Предлагаемая вторая часть статьи* посвящена оценкам точности и достоверности моделей, а также типичным ошибкам, которыми сопровождаются разработка, внедрение и применение моделей. Чтобы "не наступать на грабли", разработчики СБИС должны иметь представление о возможностях и ограничениях моделей МОП-транзисторов. Здесь публикуется сокращенный вариант обзора этих проблем, а более детальный их анализ можно найти по адресу
http://www.RLDA.ru/MOSFET_Simulation.pdf.

sitemap

Разработка: студия Green Art