Читая книгу "Очерки истории российской электроники" (Выпуск 2, Электронная промышленность СССР, 1961–1985. К 100-летию А.И.Шокина) я был неприятно удивлен воспоминаниями Ж.И.Алферова о его беседе с А.И.Шокиным, в которой, как пишет Ж.И.Алферов, "А.И. удивил меня, высказав неудовлетворенность работой зеленоградского Научного центра, за 14 лет существования не получившего ни одного международного патента". Для меня это было тем более странно потому, что я с 1966 года и по настоящее время работаю на одном из ведущих предприятий Научного центра – НИИ точной технологии с заводом "Ангстрем" (ныне ОАО "Ангстрем"), а с 1976 по 1993 год руководил патентным отделом этого предприятия.

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по электронике
Переверзев А.Л., Денисов А.Н., Куцев А.О., Силантьев А.М., Солодовников А.П., Анисимова М.А., Н.А. Анисимова, Е.В. Примаков, Д.В. Рыжкова
Под общей редакцией Борисова Ю.И.
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #6/2010
А.Левит.
Патент – это высокий технический уровень и новизна. И патенты были!
Просмотры: 2766
Читая книгу "Очерки истории российской электроники" (Выпуск 2, Электронная промышленность СССР, 1961–1985. К 100-летию А.И.Шокина) я был неприятно удивлен воспоминаниями Ж.И.Алферова о его беседе с А.И.Шокиным, в которой, как пишет Ж.И.Алферов, "А.И. удивил меня, высказав неудовлетворенность работой зеленоградского Научного центра, за 14 лет существования не получившего ни одного международного патента". Для меня это было тем более странно потому, что я с 1966 года и по настоящее время работаю на одном из ведущих предприятий Научного центра – НИИ точной технологии с заводом "Ангстрем" (ныне ОАО "Ангстрем"), а с 1976 по 1993 год руководил патентным отделом этого предприятия.
История "Ангстрема" так же, как и вся история техники, неразрывно связана с изобретениями. Первое запатентованное за рубежом изобретение было сделано специалистами "Ангстрема" в 1967 году. В процессе разработки тонкопленочной технологии для производства гибридных интегральных схем у наших технологов появилась идея использовать процесс электрохимического анодного окисления для получения цветных изображений на стеклокерамике. Вскоре на заводе "Ангстрем" было организовано производство оригинальных значков и сувениров, которые стали популярны в нашей стране. Особым спросом пользовался значок, изображавший Нефертити, царицу Египта. Патенты на способ производства таких значков были вскоре получены нашими специалистами в США, Великобритании, Франции, Голландии, Италии и Японии.
Именно изобретательский талант наших специалистов обеспечивал высокий уровень проектирования и производства на всех этапах развития предприятия. Я совершенно ответственно и на основании документов, которые тщательно храню, утверждаю, что с момента создания и до 1987 года на "Ангстреме" было создано более 800 принципиально новых технических решений, официально признанных изобретениями, получено 56 патентов в промышленно развитых странах. В таблице представлены изобретения специалистов НИИ точной технологии, защищенные патентами за рубежом именно в тот период, о котором говорит Ж.И. Алферов.

В условиях "холодной войны", когда передача новых технологий в СССР и страны Восточной Европы жестко регулировалась (запретительные списки созданного НАТО международного комитета "Коком" и практика эмбарго, разработанная им же), только изобретения могли обеспечить существование и развитие отечественной микроэлектроники. Кстати, в той же самой статье Ж.И.Алферов пишет: "В 1970–1980-е годы существовали только три страны с развитой электроникой: США, Япония и СССР. Но по многим направлениям советская электроника занимала передовые позиции". Без отечественных изобретений такие достижения были бы невозможны!
Приведем несколько примеров, подтверждающих высокий уровень развития микроэлектроники на "Ангстреме" в 1961–1985 годы:
архитектура и ряд схемотехнических и технологических решений первого отечественного КМОП-комплекта микропроцессорных БИС серий 587 и 588 выполнены на уровне изобретений и защищены авторскими свидетельствами и патентами США, Великобритании, Франции, Швеции, ГДР;
основные структурные, схемотехнические и технологические решения первой отечественной однокристальной микроЭВМ К1801ВЕ1 включают 12 изобретений, наиболее важные из которых были запатентованы в США, ФРГ, Франции, Италии и Швеции;
шесть изобретений позволили разработать и освоить серийное производство БИС К596 РЕ1. Это было первое в мире биполярное ПЗУ емкостью 64 Кбит. Изобретения запатентованы в США, Великобритании и Франции;
два изобретения, касающиеся схемотехнических решений, обеспечили разработку и выпуск первого в СССР статического ЗУ на дополняющих МДП-транзисторах емкостью 4 Кбит;
БИС оперативного запоминающего устройства емкостью 64 Кбит (К565РУ5), соответствующие уровню лучших зарубежных образцов, позволили специалистам "Ангстрема" сделать изобретения, запатентованные в США, Англии, Франции и ГДР;
схемотехнические решения и технология производства быстродействующих устройств памяти большой емкости (динамических, статических, постоянных, энергонезависимых запоминающих устройств), а также микропроцессоров и полузаказных вентильных матриц содержали решения, защищенные авторскими свидетельствами и патентами;
с 1975 по 1983 годы предприятием было продано шесть лицензий на технологию производства гибридных и полупроводниковых интегральных схем, в том числе: в Польшу – технология толстопленочных и тонкопленочных гибридных ИС; в Германию, Венгрию, Болгарию – технология производства полупроводниковых БИС оперативных запоминающих устройств ОЗУ 4К, ОЗУ 16К, изопланарный вариант n-канальной технологии производства МОП БИС.
Я хорошо знал и тесно сотрудничал с руководителями патентных отделов предприятий зеленоградского Научного центра и других предприятий отрасли. Изобретательская и патентная работа координировалась в Зеленограде патентным отделом НЦ, а в отраслевом масштабе – патентно-лицензионной лабораторией ЦНИИ "Электроника". Все предприятия отрасли участвовали в соревновании в этой области деятельности, а предприятия Научного центра были ведущими и имели не менее существенные, а зачастую и более эффективные результаты, чем "Ангстрем". Так в 1970–1985 годы в НИИМЭ, НИИФП, НИИМП, НИИМВ ежегодно получали 100–120 патентов в промышленно развитых странах.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art