eng
Competent opinion
Компетентное мнение
Рассказывает В.Н.Храменков
Военная метрология и промышленность: сближение началось. Виктор Николаевич Храменков – главный научный сотрудник 32 Государственного научно-исследовательского испытательного института Министерства обороны Российской Федерации (32 ГНИИИ). С 1993 по 2005 год возглавлял этот институт. Доктор технических наук, профессор, заслуженный метролог Российской Федерации, лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники, президент Межрегиональной общественной организации "Союз метрологов и приборостроителей сферы обороны, безопасности и оборонно-промышленного комплекса". Автор двух монографий, свыше ста пятидесяти научных работ.
Недавно Виктору Николаевичу исполнилось 60 лет. Редакция журнала "ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ" поздравляет его с юбилеем и желает дальнейшего продолжения плодотворной научной и организационной деятельности.
Военная метрология и промышленность: сближение началось. Виктор Николаевич Храменков – главный научный сотрудник 32 Государственного научно-исследовательского испытательного института Министерства обороны Российской Федерации (32 ГНИИИ). С 1993 по 2005 год возглавлял этот институт. Доктор технических наук, профессор, заслуженный метролог Российской Федерации, лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники, президент Межрегиональной общественной организации "Союз метрологов и приборостроителей сферы обороны, безопасности и оборонно-промышленного комплекса". Автор двух монографий, свыше ста пятидесяти научных работ.
Недавно Виктору Николаевичу исполнилось 60 лет. Редакция журнала "ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ" поздравляет его с юбилеем и желает дальнейшего продолжения плодотворной научной и организационной деятельности.
Exhibitions & Conferences
Выставки и конференции
И.Кокорева.
Метрологическое обеспечение обороны и безопасности в России. По материалам конференции VI Всероссийская научно-техническая конференция "Метрологическое обеспечение обороны и безопасности в Российской Федерации" была организована Министерство обороны РФ, Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии, Союзом метрологов и приборостроителей сферы обороны, безопасности и оборонно-промышленного комплекса совместно с представителями исполнительной власти и ОПК. Основная задача конференции – выработать мероприятия по актуализации в 2007-2008 годах нормативно-правовой базы по метрологическому обеспечению и приведению ее в соответствие с Федеральным законом "О техническом регулировании".
Метрологическое обеспечение обороны и безопасности в России. По материалам конференции VI Всероссийская научно-техническая конференция "Метрологическое обеспечение обороны и безопасности в Российской Федерации" была организована Министерство обороны РФ, Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии, Союзом метрологов и приборостроителей сферы обороны, безопасности и оборонно-промышленного комплекса совместно с представителями исполнительной власти и ОПК. Основная задача конференции – выработать мероприятия по актуализации в 2007-2008 годах нормативно-правовой базы по метрологическому обеспечению и приведению ее в соответствие с Федеральным законом "О техническом регулировании".
NEWS
НОВОСТИ
Economy & Business
Экономика + бизнес
М.Макушин.
Есть ли место Солнцу в будущем российской энергетики? Для того, чтобы решить долгосрочные энергетические проблемы человечества, необходимо активно развивать солнечную энергетику. В промышленно развитых странах уделяют большое внимание разработке систем на основе возобновляемых источников энергии (ВИЭ), в том числе энергии Солнца. В создание подобных систем вкладываются значительные средства из государственного бюджета, действуют многочисленные налоговые льготы. Каково сегодняшнее состояние фотоэнергетики в России и что необходимо сделать для обеспечения ее успешного развития? Этим вопросам было посвящено совещание межфракционного депутатского объединения "Наука и высокие технологии" по теме: "Законодательное обеспечение развития фотоэнергетики России", прошедшее в Госдуме.
Есть ли место Солнцу в будущем российской энергетики? Для того, чтобы решить долгосрочные энергетические проблемы человечества, необходимо активно развивать солнечную энергетику. В промышленно развитых странах уделяют большое внимание разработке систем на основе возобновляемых источников энергии (ВИЭ), в том числе энергии Солнца. В создание подобных систем вкладываются значительные средства из государственного бюджета, действуют многочисленные налоговые льготы. Каково сегодняшнее состояние фотоэнергетики в России и что необходимо сделать для обеспечения ее успешного развития? Этим вопросам было посвящено совещание межфракционного депутатского объединения "Наука и высокие технологии" по теме: "Законодательное обеспечение развития фотоэнергетики России", прошедшее в Госдуме.
CAD
Системы проектирования
И.Абрамов, О.Дворников.
Проектирование аналоговых и аналого-цифровых БИС. Уменьшение паразитного взаимодействия элементов Спроектировать работоспособную интегральную микросхему без учета влияния паразитных эффектов на кристалле при современном уровне микроэлектронной технологии уже практически невозможно. Особенно, если речь идет о разработке аналоговых и аналого-цифровых БИС. Даже опытные разработчики не всегда могут предсказать, как отразится на параметрах аналогового устройства паразитное взаимодействие интегральных элементов. В предлагаемой статье рассмотрены основные причины возникновения паразитных эффектов между интегральными элементами и предложены способы проектирования, которые позволяют уменьшить влияние паразитных взаимодействий через подложку кристалла на результирующие характеристики биполярно-полевых ИС.
Проектирование аналоговых и аналого-цифровых БИС. Уменьшение паразитного взаимодействия элементов Спроектировать работоспособную интегральную микросхему без учета влияния паразитных эффектов на кристалле при современном уровне микроэлектронной технологии уже практически невозможно. Особенно, если речь идет о разработке аналоговых и аналого-цифровых БИС. Даже опытные разработчики не всегда могут предсказать, как отразится на параметрах аналогового устройства паразитное взаимодействие интегральных элементов. В предлагаемой статье рассмотрены основные причины возникновения паразитных эффектов между интегральными элементами и предложены способы проектирования, которые позволяют уменьшить влияние паразитных взаимодействий через подложку кристалла на результирующие характеристики биполярно-полевых ИС.
Electronic Components
Элементная база электроники
В.Коснырев.
Датчики приближения компании KLASCHKA Немецкая компания KLASCHKA Electronik разрабатывает и производит множество разнообразных электронных компонентов и приборов: от промышленных контроллеров и ЭВМ до шкафов управления. В частности, компания выпускает около 1500 наименований датчиков, используемых в автоматике многих отраслей промышленности.
Датчики приближения компании KLASCHKA Немецкая компания KLASCHKA Electronik разрабатывает и производит множество разнообразных электронных компонентов и приборов: от промышленных контроллеров и ЭВМ до шкафов управления. В частности, компания выпускает около 1500 наименований датчиков, используемых в автоматике многих отраслей промышленности.
А.Андреев.
С мыслью по жизни. Конференция Texas Instruments в Москве 24 апреля в Москве под девизом "Minds in Motion" прошла конференция Texas Instruments (TI). В ее рамках проведены технические семинары и презентации, посвященные высокопроизводительным аналоговым системам, DSP, видеоустройствам и др. Предыдущее подобное мероприятие состоялось в 2004 году. По словам представителей TI, с тех пор российский рынок полупроводников стал еще более привлекательным для западных компаний. Основными темами пленарных докладов были нынешнее положение TI на рынке, развитие компании в России, направления инновационных исследований.
С мыслью по жизни. Конференция Texas Instruments в Москве 24 апреля в Москве под девизом "Minds in Motion" прошла конференция Texas Instruments (TI). В ее рамках проведены технические семинары и презентации, посвященные высокопроизводительным аналоговым системам, DSP, видеоустройствам и др. Предыдущее подобное мероприятие состоялось в 2004 году. По словам представителей TI, с тех пор российский рынок полупроводников стал еще более привлекательным для западных компаний. Основными темами пленарных докладов были нынешнее положение TI на рынке, развитие компании в России, направления инновационных исследований.
Test & Measurements
Контроль и измерения
М.Гуревич.
Преобразователи сигналов для СВЧ-вольтметров и ваттметров. Применяем диодные детекторы Обязательным элементом большинства СВЧ-вольтметров и ваттметров является детекторный преобразователь уровня напряжения или мощности в постоянное напряжение. Для сигналов малого уровня часто применяют детекторы, построенные на диодах Шоттки. При этом на их эффективность влияет ряд нюансов, например выбор цепи нагрузки. В данной статье рассмотрены основные соотношения, определяющие характеристики детекторных преобразователей уровня ВЧ-сигналов, предложены некоторые методы увеличения их точности.
Преобразователи сигналов для СВЧ-вольтметров и ваттметров. Применяем диодные детекторы Обязательным элементом большинства СВЧ-вольтметров и ваттметров является детекторный преобразователь уровня напряжения или мощности в постоянное напряжение. Для сигналов малого уровня часто применяют детекторы, построенные на диодах Шоттки. При этом на их эффективность влияет ряд нюансов, например выбор цепи нагрузки. В данной статье рассмотрены основные соотношения, определяющие характеристики детекторных преобразователей уровня ВЧ-сигналов, предложены некоторые методы увеличения их точности.
М.Гуревич, А.Черемохин.
Калибратор тока 1032. Поверка бесконтактных измерителейМ. Бесконтактные измерители тока все чаще применяют при контроле работы силовых электрических установок, энергетических агрегатов и технологического оборудования. Ведущие приборостроительные фирмы выпускают разновидности подобных устройств, например токоизмерительные клещи. Их поверка сопряжена со многими трудностями, преодолеть которые помогает высокостабильный источник постоянного и переменного тока 10302.
Калибратор тока 1032. Поверка бесконтактных измерителейМ. Бесконтактные измерители тока все чаще применяют при контроле работы силовых электрических установок, энергетических агрегатов и технологического оборудования. Ведущие приборостроительные фирмы выпускают разновидности подобных устройств, например токоизмерительные клещи. Их поверка сопряжена со многими трудностями, преодолеть которые помогает высокостабильный источник постоянного и переменного тока 10302.
С.Соколов.
Измерения и контроль показаний электросети: решения компании Janitza Electronics GmbH Компания Janitza Electronics GmbH специализируется на разработках и выпуске систем для измерения и контроля параметров электросети. Компания завоевала большую популярность во всем мире и является одним из лидеров в области производства универсальных измерительных приборов, регуляторов коэффициента мощности, систем энергоконтроля. В России официальным представителем Janitza Electronics GmbH выступает компания "Диал Электролюкс".
Измерения и контроль показаний электросети: решения компании Janitza Electronics GmbH Компания Janitza Electronics GmbH специализируется на разработках и выпуске систем для измерения и контроля параметров электросети. Компания завоевала большую популярность во всем мире и является одним из лидеров в области производства универсальных измерительных приборов, регуляторов коэффициента мощности, систем энергоконтроля. В России официальным представителем Janitza Electronics GmbH выступает компания "Диал Электролюкс".
Communications and Telecommunications
Связь и телекоммуникации
В.Слюсар.
Диэлектрические резонаторные антенны. Малые размеры, большие возможности В последние 20 лет появление разнообразных видов планарных антенн, в том числе и печатных, привело к фундаментальным изменениям средств связи микроволнового и миллиметрового диапазонов. И здесь весьма перспективны малоразмерные высокоэффективные диэлектрические резонаторные антенны (DRA), характеризуемые большой полосой пропускания и малыми потерями в широком диапазоне частот. Эти компактные антенны, которые могут быть объединены с компонентами, предлагают достаточно удобное и дешевое решение задач, стоящих перед разработчиками систем связи, в первую очередь коммерческих беспроводных устройств. Помимо рассмотренных ранее цилиндрических DRA существуют и другие варианты антенн этого класса, характеризуемые расширенным частотным диапазоном, простотой изготовления, большими возможностями управления резонансной частотой и добротностью.
Диэлектрические резонаторные антенны. Малые размеры, большие возможности В последние 20 лет появление разнообразных видов планарных антенн, в том числе и печатных, привело к фундаментальным изменениям средств связи микроволнового и миллиметрового диапазонов. И здесь весьма перспективны малоразмерные высокоэффективные диэлектрические резонаторные антенны (DRA), характеризуемые большой полосой пропускания и малыми потерями в широком диапазоне частот. Эти компактные антенны, которые могут быть объединены с компонентами, предлагают достаточно удобное и дешевое решение задач, стоящих перед разработчиками систем связи, в первую очередь коммерческих беспроводных устройств. Помимо рассмотренных ранее цилиндрических DRA существуют и другие варианты антенн этого класса, характеризуемые расширенным частотным диапазоном, простотой изготовления, большими возможностями управления резонансной частотой и добротностью.
New Technologies
Новые технологии
В.Ральченко, В.Конов.
CVD-алмазы. Применение в электронике Алмаз не назовешь новым материалом, ведь он упоминается еще в Ветхом Завете. Необычайные твердость и химическая стойкость (adamantos по-гречески – "неодолимый"), игра света кристаллов на протяжении веков привлекали внимание к алмазу. В последние 30—40 лет ученые пришли к выводу, что благодаря уникальному сочетанию физических свойств алмаз мог бы стать привлекательным материалом для изготовления электронных устройств с экстремальными параметрами. Если бы… существовала технология получения алмаза в виде больших (диаметром несколько дюймов) пластин или пленок с низкой концентрацией примесей и дефектов. И если бы он не был запредельно дорог. Сегодня такая технология – осаждение поликристаллических пленок алмаза из газовой фазы (Chemical Vapor Deposition, CVD) – быстро развивается. Поликристаллический алмаз (полиалмаз) с требуемыми свойствами уже применяют как для изготовления пассивных устройств (теплоотводов, звукопроводов в приборах на поверхностных акустических волнах), так и в качестве полупроводникового материала активных приборов (полевых транзисторов с частотой выше 100 ГГц, детекторов). Конечно, остается немало трудностей, которые необходимо преодолеть для того, чтобы подтянуть "алмазную" технологию к уровню, достигнутому хотя бы для карбида кремния. Это – и принципиальные проблемы синтеза монокристаллических пластин размером не менее одного дюйма (ок. 25 мм), и вопросы легирования алмаза. Но, главное, психологический барьер преодолен, и мы наблюдаем превращение алмаза из экзотического для электроники материала в технический.
CVD-алмазы. Применение в электронике Алмаз не назовешь новым материалом, ведь он упоминается еще в Ветхом Завете. Необычайные твердость и химическая стойкость (adamantos по-гречески – "неодолимый"), игра света кристаллов на протяжении веков привлекали внимание к алмазу. В последние 30—40 лет ученые пришли к выводу, что благодаря уникальному сочетанию физических свойств алмаз мог бы стать привлекательным материалом для изготовления электронных устройств с экстремальными параметрами. Если бы… существовала технология получения алмаза в виде больших (диаметром несколько дюймов) пластин или пленок с низкой концентрацией примесей и дефектов. И если бы он не был запредельно дорог. Сегодня такая технология – осаждение поликристаллических пленок алмаза из газовой фазы (Chemical Vapor Deposition, CVD) – быстро развивается. Поликристаллический алмаз (полиалмаз) с требуемыми свойствами уже применяют как для изготовления пассивных устройств (теплоотводов, звукопроводов в приборах на поверхностных акустических волнах), так и в качестве полупроводникового материала активных приборов (полевых транзисторов с частотой выше 100 ГГц, детекторов). Конечно, остается немало трудностей, которые необходимо преодолеть для того, чтобы подтянуть "алмазную" технологию к уровню, достигнутому хотя бы для карбида кремния. Это – и принципиальные проблемы синтеза монокристаллических пластин размером не менее одного дюйма (ок. 25 мм), и вопросы легирования алмаза. Но, главное, психологический барьер преодолен, и мы наблюдаем превращение алмаза из экзотического для электроники материала в технический.
А.Васильев, В.Данилин, Т.Жукова.
Новое поколение полупроводниковых материалов и приборов. Через GaN к алмазу Разработанные в последнее десятилетие поупроводниковые приборы нового поколения на широкозонных III-нитридах значительно превзошли по многим параметрам традиционные приборы на Si и GaAs. Поэтому усилия ученых и разработчиков направлены на исследование и развитие новых многообещающих широкозонных полупроводников (ШЗП): карбида кремния, материалов группы III-нитридов (нитрида галлия, нитрида алюминия, нитрида индия и их соединений, нитрида бора),
а также алмаза. Эти материалы отличает уникальное сочетание электрофизических свойств, обещающих качественное улучшение параметров приборов на их основе. Почти по всем основным параметрам ШЗП в несколько раз превосходят традиционные материалы. Поэтому можно ожидать что по своим характеристикам приборы на их основе также будут значительно превосходить Si- и GaAs-приборы.
Новое поколение полупроводниковых материалов и приборов. Через GaN к алмазу Разработанные в последнее десятилетие поупроводниковые приборы нового поколения на широкозонных III-нитридах значительно превзошли по многим параметрам традиционные приборы на Si и GaAs. Поэтому усилия ученых и разработчиков направлены на исследование и развитие новых многообещающих широкозонных полупроводников (ШЗП): карбида кремния, материалов группы III-нитридов (нитрида галлия, нитрида алюминия, нитрида индия и их соединений, нитрида бора),
а также алмаза. Эти материалы отличает уникальное сочетание электрофизических свойств, обещающих качественное улучшение параметров приборов на их основе. Почти по всем основным параметрам ШЗП в несколько раз превосходят традиционные материалы. Поэтому можно ожидать что по своим характеристикам приборы на их основе также будут значительно превосходить Si- и GaAs-приборы.
В.Сидоров.
Корпуса СВЧ-транзисторов на основе полиалмаза и алюмонитридной керамики Эффективность и тактико-технические характеристики современных систем связи, радиолокационных систем, приемопередающих устройств СВЧ- и КВЧ-диапазонов, а также и других средств радиоэлектронного вооружения непосредственно зависят от используемых в них мощных СВЧ-транзисторов. В свою очередь параметры и надежность этих приборов зависят от диэлектрических свойств и теплопроводности материалов теплоотводящих конструктивных элементов, предназначенных для монтажа полупроводниковых структур. В корпусах мощных СВЧ-транзисторов эти элементы, в основном, выполняют из керамики на основе оксида бериллия (ВеО).
Корпуса СВЧ-транзисторов на основе полиалмаза и алюмонитридной керамики Эффективность и тактико-технические характеристики современных систем связи, радиолокационных систем, приемопередающих устройств СВЧ- и КВЧ-диапазонов, а также и других средств радиоэлектронного вооружения непосредственно зависят от используемых в них мощных СВЧ-транзисторов. В свою очередь параметры и надежность этих приборов зависят от диэлектрических свойств и теплопроводности материалов теплоотводящих конструктивных элементов, предназначенных для монтажа полупроводниковых структур. В корпусах мощных СВЧ-транзисторов эти элементы, в основном, выполняют из керамики на основе оксида бериллия (ВеО).
И.Викулов, Н.Кичаева.
GaN-технология. Новый этап развития СВЧ-микросхем Несмотря на достижения арсенидгаллиевой технологии монолитных СВЧ-микросхем, получаемые в последнее время результаты уже не вполне отвечают новым потребностям военной радиоэлектроники и стремительно развивающихся систем беспроводной связи. Для этих систем нужны монолитные усилители с высокими рабочими частотами, мощностью, КПД и линейностью. Поэтому в последнее десятилетие ведутся поиски новых широкозонных материалов с более высокими, чем у GaAs, пробивными электрическими полями, большими подвижностью электронов и скоростью насыщения носителей, более высокой теплопроводностью. И здесь наибольшие успехи достигнуты в исследовании материалов, процессов изготовления и создания приборов на основе нитрида галлия (GaN). Параметры таких приборов оказались столь впечатляющими, что ведущие промышленные страны в целях совершенствования будущих информационных систем и систем национальной безопасности сочли необходимым сформировать государственные программы развития этого направления. Рассмотрим программы разработки GaN МИС СВЧ и GaN-транзисторов в трех главных мировых промышленных центрах – США, Европе и Японии.
GaN-технология. Новый этап развития СВЧ-микросхем Несмотря на достижения арсенидгаллиевой технологии монолитных СВЧ-микросхем, получаемые в последнее время результаты уже не вполне отвечают новым потребностям военной радиоэлектроники и стремительно развивающихся систем беспроводной связи. Для этих систем нужны монолитные усилители с высокими рабочими частотами, мощностью, КПД и линейностью. Поэтому в последнее десятилетие ведутся поиски новых широкозонных материалов с более высокими, чем у GaAs, пробивными электрическими полями, большими подвижностью электронов и скоростью насыщения носителей, более высокой теплопроводностью. И здесь наибольшие успехи достигнуты в исследовании материалов, процессов изготовления и создания приборов на основе нитрида галлия (GaN). Параметры таких приборов оказались столь впечатляющими, что ведущие промышленные страны в целях совершенствования будущих информационных систем и систем национальной безопасности сочли необходимым сформировать государственные программы развития этого направления. Рассмотрим программы разработки GaN МИС СВЧ и GaN-транзисторов в трех главных мировых промышленных центрах – США, Европе и Японии.
В.Фокин.
Наноиндустрия для ЖКХ и медицины уже сегодня. По страницам журнала "Наноидустрия" Примечательно, что практически все статьи и рекламные материалы журнала "Наноиндустрия" убедительно свидетельствуют: нанотехнологии уже сегодня оказывают значительное влияние на повседневную жизнь почти каждого человека. И в будущем это влияние еще более усилится.
Материалы журнала в основном посвящены практическому применению нанотехнологий в различных отраслях промышленности – медицине и биотехнологии, электронике и связи, ЖКХ, строительстве, машиностроении, энергетике, железнодорожном и автомобильном транспорте.
В массовом порядке нанотехнологии задействуются в производстве лакокрасочных покрытий с бактерицидными свойствами, которые перспективны для последующего использования в родильных домах и инфекционных больницах, подъездах многоквартирных домов, общежитиях, казармах, местах отбывания наказания и т.д. Очевидно, что речь идет о нанотехнологиях сегодняшнего дня, а не далекой перспективы, как иногда кажется несведущим людям.
Далее приведены фрагменты статей, опубликованных в первых номерах журнала "Наноиндустрия", подтверждающих: эра практического применения нанотехнологий уже наступила.
Наноиндустрия для ЖКХ и медицины уже сегодня. По страницам журнала "Наноидустрия" Примечательно, что практически все статьи и рекламные материалы журнала "Наноиндустрия" убедительно свидетельствуют: нанотехнологии уже сегодня оказывают значительное влияние на повседневную жизнь почти каждого человека. И в будущем это влияние еще более усилится.
Материалы журнала в основном посвящены практическому применению нанотехнологий в различных отраслях промышленности – медицине и биотехнологии, электронике и связи, ЖКХ, строительстве, машиностроении, энергетике, железнодорожном и автомобильном транспорте.
В массовом порядке нанотехнологии задействуются в производстве лакокрасочных покрытий с бактерицидными свойствами, которые перспективны для последующего использования в родильных домах и инфекционных больницах, подъездах многоквартирных домов, общежитиях, казармах, местах отбывания наказания и т.д. Очевидно, что речь идет о нанотехнологиях сегодняшнего дня, а не далекой перспективы, как иногда кажется несведущим людям.
Далее приведены фрагменты статей, опубликованных в первых номерах журнала "Наноиндустрия", подтверждающих: эра практического применения нанотехнологий уже наступила.
On the Verge of…
На грани…
В.Бердников, П.Мальцев.
Получение технических алмазов с заданными свойствами. Возможность воспроизведения природных процессов Природа – гениальный творец и не менее гениальный хранитель своих секретов. И один из них, до сих пор не разгаданный, – зарождение и рост алмаза. Этот минерал с уникальными тепловыми, механическими, электрическими и оптоэлектронными свойствами стал неким абсолютом сразу в трех ипостасях: драгоценный камень, сверхтвердый кристалл для инструмента, эталонный полупроводник для электронных компонентов (высокотемпературных, мощных, малогабаритных, быстродействующих, радиационно стойких) [1]. Концентрация уникальных свойств в одном единственном минерале до сих пор остается достаточно загадочной, тем более что далеко не все его свойства напрямую связаны с кристаллической структурой. Многие из них определяются его не менее загадочным генезисом [1–4]. Поэтому большой интерес представляет предлагаемая гипотеза, рассматривающая образование алмазов в кимберлитовых расплавах с точки зрения возможности протекания реакций расщепления высокомодульных силикатов (РВС) с генерацией микровзрывных процессов и формированием ударных микроволн высокого давления в пограничном слое "активная гетерогенная среда (АГС)– кристалл алмаза". Эта гипотеза позволяет объяснить образование и рост алмазов, как при высоком, так и низком статическом давлении на различных глубинах нахождения кимберлитовых расплавов. Она открывает широкие возможности для воспроизведения природных
процессов с целью синтеза технических алмазов с заданными свойствами.
Получение технических алмазов с заданными свойствами. Возможность воспроизведения природных процессов Природа – гениальный творец и не менее гениальный хранитель своих секретов. И один из них, до сих пор не разгаданный, – зарождение и рост алмаза. Этот минерал с уникальными тепловыми, механическими, электрическими и оптоэлектронными свойствами стал неким абсолютом сразу в трех ипостасях: драгоценный камень, сверхтвердый кристалл для инструмента, эталонный полупроводник для электронных компонентов (высокотемпературных, мощных, малогабаритных, быстродействующих, радиационно стойких) [1]. Концентрация уникальных свойств в одном единственном минерале до сих пор остается достаточно загадочной, тем более что далеко не все его свойства напрямую связаны с кристаллической структурой. Многие из них определяются его не менее загадочным генезисом [1–4]. Поэтому большой интерес представляет предлагаемая гипотеза, рассматривающая образование алмазов в кимберлитовых расплавах с точки зрения возможности протекания реакций расщепления высокомодульных силикатов (РВС) с генерацией микровзрывных процессов и формированием ударных микроволн высокого давления в пограничном слое "активная гетерогенная среда (АГС)– кристалл алмаза". Эта гипотеза позволяет объяснить образование и рост алмазов, как при высоком, так и низком статическом давлении на различных глубинах нахождения кимберлитовых расплавов. Она открывает широкие возможности для воспроизведения природных
процессов с целью синтеза технических алмазов с заданными свойствами.
Electronics History
История электроники
Security Systems
Системы безопасности
И.Кокорева, Г.Щелкунов.
Рентгеновские комплексы в системах инспекционно-досмотрового контроля Любое государство, вне зависимости от политического строя и географического положения, не застраховано от трансграничной и внутренней преступности. Вот почему безопасность страны, защита права граждан на жизнь и здоровье, противодействие терроризму – первоочередные задачи, которые стоят сегодня не только перед Россией, но и перед всем мировым сообществом. Решить их можно только при соответствующем уровне развития технологий, которые позволяют государственным органам эффективно бороться с преступностью и терроризмом.
Рентгеновские комплексы в системах инспекционно-досмотрового контроля Любое государство, вне зависимости от политического строя и географического положения, не застраховано от трансграничной и внутренней преступности. Вот почему безопасность страны, защита права граждан на жизнь и здоровье, противодействие терроризму – первоочередные задачи, которые стоят сегодня не только перед Россией, но и перед всем мировым сообществом. Решить их можно только при соответствующем уровне развития технологий, которые позволяют государственным органам эффективно бороться с преступностью и терроризмом.