Хорошо известны такие методы обработки полупроводниковых материалов радиационным излучением, как ядерное легирование, радиационное управление процессами диффузии, радиационная коррекция параметров полупроводниковых структур (например, времени жизни и подвижности носителей), и, наконец, один из основных современных технологических процессов — ионная имплантация. Все эти операции характеризуют высокие дозы поглощенного излучения и, как правило, введение в обрабатываемый материал большого числа дефектов. Однако существуют и технологические процессы, стимулируемые ионизирующим излучением низкой интенсивности с узким энергетическим спектром. При такой обработке радиационные дефекты практически отсутствуют. К ним можно отнести радиационную стимуляцию синхротронным излучением кольцевого ускорителя электронов с широким диапазоном регулировки по энергии и интенсивности.

sitemap

Разработка: студия Green Art