eng
Выпуск #9/2024
И. Семейкин
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ
Просмотры: 122
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62
Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные
о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.
Теги: electronic components gan-on-si gan semiconductor devices microwave transistor power switching transistor нитрид галлия на кремнии полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия свч-транзистор силовой переключающий транзистор электронная компонентная база
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные
о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.
Теги: electronic components gan-on-si gan semiconductor devices microwave transistor power switching transistor нитрид галлия на кремнии полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия свч-транзистор силовой переключающий транзистор электронная компонентная база
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
