eng
Выпуск #6/2011
В.Берлин, В.Киреев, Д.Челапкин
Специальное технологическое оборудование для производства микросхем. Критерии эффективности и конкурентоспособности
Специальное технологическое оборудование для производства микросхем. Критерии эффективности и конкурентоспособности
Просмотры: 3555
Эффективность и конкурентоспособность специального технологического оборудования (СТО) для производства интегральных микросхем (ИМС) или других изделий микроэлектроники определяется совокупностью себестоимости (общих затрат) на единицу продукции операции, реализуемой на оборудовании. В свою очередь себестоимость операций, проводимых СТО, зависит как от характеристик установки и проводимой на ней операции, так и от задаваемых государством цен, налогов, пошлин. Так каковы составляющие себестоимости? Каковы возможности и особенности создания в России конкурентоспособного на мировом рынке СТО? Каковы критерии энергетической эффективности установок, систем и процессов? Попробуем дать отсветы на эти вопросы на примере СТО для реализации вакуумно-плазменных технологических процессов.
Теги: competitiveness power efficiency special process equipment technological operations and processes the cost price конкурентоспособность себестоимость специальное технологическое оборудование технологические операции и процессы энергетическая эффективность
Себестоимость (Cost Of Manufacture, COM) операций изготовления микросхем или микроэлектронных изделий рассчитывается согласно стандарту SEMI E35 [1] по формулам:
COM = (FС+RС+LС)/(tcal·U·N·Yw), (1)
долл./пластина
COM = (FС+RС+LС)/(tcal·U·N·Yw∙Yc/w),
долл./кристалл, (2)
где FС – фиксированные расходы за срок службы оборудования (время жизни оборудования или время полной амортизации его стоимости обычно принимается равным пяти годам), используемого в производстве изделий. Включают стоимость самого оборудования, затраты на его установку, технологические испытания, на обучение персонала, установку системы экологической безопасности (скруббера или фильтра) и стоимость площади помещения, занимаемого оборудованием;
RС – периодические расходы за срок службы оборудования на производство изделий. Включают стоимость расходных материалов, реагентов, электроэнергии, запчастей, затраты на обслуживание и заработную плату, а также затраты на расходные материалы, энергоносители и обслуживание системы экологической безопасности;
LС – расходы за срок службы оборудования на потери изделий (пластин и кристаллов) в результате их повреждения (поломок, загрязнений), которые непосредственно связаны с уровнем совершенства характеристик оборудования;
tcal – общее календарное время работы оборудования (в часах) за срок его службы;
tpr – время, в течение которого оборудование обрабатывает пластины;
U – коэффициент использования оборудования, равный tpr/tcal (значение U для эффективного производства обычно составляет 85%);
N – производительность оборудования, измеряемая числом обрабатываемых пластин в час;
Yw – выход годных пластин с оборудования;
Yc/w – выход годных кристаллов с пластины (chips per wafer).
Суммарная экономическая эффективность операций и оборудования при производстве изделий микроэлектроники, задаваемая формулами (1) и (2), зависит от двух факторов:
параметров установки и проводимой на ней операции, зависящих от опыта, квалификации и таланта ученых, конструкторов и технологов;
показателей, определяемых государством, к которым относятся цены, налоги и пошлины на потребляемые расходные материалы, реагенты, тепловую и электрическую энергию, а также налоги на заработную плату и выпускаемую продукцию, налоги и/или арендная плата за помещения и землю.
Поскольку себестоимость микроэлектронной, а в принципе и любой, продукции зависит от технических параметров оборудования и государственно-финансовых показателей, можно выделить две особенности развития высокотехнологичного производства в России.
Первая – более высокая себестоимость изготовления изделий на новой отечественной установке, чем на импортных аналогах, несмотря на то, что отечественная установка по техническим и технологическим параметрам может превосходить импортные на 20%. Это связано с более высокими (более чем на 20%) ценами, налогами и пошлинами на используемые материалы, реагенты и инфраструктуру в сравнении с зарубежными. Таким образом, несмотря на техническое и технологическое совершенство новая отечественная установка не будет конкурентоспособной на мировом рынке и не сможет стать основой конкурентоспособного производства изделий в России. Обычные меры, предпринимаемые для выхода из такого положения: продажа патента зарубежной конкурирующей компании, заключение с разработчиками установки контракта на работу за рубежом в конкурирующей компании или покупка установки инвесторами с организацией производства за рубежом.
Вторая особенность заключается в том, что при закупке импортного оборудования и технологии для производства микроэлектронных изделий российское предприятие вынуждено покупать кремниевые пластины, расходные материалы и реагенты за рубежом. В результате с учетом налога на добавленную стоимость и таможенных пошлин отечественная продукция микроэлектроники в лучшем случае на 30% дороже мировых аналогов. Российскую политику в области развития собственного производства оборудования и изделий в сфере высоких технологий оставим на профессиональной репутации и совести государственных чиновников. Подчеркнем при этом, что правительства всех промышленно и информационно развитых стран мира всегда оказывали помощь (налоговыми и таможенными льготами, дотациями и т.п.) своим высокотехнологичным компаниям для выхода на мировые рынки.
Для характеристики технической и технологической эффективности оборудования и операций производства ИМС можно ввести следующие критерии.
1. Энергетическая эффективность установки и проводимой на ней операции αte, определяемая отношением числа годных пластин или кристаллов, обработанных на установке в единицу времени, к значению потребляемой ею электрической мощности Wt:
αte = (N∙Yw)/Wt, пластин/кВт∙ч, (3)
αte = (N∙Yw∙Yc/w)/Wt, кристалл/кВт∙ч. (4)
2. Эффективность использования газа (реагента) в ходе проводимой операции αtg, равная отношению числа годных пластин или кристаллов, обработанных на установке в единицу времени, к объему расходуемого газа (реагента) Qt, подводимого к установке:
αtg = (N∙Yw)/Qt, пластин/л, (5)
αtg = (N∙Yw∙Ywc)/Qt, кристалл/л. (6)
Расход подводимого к установке газа Qt при давлении p и температуре T измеряется в стандартных литрах в час и определяется по формуле Qt = Qst∙pst∙T/(p∙Tst), где Qst – расход газа при стандартных условиях – pst = 1 атм. (101325 Па) и Tst = 25°C (298,16K).
По формулам (5) и (6) можно определять эффективность (т.е. рассчитывать расход газа на одну годную пластину или кристалл) использования различных газов и реагентов в виде пара и жидкости, а также эффективность применения охлаждающих жидкостей (например, деионизованной воды) и вспомогательных газов (например, сжатого воздуха). Расход твердых материалов, например мишеней для магнетронного распыления, определяется, исходя из числа годных пластин или кристаллов на единицу массы (например, 1 г) расхода мишени.
Для оценки эффективности использования газов и реагентов рассмотрим операционные и технологические параметры трех установок безрадиационного удаления фоторезиста (ФР) в потоке химически активных частиц (ХАЧ), генерируемых источником плазмы высокой плотности (ПВП) (high density plasma, HDP), при поштучной обработке пластин (табл.1) [2–4].
В отличие от обычной плазмы, в которой концентрация электронов (ne) и ионов (ni) лежит в диапазоне (109–1010) см-3, концентрация заряженных частиц в ПВП ne = ni ≥ 1011 см-3. Причем системы с ПВП могут работать в очень широком диапазоне давлений – от сотен единиц до десятых долей паскаля (Па) [5]. В установках, рассмотренных в табл.1, источники генерируют ПВП при давлениях 67–266 Па.
Как видно из табл.1, энергетическая эффективность установки удаления фоторезиста Aspen II Strip больше, а эффективность использования рабочего газа та же, что и установки удаления фоторезиста BobCat 208. Тогда как отечественная установка Плазма 150А значительно уступает обеим зарубежным системам по этим показателям.
За время эксплуатации (за срок службы) оборудование удаления фоторезиста обычно обрабатывает около 5 млн. пластин. Таким образом, установка Aspen II Strip по сравнению с установкой Плазма 150А за срок службы потратит на 585·103 кВт·ч и на 20,55·103 кубометров газа (или на 3400 40-литровых 150-атмосферных баллонов) меньше, что в денежном выражении составит экономию в десятки миллионов рублей.
Особенно наглядно более детальное сравнение установок Aspen II Strip и Плазма 150А, так как в них используются одинаковые источники на основе индукционно-связанной плазмы высокой плотности, которую генерируют ВЧ-генераторы одинаковой мощности Ws = 1200 Вт и частоты f = 13,56 МГц. При этом используется один и тот же рабочий газ с одинаковыми диапазонами расхода и рабочего давления. Одинаков и диапазон температуры подложкодержателя (см. табл.1). В рассматриваемых установках пленка органического фоторезиста удаляется с помощью спонтанных реакций ХАЧ (свободных атомов и радикалов), к которым в первую очередь относится атомарный кислород O¨ (атомарный кислород с двумя неспаренными валентными электронами). O¨ образуется в результате диссоциации молекулы озона O3 при адсорбции на поверхности материалов, согласно реакции O3 = O2 + O¨ [6]. Скорость спонтанного химического травления (СХТ) материала в результате химической реакции в режиме не лимитированной доставки ХАЧ определяется как [7, 8]:
vet = εcr∙Ycr∙qr/σm =εcr∙Ycr∙nr∙(k∙Tr/2π∙mr)1/2/σm, см/с, (7)
где εcr = ccr∙exp(-Eact/k∙Tm) – вероятность спонтанной химической реакции; Ycr – коэффициент удаления материала в результате спонтанной химической реакции травления (атом/ХАЧ) (для реакции C + 2O¨ → CO2 Ycr = 0,5 атом/ХАЧ); σm = (ρm∙NA)/Am – атомная плотность материала (атом/см3); qr = 1/4nr∙vr – плотность потока ХАЧ, падающего на поверхность материала в единицу времени, (ХАЧ/см2∙с); сcr – предэкспоненциальный множитель, независящий от температуры; Тm – температура поверхности обрабатываемого материала (в хорошо сконструированных системах эта температура практически не отличается от температуры подложкодержателя, т.е. Тm = Тs); k – постоянная Больцмана; Eact – энергия активации спонтанной химической реакции травления; ρm и Am – плотность (г/см3) и атомная масса (г/моль) материала, соответственно; NA – число Авогадро (атом/моль); nr и vr = (8k∙Tr/π∙mr)1/2 – концентрация ХАЧ (ХАЧ/см3) и их средняя тепловая скорость (см/с), соответственно; Tr и mr – температура и масса ХАЧ, соответственно.
Для выявления различий в процессах и плазменных системах СХТ установок Aspen II Strip и Плазма 150А введены следующие критерии.
1. Энергетическая эффективность процесса СХТ αpet, определяемая как отношение массы вещества (mpet), удаляемого в единицу времени с единицы площади обрабатываемого материала, к плотности мощности wpet, затрачиваемой на реализацию процесса травления:
αpet = mpet/wpet, г/Дж, (8)
где масса вещества mpet, удаляемого в единицу времени с единицы площади, определяется как
mpet = vet∙ρm, г/(см2∙с), (9)
а плотность мощности wpet, затрачиваемая на реализацию процесса СХТ материала, как
wpet = qr∙2∙k∙Tr, Вт/см2 [9]. (10)
Подставляя выражения (9) и (10) в формулу (8), получим:
αpet = vet∙ρm/wpet = vet∙ρm/(2qr∙k∙Tr). (11)
2. Энергетическая эффективность плазменной системы СХТ αset – отношение массы вещества (ms), удаляемого ХАЧ в единицу времени с площади обрабатываемого материала Sw, к подводимой к системе электрической мощности Ws:
αset = ms/Ws = vet∙ρm∙Sw/Ws, г/Дж. (12)
С учетом того, что ms = mpet∙Sw = αpet∙wpet∙Sw = = αpet∙Wpet, где Wpet – мощность, затрачиваемая на реализацию процесса СХТ материала, уравнение (12) можно записать в виде:
αset = αpet∙Wpet/Ws. (13)
Из выражения (13) следует, что энергетическую эффективность плазменной системы СХТ определяет произведение энергетической эффективности реализуемого в ней процесса спонтанного химического травления (αpet) на коэффициент преобразования подводимой к системе мощности в мощность, непосредственно затрачиваемую на процесс СХТ материала χ = Wpet/Ws.
Из приведенных в табл.1 значений энергетической эффективности плазменной системы, рассчитанных по формуле (12), следует, что энергетическая эффективность установки Aspen II Strip в 2,4 и в 2,5 раза выше, чем установок Плазма 150А и BobCat 208, соответственно. Следует особо подчеркнуть, что, несмотря на более высокую энергетическую эффективность плазменной системы установки Плазма 150А в сравнении с плазменной системой на основе микроволновой плазмы (MWP) установки BobCat 208, эффективность использования электроэнергии и рабочего газа в целом у установки BobCat 208 значительно выше (см. табл.1). Это означает, что в отечественной установке используется более энерго- и материалоемкие компоненты (насосы, приводы, клапаны, нагреватели, блоки питания и др.), а покрытие внутрикамерных элементов в плазменной и реакционной зонах не оптимально.
Различие энергетической эффективности плазменных систем рассматриваемых установок может быть обусловлено двумя причинами. Во-первых, разными значениями коэффициента преобразования χ. Во-вторых, применением различных материалов покрытий внутрикамерных элементов реакторов, которые определяют скорость гибели и концентрацию ХАЧ в зонах генерации плазмы и обработки пластин [10].
Подставив выражение (7) в формулу (11) и проведя преобразования, получим:
αpet = b∙(exp[-Eact/k∙Tm]/Tr), (14)
где b = ccr∙Ycr∙Am/(2∙k∙NA) (г∙K/Дж) – коэффициент, независящий от температуры обрабатываемого материала Tm и от температуры ХАЧ Tr.
Из выражения (14) следует, что энергетическая эффективность процесса СХТ материала зависит от энергии активации реакции спонтанного травления материала конкретным ХАЧ Eact, температуры материала Tm и температуры ХАЧ Tr.
Источники генерации как обычной плазмы, так и плазмы высокой плотности (ПВП) могут быть также успешно использованы для проведения процессов ионного (физического) распыления и травления различных материалов. Сравнение энергетической эффективности такого процесса в различных системах ионного распыления и травления (ИРТ), а также энергетической эффективности самих систем ИРТ можно провести, используя два основных критерия [11].
1. Энергетическая эффективность процесса ионного распыления (ion sputtering process) αpis, пределяемая массой вещества mpis, распыляемого в единицу времени с единицы площади, отнесенной к плотности мощности wpis, затрачиваемой на реализацию процесса распыления
αpis = mpis/wpis, г/Дж. (15)
Значение
wpis = ji∙Ui [Вт/см2], (16)
где ji – плотность ионного тока на поверхности распыляемого материала (А/см2); Ui – напряжение, ускоряющее ионы (В). Энергия бомбардирующих материал однозарядовых ионов равна Ei = e∙Ui, где e – заряд электрона (Кл).
В случае распыления материала однозарядовыми ионами
mpis = Ys(Ei)∙Am∙ji/(NA∙e), г/с∙см2, (17)
где Ys(Ei) – коэффициент распыления (КР) при энергии ионов Ei (атом/ион); Am – атомная масса материала (г/моль); NA – число Авогадро (атом/моль). Подставляя выражения (16) и (17) в формулу (15), получим:
αpis(Ei) = [Ys(Ei)/Ei]∙[Am/NA], г/Дж. (18)
Из выражения (18) следует, что энергетическая эффективность процесса ионного распыления определяется зависимостью КР от энергии ионов и обратно пропорциональна самой энергии ионов. Расчетные [11] и экспериментально полученные [12] зависимости Ys(Ei)/Ei и αpis(Ei) от энергии ионов аргона при распылении любых материалов имеют максимум в диапазоне энергий (4,8–8,0)∙10-17 Дж или 300–500 эВ. Это означает, что в этом диапазоне энергетическая эффективность процесса ионного распыления максимальна, т.е. максимальна доля энергии ионов, расходуемой на процесс распыления материала. Увеличение энергии ионов выше этого диапазона вызывает рост КР материала, но доля энергии, расходуемой на процесс распыления, уменьшается в большей степени, и в результате энергетическая эффективность процесса распыления снижается. Такие зависимости наблюдаются при распылении различных материалов разными ионами и являются общими энергетическими характеристиками процесса ионного распыления.
Значение энергии ионов Ei*, которое соответствует максимальной энергетической эффективности процесса ионного распыления материала (табл.2), по расчетам ученых Исследовательского центра Министерства энергетики США – Аргонской национальной лаборатории, – равно [13]:
Ei* = 515∙[a2∙Zi∙Za∙(mi + ma)]/ma, (19)
где a = 0,8853∙a0∙(Zi2/3 + Za2/3)-1/2 – характерный радиус экранирующего электронного облака по модели Томаса–Ферми; a0 = 5,29∙10-11 (м) – радиус атома водорода по Бору; Zi, Za, mi, ma – атомные номера и массы бомбардирующего иона и атома распыляемого материала (материала мишени), соответственно. Полученные значения хорошо согласуются с экспериментальными данными [7, 12, 14, 15].
2. Энергетическая эффективность системы ионного распыления (system ion sputtering) αsis определяется как отношение массы вещества, распыляемого в единицу времени с площади Sw обрабатываемого в системе материала msis, к подводимой электрической мощности Ws:
αsis = msis/Ws, г/Дж. (20)
С учетом того, что msis = mpis∙Sw = αpis∙wpis∙Sw =
= αpis∙ji∙Ui∙Sw = αpis∙Ii∙Ui, где Ii – ионный ток распыляемого в системе материала, формулу (20) можно переписать в виде:
αsis = αpis(Ei)∙[Ii∙Ui/Ws]. (21)
Из выражения (21) следует, что энергетическая эффективность системы ИРТ зависит от произведения энергетической эффективности реализуемого в ней процесса распыления (αpis) на коэффициент преобразования подводимой к системе мощности в мощность, непосредственно затрачиваемую на процесс распыления (β = Ii∙Ui/Ws). Из-за разных операционных параметров и конструкций систем ИРТ значения ионного тока и ускоряющего ионы напряжения могут быть различными при одинаковых значениях подводимой к системе мощности.
Анализ источников обычной плазмы [11] показал, что сегодня из всех систем ИРТ наибольшая энергетическая эффективность у магнетронных систем постоянного тока αsis = (2,1–2,3)∙10-6 г/Дж по меди. В этих системах максимальная энергетическая эффективность процесса ионного распыления материала αpis = (3,0–3,8)∙10-6 г/Дж по меди сочетается с высоким коэффициентом преобразования подводимой к системе мощности в мощность, затрачиваемую на процесс распыления β = 0,6–0,7.
В середине 1990-х годов необходимость увеличения скорости распыления (или травления), т.е. плотности ионного тока на мишень (или подложку), а также требование повышения анизотропии и качества обработки функциональных слоев привели к замене традиционных источников плазмы. Так, вместо ВЧ емкостных и магнетронных систем, работающих при давлениях в диапазоне 5,0–50 Па, стали применять источники ПВП (> 1011 см-3), создаваемой при давлениях менее 1 Па. Сегодня подобные источники ПВП классифицируются на следующие основные группы [5]:
системы на основе СВЧ или микроволновой плазмы на электронном циклотронном резонансе (ЭЦР) (Electron Cyclotron Resonance, ECR). К ним относятся также источники на распределенном ЭЦР (Distributed Electron Cyclotron Resonance, DECR) и источники на однородном распределенном ЭЦР (Uniform Distributed Electron Cyclotron Resonance, UDECR);
геликонные источники, в которых ВЧ-плазма возбуждается с помощью специальных внешних антенн, генерирующих объемные волны геликонного типа, обеспечивающие эффективную передачу в плазму полезной мощности без ограничений из-за глубины сканирования;
системы на основе ВЧ индукционного (трансформаторного) разряда, к которым относятся источники с индуктивно-связанной плазмой (ИСП) цилиндрического типа (с цилиндрической антенной), источники с ИСП плоского типа (с плоской спиральной антенной), часто называемые системами с трансформаторно-связанной плазмой (ТСП) (Transformer Coupled Plasma, TCP) и источники на основе ВЧ индукционного разряда с нейтральным контуром (Neutral Loop Discharge, NLD).
В настоящее время системы с ПВП, работающие при низких давлениях, кроме реализации процессов ионного травления и распыления, широко используются для [5–7]:
реактивного ионно-плазменного травления (РИПТ) (Reactive Ion Etching, RIE), реактивного ионно-лучевого травления (РИЛТ) (Reactive Ion Beam Etching, RIBE), плазмохимического травления (ПХТ) (Plasma Etching, PE), ионно-стимулированного газового травления (ИСГТ) (Ion Enhanced Gas Etching, IEGE);
ионно-стимулированного осаждения термически испаренных или физически распыленных материалов (Ion Enhanced Physical Vapor Deposition, IE PVD);
плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы (ПС ХОГФ) (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE CVD), плазмостимулированного осаждения атомных слоев из газовой фазы (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PE ALD);
плазменной низкоэнергетической ионной имплантации (Plasma Immersed Ion Implantation, PIII) и ионной модификации (ion modification) поверхностных слоев материалов;
плазмостимулированной (ионно-стимулированной) диффузии (Plasma (ion) Enhanced Diffusion, PED);
плазмостимулированного газового окисления или азотирования (Plasma Enhanced Gas Oxidation or Nitration).
Во всех рассмотренных процессах основной параметр систем ПВП, определяющий скорость процессов и производительность оборудования, – плотность ионного тока насыщения на подложкодержатель jis, рассчитываемая по формуле [25]:
jis = [0,52∙e∙ni∙(k∙Te)1/2]/(Mi)1/2, мА/см2 , (22)
где e – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; Mi – масса иона аргона, Te – температура электронов; ni – концентрация ионов.
Поэтому оценивать системы ПВП низкого давления (табл.3), используемые для реализации рассматриваемых технологических процессов, следует на основе их энергетической эффективности по ионному току αsi, определяемой как отношение ионного тока насыщения на подложкодержатель (пластину) Iis к мощности, приложенной к плазменной системе, Ws:
αsi = Iis/Ws = jis·Sw/Ws = jis·π∙Dw2/4Ws, мА/Вт, (23)
где jis·Sw = Iis, Sw = π∙Dw2/4 – площадь пластины, Dw – диаметр пластины.
Из табл.3 видно, что по энергетической эффективности по ионному току αsi все известные зарубежные и отечественные системы генерации ПВП значительно (в 3–3,5 раза) уступают, разработанной и запатентованной системе с трансформаторно-связанной плазмой (ТСП) компании "ЭСТО – Вакуум".
Таким образом, специальное технологическое оборудование на основе универсального, легко масштабируемого и энергосберегающего источника плазмы высокой плотности компании "ЭСТО – Вакуум" при равных экономических показателях, определяемых государством, будет конкурентоспособно и иметь большой спрос на мировом рынке. Установка может быть использована для выполнения таких уникальных технологических процессов как очистка, травление, проявление, нанесение пленок, модификации и имплантации материалов и функциональных слоев ИМС.
Источник плазмы (ионов) высокой плотности компании "ЭСТО – Вакуум" может быть выполнен в нескольких конструктивных вариантах, обеспечивающих травление материала на подложке, нанесение материала на подложку и модификацию поверхностных слоев материала на подложке [16, 17, 26]. На основе таких конструктивных вариантов возможна эффективная разработка модулей кластерного оборудования разного функционального назначения. Кластерное оборудование может содержать одну или несколько универсальных камер загрузки-выгрузки пластин и процессные модули, пристыкованные к универсальному транспортному модулю, с объединенной вакуумной системой и системой управления. Именно набор процессных модулей и их совершенство определяют технологические возможности, качество, назначение и рынки сбыта кластерного оборудования. Часто, но не всегда, число процессных модулей соответствует числу операций, необходимых для формирования законченной системы, узла микросхемы или наноприбора, например системы металлизации ИМС или узла датчиков наноэлектромеханической системы.
Энергетическая эффективность генерации ионов кластерной установки с несколькими процессными модулями на основе различных конструктивных вариантов уникального источника плазмы компании "ЭСТО – Вакуум" в сравнении с обычным оборудованием с одним процессным модулем будет намного выше, чем у всех известных мировых аналогов. Это позволит интегрировано реализовывать такие уникальные, высокоразрешающие и энергосберегающие технологические процессы, как:
нанесение слоев и покрытий различных материалов с управляемыми теплофизическими и физико-химическими свойствами;
очистка, модификация и имплантация поверхности различных материалов с целью придания им требуемых физико-химических свойств;
высокоразрешающее (с субстананометровым разрешением) травление и проявление различных материалов в маршрутах современной фотолитографии и наноимпринт литографии;
глубокое реактивное ионное травление в маршрутах микронаноприборов с трехмерной интеграцией;
перечисленные выше технологические процессы обработки кремниевых пластин диаметром 450 мм.
Литература
Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. – М.:ФГУП "ЦНИИХМ", 2008.
Модель Aspen II Strip. Рекламные материалы фирмы Mattson Technology Inc., США. – www.mattson.com/technology.asp.
Модель BobCat 208. Рекламные материалы фирмы Matrix Integrated Systems Inc., США. – www.gomatrix.com.
Гомжин И., Гликсон Б., Гущин О. и др. Автоматическая установка удаления фоторезиста "Плазма 150А". – Электроника: НТБ, 2003, № 6.
High density plasma sources: Design, Physics and Performance./edited by Popov O.A.– Noyes Publication, New Jersey, USA, 1995.
Киреев В., Столяров А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. – М. Техносфера, 2006.
Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. – М.: Энергоатомиздат, 1987.
Киреев В.Ю. Вакуумная газо-плазменная обработка – Инженерный журнал. Справочник, 1999, №2 (23).
Ворончев Т.А., Соболев В.Д. Физические основы электровакуумной техники. – М.: Высшая школа, 1967.
Киреев В.Ю., Пашков В.Ю., Сологуб В.А. и др. Проблемы выбора конструкционных материалов реакторов плазмохимического травления. – Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1991, вып. 6 (145).
Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Сырчин В.К. Энергетическая эффективность процесса ионного распыления материалов и систем для его реализации. – Физика и химия обработки материалов, 1979, №2, с.52–56.
Плешивцев Н.В. Катодное распыление. – М.: Атомиздат, 1968.
Sigmund P. Theory of Sputtering. – Phys. Rev., 1969, v.184, №2.
Технология тонких пленок. Справочник/Под ред. Майссела Л. и Глэнга Р., т.1. – М.: Советское радио, 1977.
Плешивцев Н.В., Бажин А.И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. – М.: Вузовская книга, 1998.
Берлин Е.В. Высокочастотный газоразрядный источник ионов высокой плотности с низкоимпедансной антенной. – Патент РФ №2171555 от 06.03.2000 г.
Берлин Е., Двинин С., Морозовский Н. и др. Реактивное ионно-плазменное травление и осаждение. Установка "Каролина 15". – Электроника: НТБ, 2003, №2.
Uchida T., Hamaguchi S. Magnetic neutral loop discharge (NDL) plasmas for surface processing. – J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, v.41.
Gans T., Crintea D.L., O’Connell D. A planar inductively coupled radio-frequency magnetic neutral loop discharge. - J. Phys. D: Appl. Phys., 2007, v.40.
Рекламный материал фирмы Alcatel Micro Machining Systems – AMMS (Франция) на установку травления с плоской ВЧ-системой и трансформаторно-связанной плазмой.
Aanesland A., Charles C., Boswell R.W. et al. Helicon plasma with additional immersed antenna. – J. Phys. D: Appl. Phys., 2004, v.37.
Слободян В.М., Вирко В.Ф., Кириченко Г.С. и др. Геликонный разряд, возбуждаемый плоской антенной вдоль магнитного поля. – Труды международного семинара "Импульсные мощные ускорители и технологии", 2003, Харьков, Украина.
Рекламный материал фирмы Oxford Instruments Plasma Technology" (Великобритания) на установку травления с цилиндрической ВЧ-системой и индуктивно-связанной плазмой.
Шаповал С.Ю. Применение ЭЦР-плазмы в технологии наноструктур. – Материалы Всероссийской научной конференции по физике низкотемпературной плазмы. ФНТП-2004, Петрозаводск 28–30 июня 2004, т.2.
Райзер Ю.П. Физика газового разряда: Учебное руководство. – М.: Наука, 1987.
Берлин Е.В. Способ нанесения металлического покрытия на диэлектрическую подложку и устройство для его осуществления. – Патент РФ №2285742 от 27.07.2004 г.
COM = (FС+RС+LС)/(tcal·U·N·Yw), (1)
долл./пластина
COM = (FС+RС+LС)/(tcal·U·N·Yw∙Yc/w),
долл./кристалл, (2)
где FС – фиксированные расходы за срок службы оборудования (время жизни оборудования или время полной амортизации его стоимости обычно принимается равным пяти годам), используемого в производстве изделий. Включают стоимость самого оборудования, затраты на его установку, технологические испытания, на обучение персонала, установку системы экологической безопасности (скруббера или фильтра) и стоимость площади помещения, занимаемого оборудованием;
RС – периодические расходы за срок службы оборудования на производство изделий. Включают стоимость расходных материалов, реагентов, электроэнергии, запчастей, затраты на обслуживание и заработную плату, а также затраты на расходные материалы, энергоносители и обслуживание системы экологической безопасности;
LС – расходы за срок службы оборудования на потери изделий (пластин и кристаллов) в результате их повреждения (поломок, загрязнений), которые непосредственно связаны с уровнем совершенства характеристик оборудования;
tcal – общее календарное время работы оборудования (в часах) за срок его службы;
tpr – время, в течение которого оборудование обрабатывает пластины;
U – коэффициент использования оборудования, равный tpr/tcal (значение U для эффективного производства обычно составляет 85%);
N – производительность оборудования, измеряемая числом обрабатываемых пластин в час;
Yw – выход годных пластин с оборудования;
Yc/w – выход годных кристаллов с пластины (chips per wafer).
Суммарная экономическая эффективность операций и оборудования при производстве изделий микроэлектроники, задаваемая формулами (1) и (2), зависит от двух факторов:
параметров установки и проводимой на ней операции, зависящих от опыта, квалификации и таланта ученых, конструкторов и технологов;
показателей, определяемых государством, к которым относятся цены, налоги и пошлины на потребляемые расходные материалы, реагенты, тепловую и электрическую энергию, а также налоги на заработную плату и выпускаемую продукцию, налоги и/или арендная плата за помещения и землю.
Поскольку себестоимость микроэлектронной, а в принципе и любой, продукции зависит от технических параметров оборудования и государственно-финансовых показателей, можно выделить две особенности развития высокотехнологичного производства в России.
Первая – более высокая себестоимость изготовления изделий на новой отечественной установке, чем на импортных аналогах, несмотря на то, что отечественная установка по техническим и технологическим параметрам может превосходить импортные на 20%. Это связано с более высокими (более чем на 20%) ценами, налогами и пошлинами на используемые материалы, реагенты и инфраструктуру в сравнении с зарубежными. Таким образом, несмотря на техническое и технологическое совершенство новая отечественная установка не будет конкурентоспособной на мировом рынке и не сможет стать основой конкурентоспособного производства изделий в России. Обычные меры, предпринимаемые для выхода из такого положения: продажа патента зарубежной конкурирующей компании, заключение с разработчиками установки контракта на работу за рубежом в конкурирующей компании или покупка установки инвесторами с организацией производства за рубежом.
Вторая особенность заключается в том, что при закупке импортного оборудования и технологии для производства микроэлектронных изделий российское предприятие вынуждено покупать кремниевые пластины, расходные материалы и реагенты за рубежом. В результате с учетом налога на добавленную стоимость и таможенных пошлин отечественная продукция микроэлектроники в лучшем случае на 30% дороже мировых аналогов. Российскую политику в области развития собственного производства оборудования и изделий в сфере высоких технологий оставим на профессиональной репутации и совести государственных чиновников. Подчеркнем при этом, что правительства всех промышленно и информационно развитых стран мира всегда оказывали помощь (налоговыми и таможенными льготами, дотациями и т.п.) своим высокотехнологичным компаниям для выхода на мировые рынки.
Для характеристики технической и технологической эффективности оборудования и операций производства ИМС можно ввести следующие критерии.
1. Энергетическая эффективность установки и проводимой на ней операции αte, определяемая отношением числа годных пластин или кристаллов, обработанных на установке в единицу времени, к значению потребляемой ею электрической мощности Wt:
αte = (N∙Yw)/Wt, пластин/кВт∙ч, (3)
αte = (N∙Yw∙Yc/w)/Wt, кристалл/кВт∙ч. (4)
2. Эффективность использования газа (реагента) в ходе проводимой операции αtg, равная отношению числа годных пластин или кристаллов, обработанных на установке в единицу времени, к объему расходуемого газа (реагента) Qt, подводимого к установке:
αtg = (N∙Yw)/Qt, пластин/л, (5)
αtg = (N∙Yw∙Ywc)/Qt, кристалл/л. (6)
Расход подводимого к установке газа Qt при давлении p и температуре T измеряется в стандартных литрах в час и определяется по формуле Qt = Qst∙pst∙T/(p∙Tst), где Qst – расход газа при стандартных условиях – pst = 1 атм. (101325 Па) и Tst = 25°C (298,16K).
По формулам (5) и (6) можно определять эффективность (т.е. рассчитывать расход газа на одну годную пластину или кристалл) использования различных газов и реагентов в виде пара и жидкости, а также эффективность применения охлаждающих жидкостей (например, деионизованной воды) и вспомогательных газов (например, сжатого воздуха). Расход твердых материалов, например мишеней для магнетронного распыления, определяется, исходя из числа годных пластин или кристаллов на единицу массы (например, 1 г) расхода мишени.
Для оценки эффективности использования газов и реагентов рассмотрим операционные и технологические параметры трех установок безрадиационного удаления фоторезиста (ФР) в потоке химически активных частиц (ХАЧ), генерируемых источником плазмы высокой плотности (ПВП) (high density plasma, HDP), при поштучной обработке пластин (табл.1) [2–4].
В отличие от обычной плазмы, в которой концентрация электронов (ne) и ионов (ni) лежит в диапазоне (109–1010) см-3, концентрация заряженных частиц в ПВП ne = ni ≥ 1011 см-3. Причем системы с ПВП могут работать в очень широком диапазоне давлений – от сотен единиц до десятых долей паскаля (Па) [5]. В установках, рассмотренных в табл.1, источники генерируют ПВП при давлениях 67–266 Па.
Как видно из табл.1, энергетическая эффективность установки удаления фоторезиста Aspen II Strip больше, а эффективность использования рабочего газа та же, что и установки удаления фоторезиста BobCat 208. Тогда как отечественная установка Плазма 150А значительно уступает обеим зарубежным системам по этим показателям.
За время эксплуатации (за срок службы) оборудование удаления фоторезиста обычно обрабатывает около 5 млн. пластин. Таким образом, установка Aspen II Strip по сравнению с установкой Плазма 150А за срок службы потратит на 585·103 кВт·ч и на 20,55·103 кубометров газа (или на 3400 40-литровых 150-атмосферных баллонов) меньше, что в денежном выражении составит экономию в десятки миллионов рублей.
Особенно наглядно более детальное сравнение установок Aspen II Strip и Плазма 150А, так как в них используются одинаковые источники на основе индукционно-связанной плазмы высокой плотности, которую генерируют ВЧ-генераторы одинаковой мощности Ws = 1200 Вт и частоты f = 13,56 МГц. При этом используется один и тот же рабочий газ с одинаковыми диапазонами расхода и рабочего давления. Одинаков и диапазон температуры подложкодержателя (см. табл.1). В рассматриваемых установках пленка органического фоторезиста удаляется с помощью спонтанных реакций ХАЧ (свободных атомов и радикалов), к которым в первую очередь относится атомарный кислород O¨ (атомарный кислород с двумя неспаренными валентными электронами). O¨ образуется в результате диссоциации молекулы озона O3 при адсорбции на поверхности материалов, согласно реакции O3 = O2 + O¨ [6]. Скорость спонтанного химического травления (СХТ) материала в результате химической реакции в режиме не лимитированной доставки ХАЧ определяется как [7, 8]:
vet = εcr∙Ycr∙qr/σm =εcr∙Ycr∙nr∙(k∙Tr/2π∙mr)1/2/σm, см/с, (7)
где εcr = ccr∙exp(-Eact/k∙Tm) – вероятность спонтанной химической реакции; Ycr – коэффициент удаления материала в результате спонтанной химической реакции травления (атом/ХАЧ) (для реакции C + 2O¨ → CO2 Ycr = 0,5 атом/ХАЧ); σm = (ρm∙NA)/Am – атомная плотность материала (атом/см3); qr = 1/4nr∙vr – плотность потока ХАЧ, падающего на поверхность материала в единицу времени, (ХАЧ/см2∙с); сcr – предэкспоненциальный множитель, независящий от температуры; Тm – температура поверхности обрабатываемого материала (в хорошо сконструированных системах эта температура практически не отличается от температуры подложкодержателя, т.е. Тm = Тs); k – постоянная Больцмана; Eact – энергия активации спонтанной химической реакции травления; ρm и Am – плотность (г/см3) и атомная масса (г/моль) материала, соответственно; NA – число Авогадро (атом/моль); nr и vr = (8k∙Tr/π∙mr)1/2 – концентрация ХАЧ (ХАЧ/см3) и их средняя тепловая скорость (см/с), соответственно; Tr и mr – температура и масса ХАЧ, соответственно.
Для выявления различий в процессах и плазменных системах СХТ установок Aspen II Strip и Плазма 150А введены следующие критерии.
1. Энергетическая эффективность процесса СХТ αpet, определяемая как отношение массы вещества (mpet), удаляемого в единицу времени с единицы площади обрабатываемого материала, к плотности мощности wpet, затрачиваемой на реализацию процесса травления:
αpet = mpet/wpet, г/Дж, (8)
где масса вещества mpet, удаляемого в единицу времени с единицы площади, определяется как
mpet = vet∙ρm, г/(см2∙с), (9)
а плотность мощности wpet, затрачиваемая на реализацию процесса СХТ материала, как
wpet = qr∙2∙k∙Tr, Вт/см2 [9]. (10)
Подставляя выражения (9) и (10) в формулу (8), получим:
αpet = vet∙ρm/wpet = vet∙ρm/(2qr∙k∙Tr). (11)
2. Энергетическая эффективность плазменной системы СХТ αset – отношение массы вещества (ms), удаляемого ХАЧ в единицу времени с площади обрабатываемого материала Sw, к подводимой к системе электрической мощности Ws:
αset = ms/Ws = vet∙ρm∙Sw/Ws, г/Дж. (12)
С учетом того, что ms = mpet∙Sw = αpet∙wpet∙Sw = = αpet∙Wpet, где Wpet – мощность, затрачиваемая на реализацию процесса СХТ материала, уравнение (12) можно записать в виде:
αset = αpet∙Wpet/Ws. (13)
Из выражения (13) следует, что энергетическую эффективность плазменной системы СХТ определяет произведение энергетической эффективности реализуемого в ней процесса спонтанного химического травления (αpet) на коэффициент преобразования подводимой к системе мощности в мощность, непосредственно затрачиваемую на процесс СХТ материала χ = Wpet/Ws.
Из приведенных в табл.1 значений энергетической эффективности плазменной системы, рассчитанных по формуле (12), следует, что энергетическая эффективность установки Aspen II Strip в 2,4 и в 2,5 раза выше, чем установок Плазма 150А и BobCat 208, соответственно. Следует особо подчеркнуть, что, несмотря на более высокую энергетическую эффективность плазменной системы установки Плазма 150А в сравнении с плазменной системой на основе микроволновой плазмы (MWP) установки BobCat 208, эффективность использования электроэнергии и рабочего газа в целом у установки BobCat 208 значительно выше (см. табл.1). Это означает, что в отечественной установке используется более энерго- и материалоемкие компоненты (насосы, приводы, клапаны, нагреватели, блоки питания и др.), а покрытие внутрикамерных элементов в плазменной и реакционной зонах не оптимально.
Различие энергетической эффективности плазменных систем рассматриваемых установок может быть обусловлено двумя причинами. Во-первых, разными значениями коэффициента преобразования χ. Во-вторых, применением различных материалов покрытий внутрикамерных элементов реакторов, которые определяют скорость гибели и концентрацию ХАЧ в зонах генерации плазмы и обработки пластин [10].
Подставив выражение (7) в формулу (11) и проведя преобразования, получим:
αpet = b∙(exp[-Eact/k∙Tm]/Tr), (14)
где b = ccr∙Ycr∙Am/(2∙k∙NA) (г∙K/Дж) – коэффициент, независящий от температуры обрабатываемого материала Tm и от температуры ХАЧ Tr.
Из выражения (14) следует, что энергетическая эффективность процесса СХТ материала зависит от энергии активации реакции спонтанного травления материала конкретным ХАЧ Eact, температуры материала Tm и температуры ХАЧ Tr.
Источники генерации как обычной плазмы, так и плазмы высокой плотности (ПВП) могут быть также успешно использованы для проведения процессов ионного (физического) распыления и травления различных материалов. Сравнение энергетической эффективности такого процесса в различных системах ионного распыления и травления (ИРТ), а также энергетической эффективности самих систем ИРТ можно провести, используя два основных критерия [11].
1. Энергетическая эффективность процесса ионного распыления (ion sputtering process) αpis, пределяемая массой вещества mpis, распыляемого в единицу времени с единицы площади, отнесенной к плотности мощности wpis, затрачиваемой на реализацию процесса распыления
αpis = mpis/wpis, г/Дж. (15)
Значение
wpis = ji∙Ui [Вт/см2], (16)
где ji – плотность ионного тока на поверхности распыляемого материала (А/см2); Ui – напряжение, ускоряющее ионы (В). Энергия бомбардирующих материал однозарядовых ионов равна Ei = e∙Ui, где e – заряд электрона (Кл).
В случае распыления материала однозарядовыми ионами
mpis = Ys(Ei)∙Am∙ji/(NA∙e), г/с∙см2, (17)
где Ys(Ei) – коэффициент распыления (КР) при энергии ионов Ei (атом/ион); Am – атомная масса материала (г/моль); NA – число Авогадро (атом/моль). Подставляя выражения (16) и (17) в формулу (15), получим:
αpis(Ei) = [Ys(Ei)/Ei]∙[Am/NA], г/Дж. (18)
Из выражения (18) следует, что энергетическая эффективность процесса ионного распыления определяется зависимостью КР от энергии ионов и обратно пропорциональна самой энергии ионов. Расчетные [11] и экспериментально полученные [12] зависимости Ys(Ei)/Ei и αpis(Ei) от энергии ионов аргона при распылении любых материалов имеют максимум в диапазоне энергий (4,8–8,0)∙10-17 Дж или 300–500 эВ. Это означает, что в этом диапазоне энергетическая эффективность процесса ионного распыления максимальна, т.е. максимальна доля энергии ионов, расходуемой на процесс распыления материала. Увеличение энергии ионов выше этого диапазона вызывает рост КР материала, но доля энергии, расходуемой на процесс распыления, уменьшается в большей степени, и в результате энергетическая эффективность процесса распыления снижается. Такие зависимости наблюдаются при распылении различных материалов разными ионами и являются общими энергетическими характеристиками процесса ионного распыления.
Значение энергии ионов Ei*, которое соответствует максимальной энергетической эффективности процесса ионного распыления материала (табл.2), по расчетам ученых Исследовательского центра Министерства энергетики США – Аргонской национальной лаборатории, – равно [13]:
Ei* = 515∙[a2∙Zi∙Za∙(mi + ma)]/ma, (19)
где a = 0,8853∙a0∙(Zi2/3 + Za2/3)-1/2 – характерный радиус экранирующего электронного облака по модели Томаса–Ферми; a0 = 5,29∙10-11 (м) – радиус атома водорода по Бору; Zi, Za, mi, ma – атомные номера и массы бомбардирующего иона и атома распыляемого материала (материала мишени), соответственно. Полученные значения хорошо согласуются с экспериментальными данными [7, 12, 14, 15].
2. Энергетическая эффективность системы ионного распыления (system ion sputtering) αsis определяется как отношение массы вещества, распыляемого в единицу времени с площади Sw обрабатываемого в системе материала msis, к подводимой электрической мощности Ws:
αsis = msis/Ws, г/Дж. (20)
С учетом того, что msis = mpis∙Sw = αpis∙wpis∙Sw =
= αpis∙ji∙Ui∙Sw = αpis∙Ii∙Ui, где Ii – ионный ток распыляемого в системе материала, формулу (20) можно переписать в виде:
αsis = αpis(Ei)∙[Ii∙Ui/Ws]. (21)
Из выражения (21) следует, что энергетическая эффективность системы ИРТ зависит от произведения энергетической эффективности реализуемого в ней процесса распыления (αpis) на коэффициент преобразования подводимой к системе мощности в мощность, непосредственно затрачиваемую на процесс распыления (β = Ii∙Ui/Ws). Из-за разных операционных параметров и конструкций систем ИРТ значения ионного тока и ускоряющего ионы напряжения могут быть различными при одинаковых значениях подводимой к системе мощности.
Анализ источников обычной плазмы [11] показал, что сегодня из всех систем ИРТ наибольшая энергетическая эффективность у магнетронных систем постоянного тока αsis = (2,1–2,3)∙10-6 г/Дж по меди. В этих системах максимальная энергетическая эффективность процесса ионного распыления материала αpis = (3,0–3,8)∙10-6 г/Дж по меди сочетается с высоким коэффициентом преобразования подводимой к системе мощности в мощность, затрачиваемую на процесс распыления β = 0,6–0,7.
В середине 1990-х годов необходимость увеличения скорости распыления (или травления), т.е. плотности ионного тока на мишень (или подложку), а также требование повышения анизотропии и качества обработки функциональных слоев привели к замене традиционных источников плазмы. Так, вместо ВЧ емкостных и магнетронных систем, работающих при давлениях в диапазоне 5,0–50 Па, стали применять источники ПВП (> 1011 см-3), создаваемой при давлениях менее 1 Па. Сегодня подобные источники ПВП классифицируются на следующие основные группы [5]:
системы на основе СВЧ или микроволновой плазмы на электронном циклотронном резонансе (ЭЦР) (Electron Cyclotron Resonance, ECR). К ним относятся также источники на распределенном ЭЦР (Distributed Electron Cyclotron Resonance, DECR) и источники на однородном распределенном ЭЦР (Uniform Distributed Electron Cyclotron Resonance, UDECR);
геликонные источники, в которых ВЧ-плазма возбуждается с помощью специальных внешних антенн, генерирующих объемные волны геликонного типа, обеспечивающие эффективную передачу в плазму полезной мощности без ограничений из-за глубины сканирования;
системы на основе ВЧ индукционного (трансформаторного) разряда, к которым относятся источники с индуктивно-связанной плазмой (ИСП) цилиндрического типа (с цилиндрической антенной), источники с ИСП плоского типа (с плоской спиральной антенной), часто называемые системами с трансформаторно-связанной плазмой (ТСП) (Transformer Coupled Plasma, TCP) и источники на основе ВЧ индукционного разряда с нейтральным контуром (Neutral Loop Discharge, NLD).
В настоящее время системы с ПВП, работающие при низких давлениях, кроме реализации процессов ионного травления и распыления, широко используются для [5–7]:
реактивного ионно-плазменного травления (РИПТ) (Reactive Ion Etching, RIE), реактивного ионно-лучевого травления (РИЛТ) (Reactive Ion Beam Etching, RIBE), плазмохимического травления (ПХТ) (Plasma Etching, PE), ионно-стимулированного газового травления (ИСГТ) (Ion Enhanced Gas Etching, IEGE);
ионно-стимулированного осаждения термически испаренных или физически распыленных материалов (Ion Enhanced Physical Vapor Deposition, IE PVD);
плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы (ПС ХОГФ) (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE CVD), плазмостимулированного осаждения атомных слоев из газовой фазы (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PE ALD);
плазменной низкоэнергетической ионной имплантации (Plasma Immersed Ion Implantation, PIII) и ионной модификации (ion modification) поверхностных слоев материалов;
плазмостимулированной (ионно-стимулированной) диффузии (Plasma (ion) Enhanced Diffusion, PED);
плазмостимулированного газового окисления или азотирования (Plasma Enhanced Gas Oxidation or Nitration).
Во всех рассмотренных процессах основной параметр систем ПВП, определяющий скорость процессов и производительность оборудования, – плотность ионного тока насыщения на подложкодержатель jis, рассчитываемая по формуле [25]:
jis = [0,52∙e∙ni∙(k∙Te)1/2]/(Mi)1/2, мА/см2 , (22)
где e – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; Mi – масса иона аргона, Te – температура электронов; ni – концентрация ионов.
Поэтому оценивать системы ПВП низкого давления (табл.3), используемые для реализации рассматриваемых технологических процессов, следует на основе их энергетической эффективности по ионному току αsi, определяемой как отношение ионного тока насыщения на подложкодержатель (пластину) Iis к мощности, приложенной к плазменной системе, Ws:
αsi = Iis/Ws = jis·Sw/Ws = jis·π∙Dw2/4Ws, мА/Вт, (23)
где jis·Sw = Iis, Sw = π∙Dw2/4 – площадь пластины, Dw – диаметр пластины.
Из табл.3 видно, что по энергетической эффективности по ионному току αsi все известные зарубежные и отечественные системы генерации ПВП значительно (в 3–3,5 раза) уступают, разработанной и запатентованной системе с трансформаторно-связанной плазмой (ТСП) компании "ЭСТО – Вакуум".
Таким образом, специальное технологическое оборудование на основе универсального, легко масштабируемого и энергосберегающего источника плазмы высокой плотности компании "ЭСТО – Вакуум" при равных экономических показателях, определяемых государством, будет конкурентоспособно и иметь большой спрос на мировом рынке. Установка может быть использована для выполнения таких уникальных технологических процессов как очистка, травление, проявление, нанесение пленок, модификации и имплантации материалов и функциональных слоев ИМС.
Источник плазмы (ионов) высокой плотности компании "ЭСТО – Вакуум" может быть выполнен в нескольких конструктивных вариантах, обеспечивающих травление материала на подложке, нанесение материала на подложку и модификацию поверхностных слоев материала на подложке [16, 17, 26]. На основе таких конструктивных вариантов возможна эффективная разработка модулей кластерного оборудования разного функционального назначения. Кластерное оборудование может содержать одну или несколько универсальных камер загрузки-выгрузки пластин и процессные модули, пристыкованные к универсальному транспортному модулю, с объединенной вакуумной системой и системой управления. Именно набор процессных модулей и их совершенство определяют технологические возможности, качество, назначение и рынки сбыта кластерного оборудования. Часто, но не всегда, число процессных модулей соответствует числу операций, необходимых для формирования законченной системы, узла микросхемы или наноприбора, например системы металлизации ИМС или узла датчиков наноэлектромеханической системы.
Энергетическая эффективность генерации ионов кластерной установки с несколькими процессными модулями на основе различных конструктивных вариантов уникального источника плазмы компании "ЭСТО – Вакуум" в сравнении с обычным оборудованием с одним процессным модулем будет намного выше, чем у всех известных мировых аналогов. Это позволит интегрировано реализовывать такие уникальные, высокоразрешающие и энергосберегающие технологические процессы, как:
нанесение слоев и покрытий различных материалов с управляемыми теплофизическими и физико-химическими свойствами;
очистка, модификация и имплантация поверхности различных материалов с целью придания им требуемых физико-химических свойств;
высокоразрешающее (с субстананометровым разрешением) травление и проявление различных материалов в маршрутах современной фотолитографии и наноимпринт литографии;
глубокое реактивное ионное травление в маршрутах микронаноприборов с трехмерной интеграцией;
перечисленные выше технологические процессы обработки кремниевых пластин диаметром 450 мм.
Литература
Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. – М.:ФГУП "ЦНИИХМ", 2008.
Модель Aspen II Strip. Рекламные материалы фирмы Mattson Technology Inc., США. – www.mattson.com/technology.asp.
Модель BobCat 208. Рекламные материалы фирмы Matrix Integrated Systems Inc., США. – www.gomatrix.com.
Гомжин И., Гликсон Б., Гущин О. и др. Автоматическая установка удаления фоторезиста "Плазма 150А". – Электроника: НТБ, 2003, № 6.
High density plasma sources: Design, Physics and Performance./edited by Popov O.A.– Noyes Publication, New Jersey, USA, 1995.
Киреев В., Столяров А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. – М. Техносфера, 2006.
Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. – М.: Энергоатомиздат, 1987.
Киреев В.Ю. Вакуумная газо-плазменная обработка – Инженерный журнал. Справочник, 1999, №2 (23).
Ворончев Т.А., Соболев В.Д. Физические основы электровакуумной техники. – М.: Высшая школа, 1967.
Киреев В.Ю., Пашков В.Ю., Сологуб В.А. и др. Проблемы выбора конструкционных материалов реакторов плазмохимического травления. – Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1991, вып. 6 (145).
Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Сырчин В.К. Энергетическая эффективность процесса ионного распыления материалов и систем для его реализации. – Физика и химия обработки материалов, 1979, №2, с.52–56.
Плешивцев Н.В. Катодное распыление. – М.: Атомиздат, 1968.
Sigmund P. Theory of Sputtering. – Phys. Rev., 1969, v.184, №2.
Технология тонких пленок. Справочник/Под ред. Майссела Л. и Глэнга Р., т.1. – М.: Советское радио, 1977.
Плешивцев Н.В., Бажин А.И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. – М.: Вузовская книга, 1998.
Берлин Е.В. Высокочастотный газоразрядный источник ионов высокой плотности с низкоимпедансной антенной. – Патент РФ №2171555 от 06.03.2000 г.
Берлин Е., Двинин С., Морозовский Н. и др. Реактивное ионно-плазменное травление и осаждение. Установка "Каролина 15". – Электроника: НТБ, 2003, №2.
Uchida T., Hamaguchi S. Magnetic neutral loop discharge (NDL) plasmas for surface processing. – J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, v.41.
Gans T., Crintea D.L., O’Connell D. A planar inductively coupled radio-frequency magnetic neutral loop discharge. - J. Phys. D: Appl. Phys., 2007, v.40.
Рекламный материал фирмы Alcatel Micro Machining Systems – AMMS (Франция) на установку травления с плоской ВЧ-системой и трансформаторно-связанной плазмой.
Aanesland A., Charles C., Boswell R.W. et al. Helicon plasma with additional immersed antenna. – J. Phys. D: Appl. Phys., 2004, v.37.
Слободян В.М., Вирко В.Ф., Кириченко Г.С. и др. Геликонный разряд, возбуждаемый плоской антенной вдоль магнитного поля. – Труды международного семинара "Импульсные мощные ускорители и технологии", 2003, Харьков, Украина.
Рекламный материал фирмы Oxford Instruments Plasma Technology" (Великобритания) на установку травления с цилиндрической ВЧ-системой и индуктивно-связанной плазмой.
Шаповал С.Ю. Применение ЭЦР-плазмы в технологии наноструктур. – Материалы Всероссийской научной конференции по физике низкотемпературной плазмы. ФНТП-2004, Петрозаводск 28–30 июня 2004, т.2.
Райзер Ю.П. Физика газового разряда: Учебное руководство. – М.: Наука, 1987.
Берлин Е.В. Способ нанесения металлического покрытия на диэлектрическую подложку и устройство для его осуществления. – Патент РФ №2285742 от 27.07.2004 г.
Отзывы читателей
