eng
Диоды Шотки с минимальным прямым напряжением
Новое семейство диодов Шотки в корпусах типа D-Pack с обратным напряжением 30 В состоит из приборов 30WQ03FN на 3 А, 50Q03FN на 5 А, а также сдвоенного прибора из диодов на 3 А. При номинальном токе и температуре 125оС прямое напряжение не превышает 350 мВ. При выходном напряжении 3,3 В диоды обеспечивают максимальный КПД. Приборы применяют в качестве выпрямителей в небольших конверторных модулях DC/DC. Они могут использоваться в источниках питания и маломощных синхронных выпрямителях портативных систем, а также в аккумуляторных батареях для защиты от обратной полярности.
Фирма International Rectifier приступила к выпуску новых высокоэффективных модулей электропитания на силовых ключах IGBT (полевой биполярный транзистор с изолированным затвором) с запирающим напряжением 250 В: GA600GD25S содержит один транзисторный ключ и имеет номинальный ток 600 А; GA400TD25S выполнен по полумостовой схеме, его номинальный ток – 400 А. Оба модуля смонтированы в корпусах типа Dual INT-A-PAK, конструкция которых позволяет заменить несколько кристаллов, традиционно соединяемых в параллель, на один более крупный прибор. Это существенно улучшает распределение тока, снижает рабочую температуру переходов, повышает надежность и качество работы.
Модули обладают очень низким напряжением насыщения, практически прямоугольными характеристиками переключения и удовлетворяют требованиям различных устройств электропитания с частотой преобразования до 10 кГц. Благодаря низким потерям энергии новые модули имеют повышенный КПД, более низкие температуры переходов и более высокую надежность, чем предыдущие модели. К тому же они проще в обслуживании и дешевле. Модули могут использоваться в качестве основного импульсного блока в устройствах больших токов для автопогрузчиков, систем бесперебойного питания (вплоть до 75 кВА), устройств зарядки аккумуляторов и низковольтных инверторов.
Высокоэффективные силовые МОП-транзисторы
Новые силовые МОП-транзисторы семейства HEXFET рассчитаны на 500–650 В. Сопротивление RСТ–ИСТ во включенном состоянии – от 0,13 до 0,9 Ом. Это на 38–50% меньше, чем у предшествующих серийных моделей. Более низкий заряд затвора (на 18–22%) позволяет сократить потери на переключение и запуск. Применение приборов в автономных импульсных источниках питания снизит потери мощности в них на 30% и существенно уменьшит теплоотвод.
Малогабаритный силовой МОП-транзистор с p-каналом
Малогабаритный МОП-транзистор IRF7210, разработанный специально для мобильных телефонов, побил все рекорды по минимальному сопротивлению во включенном состоянии для приборов с p-каналом в корпусах SO-8. В новом приборе, рассчитанном на 12 В, оно составляет всего 7 мОм (при UЗ–ИСТ=4,5 В), благодаря чему снижается мощность рассеяния и увеличивается срок службы источника питания. По этому параметру IRF7210 не уступает приборам с n-каналом и в два раза превосходит предыдущие модели p-канальных транзисторов в корпусах SO-8.
Поверхностно монтируемые диоды Шотки для высокоэффективных преобразователей энергии
Семейство диодов Шотки второго поколения, корпусированных в стандартном для поверхностного монтажа виде, состоит из приборов типа 10MQ015N, 10MQ040N, 10MQ060N и 10MQ100N. У всех диодов номинальный ток составляет 1,5 А при обратных напряжениях 15, 40, 60 и 100 В, соответственно. Диод 15MQ040N дополнительно имеет номинальный ток 2 А при обратном напряжении 40 В. Прямое напряжение диодов не превышает 300 мВ. Диоды предназначены для работы с температурой перехода вплоть до 150оС. Оптимальная область применения этих низковольтных приборов – низковольтные высокоэффективные преобразователи энергии для портативных систем.
Новое семейство диодов Шотки в корпусах типа D-Pack с обратным напряжением 30 В состоит из приборов 30WQ03FN на 3 А, 50Q03FN на 5 А, а также сдвоенного прибора из диодов на 3 А. При номинальном токе и температуре 125оС прямое напряжение не превышает 350 мВ. При выходном напряжении 3,3 В диоды обеспечивают максимальный КПД. Приборы применяют в качестве выпрямителей в небольших конверторных модулях DC/DC. Они могут использоваться в источниках питания и маломощных синхронных выпрямителях портативных систем, а также в аккумуляторных батареях для защиты от обратной полярности.
Фирма International Rectifier приступила к выпуску новых высокоэффективных модулей электропитания на силовых ключах IGBT (полевой биполярный транзистор с изолированным затвором) с запирающим напряжением 250 В: GA600GD25S содержит один транзисторный ключ и имеет номинальный ток 600 А; GA400TD25S выполнен по полумостовой схеме, его номинальный ток – 400 А. Оба модуля смонтированы в корпусах типа Dual INT-A-PAK, конструкция которых позволяет заменить несколько кристаллов, традиционно соединяемых в параллель, на один более крупный прибор. Это существенно улучшает распределение тока, снижает рабочую температуру переходов, повышает надежность и качество работы.
Модули обладают очень низким напряжением насыщения, практически прямоугольными характеристиками переключения и удовлетворяют требованиям различных устройств электропитания с частотой преобразования до 10 кГц. Благодаря низким потерям энергии новые модули имеют повышенный КПД, более низкие температуры переходов и более высокую надежность, чем предыдущие модели. К тому же они проще в обслуживании и дешевле. Модули могут использоваться в качестве основного импульсного блока в устройствах больших токов для автопогрузчиков, систем бесперебойного питания (вплоть до 75 кВА), устройств зарядки аккумуляторов и низковольтных инверторов.
Высокоэффективные силовые МОП-транзисторы
Новые силовые МОП-транзисторы семейства HEXFET рассчитаны на 500–650 В. Сопротивление RСТ–ИСТ во включенном состоянии – от 0,13 до 0,9 Ом. Это на 38–50% меньше, чем у предшествующих серийных моделей. Более низкий заряд затвора (на 18–22%) позволяет сократить потери на переключение и запуск. Применение приборов в автономных импульсных источниках питания снизит потери мощности в них на 30% и существенно уменьшит теплоотвод.
Малогабаритный силовой МОП-транзистор с p-каналом
Малогабаритный МОП-транзистор IRF7210, разработанный специально для мобильных телефонов, побил все рекорды по минимальному сопротивлению во включенном состоянии для приборов с p-каналом в корпусах SO-8. В новом приборе, рассчитанном на 12 В, оно составляет всего 7 мОм (при UЗ–ИСТ=4,5 В), благодаря чему снижается мощность рассеяния и увеличивается срок службы источника питания. По этому параметру IRF7210 не уступает приборам с n-каналом и в два раза превосходит предыдущие модели p-канальных транзисторов в корпусах SO-8.
Поверхностно монтируемые диоды Шотки для высокоэффективных преобразователей энергии
Семейство диодов Шотки второго поколения, корпусированных в стандартном для поверхностного монтажа виде, состоит из приборов типа 10MQ015N, 10MQ040N, 10MQ060N и 10MQ100N. У всех диодов номинальный ток составляет 1,5 А при обратных напряжениях 15, 40, 60 и 100 В, соответственно. Диод 15MQ040N дополнительно имеет номинальный ток 2 А при обратном напряжении 40 В. Прямое напряжение диодов не превышает 300 мВ. Диоды предназначены для работы с температурой перехода вплоть до 150оС. Оптимальная область применения этих низковольтных приборов – низковольтные высокоэффективные преобразователи энергии для портативных систем.
Отзывы читателей
