eng
Выпуск #2/2025
Д. Суханов
ЭКСТРЕМАЛЬНОЕ УТОНЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН И ФОРМИРОВАНИЕ НАНО-TSV ДЛЯ 3D ГЕТЕРОГЕННОЙ ИНТЕГРАЦИИ
ЭКСТРЕМАЛЬНОЕ УТОНЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН И ФОРМИРОВАНИЕ НАНО-TSV ДЛЯ 3D ГЕТЕРОГЕННОЙ ИНТЕГРАЦИИ
Просмотры: 3
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.243.2.112.114
Рассмотрены современные технологии, которые дают возможность выполнить утонение кремниевых пластин до 500 нм и сформировать нано-TSV с размерами ~180 × 250 нм и глубиной 500 нм.
Теги: silicon wafer thinning tsv кремниевая пластина утонение
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Рассмотрены современные технологии, которые дают возможность выполнить утонение кремниевых пластин до 500 нм и сформировать нано-TSV с размерами ~180 × 250 нм и глубиной 500 нм.
Теги: silicon wafer thinning tsv кремниевая пластина утонение
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
