более высоких температурах, чем германий. Взоры исследователей обратились к кремнию и карбиду кремния (SiC), и в последующие 10–15 лет был проведен большой объем работ, посвященных исследованию свойств SiC и разработке полупроводниковых приборов на его основе. Однако к началу 70-х годов промышленный интерес к карбиду кремния угас – успехи в развитии кремниевой (Si) и арсенид-галлиевой (GaAs) технологий по сравнению с SiC были слишком велики. Тогда же родилось и прозвище карбида кремния – "вечнозеленый полупроводник", поскольку чем грязнее SiС, чем больше в нем примеси азота, тем более зеленым он выглядит. Чистые же кристаллы SiC (благодаря ширине запрещенной зоны >3 эВ) прозрачны. Сегодня это прозвище приобретает и переносный смысл, поскольку давно известный полупроводник только-только начинает находить применение для производства полупроводниковых приборов.
SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее Промышленный интерес к полупроводникам возник после того, как В.Шокли с сотрудниками в 1949 году открыл транзисторный эффект в p-n-переходах, выполненных на кристаллах германия (Ge). В первой половине 50-х годов начались поиски полупроводниковых материалов, способных работать при более высоких температурах, чем германий. Взоры исследователей обратились к кремнию и карбиду кремния (SiC), и в последующие 10–15 лет был проведен большой объем работ, посвященных исследованию свойств SiC и разработке полупроводниковых приборов на его основе. Однако к началу 70-х годов промышленный интерес к карбиду кремния угас – успехи в развитии кремниевой (Si) и арсенид-галлиевой (GaAs) технологий по сравнению с SiC были слишком велики. Тогда же родилось и прозвище карбида кремния – "вечнозеленый полупроводник", поскольку чем грязнее SiС, чем больше в нем примеси азота, тем более зеленым он выглядит. Чистые же кристаллы SiC (благодаря ширине запрещенной зоны >3 эВ) прозрачны. Сегодня это прозвище приобретает и переносный смысл, поскольку давно известный полупроводник только-только начинает находить применение для производства полупроводниковых приборов.
Г.Егоров, С.Капкин, Л.Стельмахович, В.Трофименков, В.Хрипко..
Многослойные керамические микросхемы на основе LTCC-технологии Специалисты ФГУП "Ростовский-на-Дону НИИ радиосвязи" (РНИИРС) продолжают делиться результатами разработки и изготовления СВЧ-устройств по технологии LTCC. В статье рассматриваются корректоры куполообразной АЧХ, модули усилителей с 3-дБ НО и корректорами АЧХ, а также модули управляемых устройств селекции L-диапазона, выполненных на элементах с распределенными параметрами.
Многослойные керамические микросхемы на основе LTCC-технологии Специалисты ФГУП "Ростовский-на-Дону НИИ радиосвязи" (РНИИРС) продолжают делиться результатами разработки и изготовления СВЧ-устройств по технологии LTCC. В статье рассматриваются корректоры куполообразной АЧХ, модули усилителей с 3-дБ НО и корректорами АЧХ, а также модули управляемых устройств селекции L-диапазона, выполненных на элементах с распределенными параметрами.
Л.Белов.
Твердотельные усилители малой и средней мощности В любых радиотехнических системах передачи, приёма и обработки информации необходимы усилители радиочастотных сигналов. Однако зачастую воздействие этих, казалось бы, простейших функциональных узлов – малошумящих или мощных усилителей напряжения или мощности – не позволяет полностью реализовать идеи, заложенные в туили иную сложную систему. На мировом рынке представлены сотни конкурентоспособных моделей усилителей – на основе как полупроводниковых, так и вакуумных приборов. Они отражают огромное разнообразие характеристик и условий применения таких узлов. Постараемся помочь разработчикам электронных устройств сориентироваться в множестве вариантов и особенностей таких узлов и проанализируем тенденции и перспективы их развития.
Твердотельные усилители малой и средней мощности В любых радиотехнических системах передачи, приёма и обработки информации необходимы усилители радиочастотных сигналов. Однако зачастую воздействие этих, казалось бы, простейших функциональных узлов – малошумящих или мощных усилителей напряжения или мощности – не позволяет полностью реализовать идеи, заложенные в туили иную сложную систему. На мировом рынке представлены сотни конкурентоспособных моделей усилителей – на основе как полупроводниковых, так и вакуумных приборов. Они отражают огромное разнообразие характеристик и условий применения таких узлов. Постараемся помочь разработчикам электронных устройств сориентироваться в множестве вариантов и особенностей таких узлов и проанализируем тенденции и перспективы их развития.
М.Рахимо, Д.Шнайдер, Р.Шнелл, С.Айхер, У.Шлапбах.
IGBT-модули HiPak на ток до 3,6 кА по технологии SPT+ С 2006 года швейцарской компанией ABB Switzerland Ltd. Semiconductors (ABB) успешно освоен выпуск IGBT-модулей на напряжение от 1200 до 4500 В, выполненных на базе новой технологической платформы SPT+. По этой технологии также начато производство
IGBT-модулей серии HiPak1 с размером корпуса 140х130 мм. Модули с чипами SPT+ не уступают по своим коммутационным характеристикам и области безопасной работы (ОБР) современному поколению приборов на основе SPT технологии, но отличаются более низкими общими потерями и повышенной токовой нагрузкой. Статья разработчиков этих модулей, несомненно, представляет интерес для читателей журнала.
IGBT-модули HiPak на ток до 3,6 кА по технологии SPT+ С 2006 года швейцарской компанией ABB Switzerland Ltd. Semiconductors (ABB) успешно освоен выпуск IGBT-модулей на напряжение от 1200 до 4500 В, выполненных на базе новой технологической платформы SPT+. По этой технологии также начато производство
IGBT-модулей серии HiPak1 с размером корпуса 140х130 мм. Модули с чипами SPT+ не уступают по своим коммутационным характеристикам и области безопасной работы (ОБР) современному поколению приборов на основе SPT технологии, но отличаются более низкими общими потерями и повышенной токовой нагрузкой. Статья разработчиков этих модулей, несомненно, представляет интерес для читателей журнала.
В.Нестеров.
Высокочастотные реле компании OMRON Реле исторически было одним из первых электронных компонентов в радиотехнических системах. Несмотря на преклонный возраст, реле как функциональный элемент не утратило своей актуальности и сегодня. Это направление элементной базы активно развивается во всем мире. В том числе — в сторону улучшения своих высокочастотных свойств, что чрезвычайно актуально для соверменной радиоэлектронной аппаратуры. Высокочастотные реле востребованы в таких массовых и перспективных системах, как беспроводные локальные сети передачи информации, высокоскоростные коммутаторы и т.д. С продукцией одного из производителей таких реле – компанией OMRON – мы и предлагаем познакомиться.
Высокочастотные реле компании OMRON Реле исторически было одним из первых электронных компонентов в радиотехнических системах. Несмотря на преклонный возраст, реле как функциональный элемент не утратило своей актуальности и сегодня. Это направление элементной базы активно развивается во всем мире. В том числе — в сторону улучшения своих высокочастотных свойств, что чрезвычайно актуально для соверменной радиоэлектронной аппаратуры. Высокочастотные реле востребованы в таких массовых и перспективных системах, как беспроводные локальные сети передачи информации, высокоскоростные коммутаторы и т.д. С продукцией одного из производителей таких реле – компанией OMRON – мы и предлагаем познакомиться.
Test & Measurements
Контроль и измерения
В.Громов.
Многофункциональный датчик для электронных систем сбора данных Измерение различных физических величин требует от датчиков в электронных системах сбора данных, включая измерительные системы и системы диагностирования, таких характеристик, как высокая чувствительность и линейность, точность, стабильность, низкий уровень шума, быстродействие и возможность синхронной многоканальной работы. Этим требованиям удовлетворяет предлагаемый кремниевый датчик на основе транзисторной структуры. Он позволяет измерять температуру, давление, освещенность, скорость потока газа и жидкости, перемещение и другие величины. Многофункциональность датчика обусловлена тем, что для всех измеряемых физических величин в нем используется один чувствительный параметр транзисторной структуры – "плавающий потенциал". Датчик сформирован в кремниевом кристалле размером 1,2ґ1,2ґ0,3 мм традиционными методами полупроводниковой технологии.
Многофункциональный датчик для электронных систем сбора данных Измерение различных физических величин требует от датчиков в электронных системах сбора данных, включая измерительные системы и системы диагностирования, таких характеристик, как высокая чувствительность и линейность, точность, стабильность, низкий уровень шума, быстродействие и возможность синхронной многоканальной работы. Этим требованиям удовлетворяет предлагаемый кремниевый датчик на основе транзисторной структуры. Он позволяет измерять температуру, давление, освещенность, скорость потока газа и жидкости, перемещение и другие величины. Многофункциональность датчика обусловлена тем, что для всех измеряемых физических величин в нем используется один чувствительный параметр транзисторной структуры – "плавающий потенциал". Датчик сформирован в кремниевом кристалле размером 1,2ґ1,2ґ0,3 мм традиционными методами полупроводниковой технологии.
Microprocessors and Computing Technology
Микропроцессорная и вычислительная техника
Ю.Шейнин, Т.Солохина, Я.Петричкович..
Технология SpaceWire для параллельных систем и бортовых распределенных комплексов SpaceWire – это наиболее передовая и активно развиваемая сегодня технология для построения распределенных гетерогенных бортовых систем, прежде всего аэрокосмического назначения. Ее поддерживает и внедряет в перспективные космические аппараты (КА) и Европейское космическое агентство ESA, и космические агентства США (NASA) и Японии (JAXA).
В российской космической отрасли развивать и внедрять технологию SpaceWire стратегически важно, поскольку она способствует обеспечению современных тактико-технических характеристик перспективных российских КА, конкурентоспособности на мировом рынке космических технологий и услуг, развитию международного сотрудничества в космической области с другими странами, совместимости и унификации разработок аппаратуры КА российских предприятий. Технология SpaceWire перспективна и в других областях, где используются встроенные распределенные и параллельные информационно-вычислительные и управляющие комплексы, работающие в реальном времени.
В разработке технологии SpaceWire принимали активное участие специалисты российских университетов и компаний – Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения (ГУАП), ГУП НПЦ "ЭЛВИС", ЗАО НПЦ"Микропроцессорные Технологии". Что особенно важно, компания ЭЛВИС разрабатывает и производит в рамках своего семейства "Мультикор" специализированные СБИС [1], оснащенные встроенными контроллерами SpaceWire.
Однако отсутствие информации об этой технологии и поддерживающих ее отечественных СБИС затрудняет освоение SpaceWire фирмами-разработчиками. Восполним этот пробел.
Технология SpaceWire для параллельных систем и бортовых распределенных комплексов SpaceWire – это наиболее передовая и активно развиваемая сегодня технология для построения распределенных гетерогенных бортовых систем, прежде всего аэрокосмического назначения. Ее поддерживает и внедряет в перспективные космические аппараты (КА) и Европейское космическое агентство ESA, и космические агентства США (NASA) и Японии (JAXA).
В российской космической отрасли развивать и внедрять технологию SpaceWire стратегически важно, поскольку она способствует обеспечению современных тактико-технических характеристик перспективных российских КА, конкурентоспособности на мировом рынке космических технологий и услуг, развитию международного сотрудничества в космической области с другими странами, совместимости и унификации разработок аппаратуры КА российских предприятий. Технология SpaceWire перспективна и в других областях, где используются встроенные распределенные и параллельные информационно-вычислительные и управляющие комплексы, работающие в реальном времени.
В разработке технологии SpaceWire принимали активное участие специалисты российских университетов и компаний – Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения (ГУАП), ГУП НПЦ "ЭЛВИС", ЗАО НПЦ"Микропроцессорные Технологии". Что особенно важно, компания ЭЛВИС разрабатывает и производит в рамках своего семейства "Мультикор" специализированные СБИС [1], оснащенные встроенными контроллерами SpaceWire.
Однако отсутствие информации об этой технологии и поддерживающих ее отечественных СБИС затрудняет освоение SpaceWire фирмами-разработчиками. Восполним этот пробел.
Н.Слепов.
RapidIO – коммутационная структура последовательного типа Прогресс в области компьютерной техники в большой степени был обязан не только развитию микропроцессоров (МП) и оперативной памяти, но и методов передачи потока данных между ними. Сначала для передачи данных применялись шины, которые непрерывно совершенствовались, увеличивая разрядность и тактовую частоту – два показателя, определяющие производительность шины или емкость потока данных. В последние годы определяющими были две шины: VMEbus и PCI [1]. Обе достигли близкой к предельной разрядности (64 разряда) и тактовой частоты 320 МГц (VMEbus) и 533 МГц (PCI). Каждый новый шаг в увеличении тактовой частоты и миниатюризации конструкции шины давался все труднее и с большей затратой средств, а использование удвоенной частоты 1066 МГц оказалось труднорешаемой задачей.
В результате в 2002 году компания Intel вообще отказалась от модернизации параллельной шины и внедрила новую концепцию шины PCI Express – коммутационной структуры последовательного типа (КСПТ) [1]. В предлагаемой статье описывается одна из наиболее проработанных КСПТ, названная технологией быстрого ввода/вывода – RapidIO [2] (нерасшифрованные в тексте сокращения см. во врезке).
RapidIO – коммутационная структура последовательного типа Прогресс в области компьютерной техники в большой степени был обязан не только развитию микропроцессоров (МП) и оперативной памяти, но и методов передачи потока данных между ними. Сначала для передачи данных применялись шины, которые непрерывно совершенствовались, увеличивая разрядность и тактовую частоту – два показателя, определяющие производительность шины или емкость потока данных. В последние годы определяющими были две шины: VMEbus и PCI [1]. Обе достигли близкой к предельной разрядности (64 разряда) и тактовой частоты 320 МГц (VMEbus) и 533 МГц (PCI). Каждый новый шаг в увеличении тактовой частоты и миниатюризации конструкции шины давался все труднее и с большей затратой средств, а использование удвоенной частоты 1066 МГц оказалось труднорешаемой задачей.
В результате в 2002 году компания Intel вообще отказалась от модернизации параллельной шины и внедрила новую концепцию шины PCI Express – коммутационной структуры последовательного типа (КСПТ) [1]. В предлагаемой статье описывается одна из наиболее проработанных КСПТ, названная технологией быстрого ввода/вывода – RapidIO [2] (нерасшифрованные в тексте сокращения см. во врезке).
В.Юдинцев.
Технология RapidIO. Перспективное решение связных систем Для выполнения алгоритмов, предусматривающих решение задач с большим объемом вычислений в реальном времени, быстродействие компьютерных систем, особенно систем военного назначения, должно быть намного выше, чем у современных вычислительных комплексов. На повышение производительности компьютерной сети направлен ряд стандартов, появившихся в последнее время: Hyper Transport, Infiniband, Arapahoe/3GIO, RapidIO. Пока трудно достоверно определить, какой из этих стандартов получит признание. Можно лишь отметить, что для встроенных систем наиболее перспективна технология RapidIO (что не удивительно, поскольку один из ее разработчиков – компания Motorola), обеспечивающая скорость передачи данных между чипами или платами в несколько десятков гигабит в секунду. Архитектура пакетной коммутации и межкомпонентных соединений RapidIO совместима с большинством популярных микросхем связных процессоров, хост-процессоров и сетевых сигнальных процессоров и отвечает современным требованиям повышения надежности, увеличения пропускной способности и быстродействия шин внутрисистемных средств коммутации. К тому же, RapidIO-архитектура соединений может обеспечить связь с PCI, PCI-X-шинами и системными сетями типа InfiniBand. Технология RapidIO уже получила международное признание и привлекает все большее внимание создателей комплексного связного оборудования, изготовителей компьютерных систем и поставщиков микросхем. В начале 2000 года была образована Торговая ассоциация RapidIO Trade Association, в которой сегодня состоят около 50 организаций и фирм, в том числе и ФГУП НПИ “Элвис”.
Технология RapidIO. Перспективное решение связных систем Для выполнения алгоритмов, предусматривающих решение задач с большим объемом вычислений в реальном времени, быстродействие компьютерных систем, особенно систем военного назначения, должно быть намного выше, чем у современных вычислительных комплексов. На повышение производительности компьютерной сети направлен ряд стандартов, появившихся в последнее время: Hyper Transport, Infiniband, Arapahoe/3GIO, RapidIO. Пока трудно достоверно определить, какой из этих стандартов получит признание. Можно лишь отметить, что для встроенных систем наиболее перспективна технология RapidIO (что не удивительно, поскольку один из ее разработчиков – компания Motorola), обеспечивающая скорость передачи данных между чипами или платами в несколько десятков гигабит в секунду. Архитектура пакетной коммутации и межкомпонентных соединений RapidIO совместима с большинством популярных микросхем связных процессоров, хост-процессоров и сетевых сигнальных процессоров и отвечает современным требованиям повышения надежности, увеличения пропускной способности и быстродействия шин внутрисистемных средств коммутации. К тому же, RapidIO-архитектура соединений может обеспечить связь с PCI, PCI-X-шинами и системными сетями типа InfiniBand. Технология RapidIO уже получила международное признание и привлекает все большее внимание создателей комплексного связного оборудования, изготовителей компьютерных систем и поставщиков микросхем. В начале 2000 года была образована Торговая ассоциация RapidIO Trade Association, в которой сегодня состоят около 50 организаций и фирм, в том числе и ФГУП НПИ “Элвис”.
On the Verge of…
На грани…
А.Клиот.
О физических процессах в р-n-переходе. Новый взгляд Считается, что процессы, происходящие в р-n-переходе, должны быть известны каждому студенту, готовящемуся стать инженером в области электроники и радиотехники. Однако, если проанализировать публикации на эту тему и сопоставить разные трактовки происходящих
в р-n переходе процессов (а это попытался сделать автор, опираясь на свой более чем
40-летний практический опыт в области анализа отказов полупроводниковых приборов), то оказывается, что и у практиков, и у теоретиков нет полной ясности в объяснении некоторых парадоксальных эффектов, например, почему
p-n-переход охлаждается, а не нагревается при протекании по нему большого тока. Возникают даже дискуссии специалистов, в ходе которых утверждается, что п/п прибор с одним p-n-переходом, все еще не изучен полностью [1].
Видимо суть в том, что известные модели физических процессов, происходящих в p-n-переходе, построены для анализа переноса электрического заряда через переход и не позволяют глубоко анализировать динамику теплопереноса.
В дискуссионной по характеру статье А.Клиота излагается новый взгляд на процессы, происходящие в р-n-переходах как при прямом напряжении, так и при превышении обратного напряжения выше порогового, и предлагается новая "физическая модель" процессов, происходящих в р-n-переходе, позволяющая объяснить эти парадоксальные эффекты.
Учитывая полемический характер статьи, мы публикуем также отзыв на нее специалиста ИПТМ РАН В.Мордковича.
О физических процессах в р-n-переходе. Новый взгляд Считается, что процессы, происходящие в р-n-переходе, должны быть известны каждому студенту, готовящемуся стать инженером в области электроники и радиотехники. Однако, если проанализировать публикации на эту тему и сопоставить разные трактовки происходящих
в р-n переходе процессов (а это попытался сделать автор, опираясь на свой более чем
40-летний практический опыт в области анализа отказов полупроводниковых приборов), то оказывается, что и у практиков, и у теоретиков нет полной ясности в объяснении некоторых парадоксальных эффектов, например, почему
p-n-переход охлаждается, а не нагревается при протекании по нему большого тока. Возникают даже дискуссии специалистов, в ходе которых утверждается, что п/п прибор с одним p-n-переходом, все еще не изучен полностью [1].
Видимо суть в том, что известные модели физических процессов, происходящих в p-n-переходе, построены для анализа переноса электрического заряда через переход и не позволяют глубоко анализировать динамику теплопереноса.
В дискуссионной по характеру статье А.Клиота излагается новый взгляд на процессы, происходящие в р-n-переходах как при прямом напряжении, так и при превышении обратного напряжения выше порогового, и предлагается новая "физическая модель" процессов, происходящих в р-n-переходе, позволяющая объяснить эти парадоксальные эффекты.
Учитывая полемический характер статьи, мы публикуем также отзыв на нее специалиста ИПТМ РАН В.Мордковича.
PCB
Печатный монтаж
Р.Милокостов.
Печатные платы: почему в Китае так дешево? Хорошо известно, что основная масса печатных плат (ПП) производится в странах Юго-Восточной Азии, причем крупнейший их изготовитель в регионе – Китай – контролирует порядка 20% мирового выпуска ПП. Очевидно, что одна из причин превращения Китая фактически в центр мирового производства ПП кроется в чрезвычайно привлекательных ценах. Действительно, если в России себестоимость 1 дм2 двусторонних ПП с маской при массовом их выпуске (не менее 20 тыс. м2/год) составляет 1,5–1,7 долл., то в Китае – в районе 50–65 центов. Причем столь низкие цены подкреплены должным качеством и соблюдением сроков поставки продукции.
Печатные платы: почему в Китае так дешево? Хорошо известно, что основная масса печатных плат (ПП) производится в странах Юго-Восточной Азии, причем крупнейший их изготовитель в регионе – Китай – контролирует порядка 20% мирового выпуска ПП. Очевидно, что одна из причин превращения Китая фактически в центр мирового производства ПП кроется в чрезвычайно привлекательных ценах. Действительно, если в России себестоимость 1 дм2 двусторонних ПП с маской при массовом их выпуске (не менее 20 тыс. м2/год) составляет 1,5–1,7 долл., то в Китае – в районе 50–65 центов. Причем столь низкие цены подкреплены должным качеством и соблюдением сроков поставки продукции.
П.Агафонов. В.Лысов..
ФАСТЕКО-2006: новые география, отношения и техническая политика Компания ФАСТВЕЛ и ее подразделение контрактного производства изделий электроники ФАСТЕКО объективно являются одними из лидеров российского рынка в этой области. Как видит руководство компании дальнейшее развитие услуг? Как должны изменяться и укрепляться отношения между клиентом и исполнителем? В чем смысл для заказчика обращаться именно в ФАСТЕКО? Обо всем этом – предлагаемая статья.
ФАСТЕКО-2006: новые география, отношения и техническая политика Компания ФАСТВЕЛ и ее подразделение контрактного производства изделий электроники ФАСТЕКО объективно являются одними из лидеров российского рынка в этой области. Как видит руководство компании дальнейшее развитие услуг? Как должны изменяться и укрепляться отношения между клиентом и исполнителем? В чем смысл для заказчика обращаться именно в ФАСТЕКО? Обо всем этом – предлагаемая статья.