eng
Выпуск #2/2025
А. Кищинский, В. Миннебаев
РАДИОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ – ДВИЖЕНИЕ ВПЕРЕД НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «РЭСВЧ-2024». ЧАСТЬ 1
РАДИОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ – ДВИЖЕНИЕ ВПЕРЕД НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «РЭСВЧ-2024». ЧАСТЬ 1
Просмотры: 3
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.243.2.42.48
В статье описаны перспективные разработки, представленные участниками конференции «РЭСВЧ-2024», приуроченной
к 20-летию АО «Микроволновые системы». В первой части работы обобщены материалы двух секций. Доклады секции 1
посвящены современным технологиям изготовления СВЧ-транзисторов и МИС. На секции 2 обсуждались конструкции, параметры СВЧ-компонентов и вопросы их надежности.
Теги: epitaxial growth gan transistors gan-транзисторы hemt transistors heterostructures microwave electronics гетероструктуры немт-транзисторы свч-электроника эпитаксиальный рост
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В статье описаны перспективные разработки, представленные участниками конференции «РЭСВЧ-2024», приуроченной
к 20-летию АО «Микроволновые системы». В первой части работы обобщены материалы двух секций. Доклады секции 1
посвящены современным технологиям изготовления СВЧ-транзисторов и МИС. На секции 2 обсуждались конструкции, параметры СВЧ-компонентов и вопросы их надежности.
Теги: epitaxial growth gan transistors gan-транзисторы hemt transistors heterostructures microwave electronics гетероструктуры немт-транзисторы свч-электроника эпитаксиальный рост
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
