С момента появления технологии SiC-диодов интерес к ней не угасает. SiC обладает великолепным сочетанием свойств для применения в приборах силовой электроники: работает при высоких (свыше 500°С) температурах, имеет высокую теплопроводность 3–5 Вт/см·град. и большие плотности рабочих токов до 1000 А/см2. Карбид кремния демонстрирует намного более высокое пробивное напряжение по сравнению с традиционно используемым кремнием, что позволяет создавать более компактные приборы с улучшенными параметрами.

sitemap

Разработка: студия Green Art