eng
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.239.8.112.119
В ближайшее десятилетие EUV-литография будет использоваться для формирования топологических элементов, измеряемых в нанометрах и ангстремах. Рассматриваются методики однократного и многократного формирования рисунка.
Теги: euv lithography technology high numerical aperture (na) patterning techniques высокая числовая апертура (na) методики формирования рисунка технология euv-литографии
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В ближайшее десятилетие EUV-литография будет использоваться для формирования топологических элементов, измеряемых в нанометрах и ангстремах. Рассматриваются методики однократного и многократного формирования рисунка.
Теги: euv lithography technology high numerical aperture (na) patterning techniques высокая числовая апертура (na) методики формирования рисунка технология euv-литографии
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
