eng
Выпуск #6/2013
И.Романова
Отечественная СВЧ -электроника. 70 лет развития. По материалам конференции
Отечественная СВЧ -электроника. 70 лет развития. По материалам конференции
Просмотры: 4675
15–16 мая 2013 года во Фрязино состоялась юбилейная научно-техническая конференция, посвященная 70-летию ФГУП "НПП "Исток". Помимо большого коллектива сотрудников НПП "Исток" в конференции приняли участие специалисты ведущих предприятий Москвы, С.-Петербурга, представители СО РАН и многие другие. На конференции рассматривались вопросы развития электровакуумных и полупроводниковых СВЧ-приборов, проблемы сборки оборудования на их основе, применяемые технологи и материалы.
Теги: microwave semiconductor devices new vacuum devices новые электровакуумные лампы полупроводниковые приборы миллиметрового диапазона
НПП "Исток" было основано в 1943 году как базовое предприятие по разработке и выпуску электронных приборов СВЧ для всех видов связи и радиолокации. В дальнейшем "Исток" стал не только центром отечественной СВЧ-электроники, но и родоначальником ряда крупных предприятий в Москве, Саратове, Ростове-на-Дону, Полтаве, Киеве и др.
"Истоку" принадлежит мировой приоритет в открытии лавинно-пролетного эффекта в полупроводниках, создании новых классов электровакуумных приборов – многолучевых клистронов, малошумящих электростатических усилителей и ламп обратной волны миллиметрового диапазона.
В настоящее время НПП "Исток" обладает замкнутыми технологическими циклами разработки и производства СВЧ-транзисторов, монолитных интегральных схем и модулей любой функциональной сложности. На их основе создаются электровакуумные СВЧ-приборы и комплексированные устройства для малогабаритной радиолокационной аппаратуры.
О месте и роли ФГУП "НПП "Исток" в стратегии развития ОАО "Росэлектроника" на период до 2020 года говорил на пленарном заседании заместитель генерального директора ОАО "Росэлектроника" А.В.Брыкин. Стратегия определяет перспективные направления формирования и модернизации научно-технической и производственно-технологической базы ОАО "Росэлектроника". В соответствии со стратегией компания развивает ключевые промышленные технологии, которые обеспечивают производство конкурентоспособной продукции: изделий СВЧ-техники, микроэлектроники и полупроводниковых приборов ЭКБ, средств и приборов отображения информации, пассивной электроники, новых материалов и комплектующих для ЭКБ, медицинского оборудования и приборов. Во всех этих работах ведущая роль отводится НПП "Исток".
С докладом о перспективах отечественной СВЧ-электроники выступил директор НПП "Исток" А.А.Борисов. Выделены основные тенденции развития этого направления.
В области дизайн-проектирования – разработка и создание:
комплекса программно-аппаратных средств проектирования транзисторов и МИС СВЧ- и КВЧ-диапазонов;
актуальных баз данных и библиотек элементов на основе материалов GaAs, GaN,Si, SiGe, InP и алмаза, адаптированных к создаваемым производственно-технологическим линиям;
многоуровневой системы проектирования МИС–модуль–система;
математических моделей и сквозной системы расчета и совместной оптимизации наногетероэпитаксиальных структур и конструкции транзисторов.
В области развития технологии:
разработка передовых технологий кристального производства транзисторов и МИС СВЧ- и КВЧ-диапазонов на основе материалов GaAs, GaN,Si, SiGe, InP и алмаза;
совершенствование методов нанолитографии, плазмохимии, напыления металлов, пайки и сварки в различных средах, резки и контроля параметров;
разработка нормативной базы и аттестация производственно-технологических процессов.
В области материаловедения – разработка и освоение серийного выпуска:
гетероструктур с наноразмерными слоями на основе перспективных полупроводниковых материалов GaAs, GaN, SiGe, алмаза;
подложек электронного кремния, арсенида галлия, карбида кремния;
низкотемпературной стеклокерамики и изделий из нее.
В области электровакуумного СВЧ-приборо-
строения – разработка:
программно-аппаратных средств моделирования ЭВП СВЧ;
новых конструкций СВЧ-приборов и устройств;
новых материалов для вакуумного СВЧ-приборостроения.
Одно из пленарных выступлений (докладчики П.П.Мальцев и Ю.В.Федоров, Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН) было посвящено результатам разработки нитрид-галлиевых СВЧ МИС, которые предназначены для замены комплектов МИС на арсениде галлия. Исследовались нитридные гетероструктуры AlGaN/GaN (1-й тип) с толщиной барьера гетероструктур AlGaN от 28 до 33 нм, а также специально выращенные гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN (2-й тип) с толщиной барьерного слоя от 28 до 7 нм на подложках из сапфира и SiC. Были определены критерии выбора оптимальных параметров гетероструктур для различных частотных диапазонов. В частности, было установлено, что для Ка-диапазона частот оптимальными являются гетероструктуры 2-го типа с толщиной барьера 15 нм, из которых сегодня наилучшими параметрами обладает гетероструктура V-1400 ("Элма-Малахит") на подложке SiC. Разработанная воспроизводимая технология изготовления транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах гарантирует заданные параметры в диапазоне от постоянного тока до 40 ГГц.
Большое внимание созданию СВЧ ЭКБ на основе широкозонных материалов – нитрида галлия и карбида кремния – уделяется и в ОАО "Светлана". В своем докладе В.В.Попов, генеральный директор, представил результаты по созданию ЭКБ СВЧ за период 2007–2012 годы. Он отметил, что эти работы проводятся в кооперации с ведущими институтами, создающими изделия СВЧ твердотельной электроники, – ФГУП "НПП "Исток" и ФГУП "НПП "Пульсар".
Работа конференции была организована в рамках четырех секций: твердотельная СВЧ-электроника, электровакуумные приборы СВЧ, комплексированные изделия и аппаратура, технологии и материаловедение.
Далее дается краткий обзор основных докладов (по предприятиям), вызвавших наибольший интерес участников конференции.
ФГУП "НПП "Исток"
Специалисты предприятия участвовали в работе всех секций конференции.
Секция "Твердотельная СВЧ-электроника".
В докладе "Планарные и объемные приемопередающие модули СВЧ для активных фазированных антенных решеток" отмечено, что в последнее время за рубежом активизировалась деятельность по разработке, производству и поставке активных фазированных антенных решеток (АФАР), которые начинают широко применяться в бортовых, наземных, корабельных и космических РЛС. Примером последних разработок в этой области могут служить системы STARS американской фирмы Northrop Grumman Electronic Systems и Seaspray 7000Е английской фирмы BAE Systems.
С развитием МИС СВЧ на "Истоке" появилась возможность разработки и изготовления малогабаритных СВЧ-модулей АФАР. В докладе отмечается, что для разработки и производства объемных модулей АФАР необходимо сделать следующее:
разработать функциональный ряд МИС повышенной степени интеграции в необходимых частотных диапазонах;
решить ряд вопросов по МКП (LTCC-технология);
организовать на предприятии группу проектирования МКП (AutoCAD/AutoSketch, Solid works, An soft Designer, Sonnet, CST Microwave Studio, ANSYS Design Space, CAM350 и т.д.);
разработать функциональный ряд герметичных и негерметичных НЧ- и СВЧ-разъемов.
Алмазные материалы и принципы 3D-технологии, их обработка для изделий электронной техники. Сегодня доступны пластины больших размеров с поликристаллической структурой и пластины с нанесенными ультрананокристаллическими алмазными пленками. Предлагается создание комбинированных пластин из поликристаллического алмаза с регулярными вставками из высокочистого монокристаллического алмаза. В качестве прецизионного инструмента воздействия на поверхность алмазной структуры предлагается технология селективного перевода алмаза в графит. Технология включает разрушение ионным потоком кристаллической решетки алмаза, формируемой sp3-связями, последующий нагрев, при котором происходит восстановление нарушенной области с образованием решетки, содержащей характерные для графита sp2-связи, и селективное травление графита. Такие подложки и технология позволяют создавать транзисторы, диоды и МЭМС на алмазе.
Многофункциональная МИС с малым энергопотреблением на основе двухуровневых PHEMT для перспективных модулей АФАР. В настоящее время в модулях АФАР, как правило, применяются однофункциональные МИС, разработанные ФГУП "Исток": фазовращатели, аттенюаторы, переключатели, усилители. За рубежом рядом фирм создаются многофункциональные кристаллы, объединяющие в своем составе все функциональные узлы модуля АФАР, за исключением входного малошумящего и выходного мощного усилителей. Подобный кристалл создан и специалистами НПП "Исток" в сотрудничестве с МИЭТ. В его состав входят фазовращатель (8 бит), аттенюатор (10 бит), четыре усилителя мощности, два переключателя, 20 драйверов. Размеры кристалла 4,5×4,5×0,1 мм.
Состояние и перспективы развития твердотельных гибридно-интегральных усилителей мощности. Для обеспечения высоких электрических характеристик (величина выходной мощности, КПД, полоса рабочих частот) МИС, применяющихся в передающих каналах АФАР, предлагается использовать внутрисогласованный транзистор. Он уступает МИС по габаритам, но сравним по электрическим параметрам. В НПП "Пульсар" с применением такого транзистора разработан ряд гетероструктурных GaAs–транзисторов с выходной мощностью от 3 до 8 Вт. Сегодня изготовлено более 10 тыс. субмикронных модулей с выходной мощностью 3 и 10 Вт.
Исследование и создание наногетероструктур на основе GaN для полевых транзисторов и МИС СВЧ. Работа проводилась совместно с ИСВЧПЭ РАН. Определены пределы применимости по рабочей частоте мощных транзисторов на основе наногетероструктур AlGaN/GaN и показаны перспективы развития наногетероструктуры для сантиметровых и миллиметровых диапазонов длин волн.
Частотно-преобразовательные модули и фильтры на многослойной керамике LTCC собственного производства. Доклад посвящен результатам разработки частотно-преобразовательного модуля и фильтров СВЧ, которые выполнены в виде объемной интегральной схемы (многослойной платы), изготовленной по технологии LTCC – низкотемпературной совместно обжигаемой керамики. В результате применения такой технологии снижаются массогабаритные характеристики модуля и повышается степень интеграции элементной базы (фильтры низких частот и полосно-пропускающий фильтр).
Секция "Электровакуумные приборы СВЧ".
В докладе "Клистроны с выходной непрерывной мощностью 100–300 кВт для научных исследований и промышленного использования" дан обзор клистронов, работающих частоте 2450 МГц с коэффициентом усиления не менее 50 дБ и КПД 53–69%. В клистронах с мощностью 100, 200 и 300 кВт используется один и тот же типоразмер фокусирующего соленоида.
Сверхмощные импульсные клистроны и многочастотные СВЧ электровакуумные приборы. Предложен принцип получения сверхбольших импульсных мощностей при пониженных анодных напряжениях за счет расположения однолучевых и многолучевых клистронов с магнетронной пушкой в едином фокусирующем соленоиде с однородным магнитным полем и суммирования их выходных мощностей. Создан СВЧ-прибор, в котором получены мощности на девяти кратных частотах одновременно, в этом СВЧ-приборе на выходе применяется специальный коаксиальный резонатор.
В докладе "О возможности реализации малогабаритных многолучевых клистронов в 8-мм диапазоне длин волн с высокой средней мощностью (до 100 Вт)" отмечается, что наиболее оптимальные параметры могут быть получены при напряжении катода 4–5,5 кВт, скважности 10 и более. Полоса рабочих частот таких клистронов может достигать 200–300 МГц, масса – 0,8–1,5 кг.
Секция "Технологии и материаловедение".
Большое внимание в НПП "Исток" уделяется и технологическим вопросам. Создан комплект ферритовых полосковых вентилей и циркуляторов высокого уровня мощности P-, L-, S-, C- и Х-диапазонов. Комплект не имеет аналогов и удовлетворяет сочетанию требований миниатюрности, широкополосности и незначительных прямых потерь на ВУМ в интервале рабочих температур от –60 до 85˚С.
На предприятии для ЭВП и полупроводниковых твердотельных приборов СВЧ- и КВЧ-диапазонов разработаны и применяются серии клеевых материалов конструкционного назначения, заливочных компаундов, герметиков и лакокрасочных материалов. На все материалы оформлены ТУ и ТД, получены авторские свидетельства и патенты.
ОАО "НПП "Алмаз"
Основное направление деятельности предприятия – вакуумная СВЧ-электроника. В одном из докладов представлен 19-лучевой клистрон Ku-диапазона. Расчет выходных характеристик прибора проведен с помощью программы численного анализа нелинейной модели взаимодействия электронных потоков с высокочастотным полем зазора резонатора, а расчет электронно-оптической системы формирования и транспортировки электронного потока – с помощью программы анализа трехмерной модели движения электронов в статическом магнитном поле. Получена максимальная выходная мощность 760 Вт при ускоряющем напряжении 2700 В и КПД 35%. Полоса частот на уровне –3 дБ от максимальной выходной мощности составила 0,74%.
В докладе "ЛБВ космического применения. Современное состояние и перспективы" отмечается, что возрастающие потребности космической электросвязи в усилителях мощности сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн в основном удовлетворяются за счет применения все более совершенных ЛБВ. Параметры ЛБВ, созданных в ОАО "НПП "Алмаз" за прошедшие 10 лет, в диапазонах S, X, Ku соответствуют уровню лучших зарубежных образцов. КПД ЛБВ достигает 55–65%, а долговечность – 100–150 тыс. ч при выходной мощности до 100 Вт и КПД до 50%.
В докладе "Автоматизированное проектирование современных ЛБВ О-типа" предлагается комплекс программ расчета, который основан на 2D- и 3D-моделях и позволяет с достаточной для практики точностью проектировать ЛБВ. С помощью этих программ проектируются высокоэффективные (с КПД до 60–70%) ЛБВ спутниковых систем связи, широкополосные (с полосой до 100%) ЛБВ специального назначения и импульсные (с модуляцией до 3%) ЛБВ для систем локации. Представлены расчеты с помощью 3D-программ электронных пушек с сеточной модуляцией, пучков в пролетных каналах с МПФС, многоступенчатых коллекторов, а также многолучевых ЭОС и ЭОС с ленточным пучком.
Специалистами ОАО "НПП "Алмаз" разработана технология получения микроразмерных замедляющих структур для вакуумных терагерцовых усилителей с ленточным электронным потоком. При изготовлении замедляющих структур (ЗС) типа "гребенка" и "встречные штыри" для усилителей 0,3-ТГц диапазона применялась электро-
искровая обработка. Сравнительный анализ спроектированных и полученных линейных размеров данных структур, а также качества шероховатости поверхности до и после электрополировки дает хорошие результаты.
Матричные автоэмиссионные катоды из стеклоуглерода. Современное состояние и перспективы использования в СВЧ-приборах. Приводятся результаты исследований эмиссионных свойств матричных углеродных автокатодов (МУАЭК) из стеклоуглерода СУ-2000 в диодных и триодных конструкциях. Созданы и экспериментально исследованы эмиссионные свойства МУАЭК в макетах триодов с крупноячеистыми вытягивающими сеточными структурами. Изготовлена и испытана 19-лучевая электронная пушка с диаметром парциального пучка 0,5 мм и общим током 45 мА. Продемонстрирована стабильность эмиссии в течение 2000 ч. Намечены пути увеличения эмиссии МУАЭК в ЭП с крупноячеистыми вытягивающими сетками до уровня средней плотности тока за ячейкой сетки в несколько ампер на квадратный сантиметр в СВЧ-усилителях О-типа.
ОАО "Тантал"
Разработка усилителей прямой волны М-типа (УПВМ) на предприятии началась сразу же после появления информации об этих приборах в периодической печати. Первые образцы работали в 10-см диапазоне, в дальнейшем были созданы приборы С-, L- и Х-диапазонов. Разработано девять типов УПВМ. Отмечены конструктивные особенности УПВМ – у них много общего с амплитронами, но они имеют более высокий коэффициент усиления – до 15–18 дБ – и более широкую полосу усиления – до 25%.
ОАО "Государственный завод "Пульсар"
Основной доклад был посвящен перспективам развития СВЧ твердотельной электроники. Одна из задач "Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года" – приоритетное развитие технологической и производственной баз твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники. Сегодня нет альтернативы для развития СВЧ-радиоэлектронной техники большой мощности, кроме как освоение интегрированной СВЧ элементной базы в виде модулей, блоков и систем на кристалле на основе широкозонных полупроводников и наногетероструктур на их основе.
За последние пять лет в ОАО "ГЗ "Пульсар" была разработана и серийно выпускается серия мощных СВЧ генераторных, линейных, коротко- и длинноимпульсных транзисторов с отдаваемой мощностью до 500 Вт в L-диапазоне, до 100 Вт – в S-диапазоне и до 90 Вт – Р-диапазоне для систем радиосвязи, навигации, радиолокации (в том числе АФАР) и аппаратуры РЭБ.
В перспективе к 2015–2020 годам должны быть разработаны:
конструкции и технологии мощных сверхширокополосных СВЧ-транзисторов на диапазон частот 1,03–1,54 ГГц с выходной мощностью до 500 Вт при длительности импульса до 300 мкс и мощных широкополосных СВЧ-транзисторов на диапазон частот 2,7–2,9 ГГц с выходной мощностью до 150 Вт при длительности импульса до 300 мкс;
мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN-гетероструктур, работающие в диапазоне частот 9,0–9,5 ГГЦ с выходной мощностью до 150 Вт при длительности импульса до 50 мкс и в диапазоне частот 9,5–10,5 ГГЦ с выходной мощностью до 50 Вт при длительности импульса до 2 мс;
сверхширокополосные интегральные схемы усилителей мощности на нитриде галлия в диапазоне частот 4–18 ГГц с выходной мощностью 3–5 Вт, с последующей организацией серийного производства.
ФГУП "НПП "Пульсар"
Доклады специалистов предприятия были в основном представлены в секции "Твердотельная СВЧ-электроника"
Разработан твердотельный широкополосный 70-Вт GaN-усилитель мощности Х-диапазона для систем радиолокации. Усилитель обеспечивает работу в импульсном режиме при номинальном уровне выходной мощности и в непрерывном режиме при пониженном уровне выходной мощности. Усилитель работает в диапазоне частот 9,2–10,8 ГГц. Для подавления сигнала в момент отсутствия импульса модуляции используется ГИС на GaAs-переключателях.
Разработан также 8-кВт импульсный усилитель мощности Х-диапазона на GaN-транзисторах. Параметры импульса: длительность – 1–200 мкс, минимальная скважность – 6, система охлаждения – жидкостная. Основу разработанного усилителя мощности составляют модули, выходные сигналы которых суммируются на одну нагрузку. Модуль выходного усилителя мощности представляет собой двухканальный модуль с выходной мощностью до 500 Вт.
ФГУП "НПП "Торий"
Специалисты предприятия представили многолучевую ЛБВ Ка-диапазона с замедляющей системой типа ЦСР и синхронизмом на границе полосы пропускания. Ее КПД составляет 20%, усиление – около 50 дБ и полоса усиливаемых частот – до 2,5% без подстройки входного сигнала.
Совместно с ОАО "МНИИ "Агат" НПП "Торий" с 2011 года проводит инвестиционный проект по разработке малогабаритного широкополосного пакетированного клистрона 8-мм диапазона для использования в АРГС ракет класса "земля–воздух" и "воздух–воздух".
Основные характеристики клистрона
Выходная импульсная мощность 150–250 Вт
Полоса рабочих частот 300 МГц
КПД 15–20%
Время готовности, не более 8–10 с
ОАО "Светлана"
В докладе специалистов ОАО были представлены результаты работ по созданию ЭКБ СВЧ на нитриде галлия и устройств на их основе. Работы выполняются в рамках ФЦП. Обсуждаются тенденции развития СВЧ ЭКБ, достигнутый уровень параметров и перспективы развития. Проводятся также работы по исследованию влияния низкоинтенсивных миллиметровых и терагерцовых волн на биологические объекты.
ЗАО "НФП "Микран"
В докладе "GaAs СВЧ монолитные интегральные схемы для приемопередающих модулей АФАР" проанализированы особенности схемотехнического построения и проектирования GaAs МИС в зависимости от требований, предъявляемых к ППМ АФАР, и имеющейся для производства МИС технологической базы. Рассмотрены основные пути увеличения уровня функциональной интеграции СВЧ МИС для ППМ. Обсуждены методы создания модельных элементов по технологиям с топологической нормой 0,5 и 0,25 мкм, а также построения на их основе библиотек элементов.
Программно-аппаратный комплекс для измерения СВЧ-параметров ППМ АФАР. Рассмотрены основные проблемы, возникающие при измерении СВЧ-параметров ППМ АФАР как на этапе их настройки, так и при серийном производстве, предложены методологические и аппаратные решения этих проблем. Представлен программно-аппаратный комплекс К2М-101, предназначенный для измерения СВЧ-параметров ППМ АФАР и построенный на базе серийно выпускаемых приборов разработки и производства ЗАО "НПФ "Микран".
Технологии мелкосерийного производства GaAs СВЧ монолитных интегральных схем. В технологии GaAs СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) используются подложки диаметром 100 мм. Представлена технология изготовления МИС на основе GaAs р-i-n-диодов. Рассмотрены результаты статистического анализа выходного контроля СВЧ МИС, а также результаты надежностных испытаний СВЧ-приборов. Описаны уровень разработки и состояние технологий изготовления микросхем для миллиметрового диапазона длин волн на основе GaAs и CaN.
Формирование межэлементной металлизации на основе меди в GaAs СВЧ МИС. В докладе рассмотрена технология формирования межэлементной металлизации на основе Cu в GaAs СВЧ МИС с применением слоев диффузионных барьеров. В качестве барьеров использованы тугоплавкие металлы W, Ta, а также их нитриды, получаемые методом магнетронного осаждения. Медные проводники формировались методом термического испарения в вакууме.
ОАО "ЦНИИИА"
С развитием электронной промышленности создаются все новые, более сложные, высокоинтегрированные радиоэлектронные устройства. Потребность в контрольно-измерительном оборудовании не уменьшается, а значительно возрастает, причем потребность в оборудовании принципиально новом, адекватном современной ЭКБ.
Одним из путей решения проблемы является разработка критически важных звеньев контрольно-измерительных систем: СВЧ-элементы, зондовые и контактные устройства, вводы питания, согласующие устройства, переходы, методы цифровой обработки сигнала, позволяющие использовать встроенные системы управления процессами измерений и обработки результатов измерений.
В этой области выделяются работы ОАО "ЦНИИИА". В представленном на конференции докладе описаны СВЧ-компоненты измерительного тракта в измерительных модульных системах. Они обеспечивают сопряжение функциональных модулей, формирующих систему, между собой и с измеряемым устройством (прибором, изделием), а также осуществляют первичную обработку СВЧ измерительных сигналов. В настоящее время в ЦНИИИА осуществляется комплекс работ по освоению терагерцового (от 170 ГГц) диапазона частот. В основе терагерцовых компонентов лежит идея их унификации за счет использования квазиоптических принципов обработки сигналов.
Доклад "Метрологическое обеспечение разработок и производства МФС ЭВП СВЧ" посвящен рассмотрению основных технических характеристик современного оборудования для измерения параметров постоянных магнитов и магнитных фокусирующих систем ЭВП СВЧ на НПП "Исток" и ОАО "Алмаз".
ОАО "Завод "Магнетон"
Специалисты ОАО на конференции представили доклад "СВЧ-устройства на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок". Отмечается, что сдерживающим фактором создания и применения элементной базы на основе сегнетоэлектрических структур в радиоэлектронной аппаратуре является температурная зависимость их электрофизических свойств, а также высокие диэлектрические потери в СВЧ-диапазоне. Создание технологии получения тонких нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок (НСЭП) позволило решить эти проблемы. Использование НСЭП дает возможность создавать элементную базу в устройствах с электронной перестройкой АЧХ и ФЧХ. Преимущества электронных компонентов с НСЭП перед элементами на традиционных материалах – это малое энергопотребление по цепям управления, высокая скорость переключения, радиационная стойкость и меньшие массогабаритные параметры.
Завод выпускает 2-, 4- и 6-звенные фильтры на миниатюрных монокристаллических сферических ферритовых резонаторах в диапазоне частот от 300 МГц до 37 ГГц и ряд малогабаритных быстроперестраиваемых фильтров на магнитостатических волнах в диапазоне частот от 1,8 до 10 ГГц со временем перестройки от 10 до 100 мкс и ферритовые вентили и циркуляторы класса DROP-IN с рабочей полосой частот 9,5–17,0 ГГц. Основные технические характеристики этих приборов: вносимые потери – не более 0,8 дБ, развязка между каналами – не меньше 15 дБ, КСВН по входу каждого канала – не более 1,5%, рабочий температурный интервал – от –60 до 85˚С.
* * *
Всего на научно-технической конференции было заслушано 114 докладов, подготовленных 318 авторами.
В заключительном слове генеральный директор ФГУП "НПП "Исток" А.А.Борисов поблагодарил всех участников за проявленный интерес к конференции, всех докладчиков – за интересные доклады, руководителей секций – за хорошую организацию секционных заседаний. ●
"Истоку" принадлежит мировой приоритет в открытии лавинно-пролетного эффекта в полупроводниках, создании новых классов электровакуумных приборов – многолучевых клистронов, малошумящих электростатических усилителей и ламп обратной волны миллиметрового диапазона.
В настоящее время НПП "Исток" обладает замкнутыми технологическими циклами разработки и производства СВЧ-транзисторов, монолитных интегральных схем и модулей любой функциональной сложности. На их основе создаются электровакуумные СВЧ-приборы и комплексированные устройства для малогабаритной радиолокационной аппаратуры.
О месте и роли ФГУП "НПП "Исток" в стратегии развития ОАО "Росэлектроника" на период до 2020 года говорил на пленарном заседании заместитель генерального директора ОАО "Росэлектроника" А.В.Брыкин. Стратегия определяет перспективные направления формирования и модернизации научно-технической и производственно-технологической базы ОАО "Росэлектроника". В соответствии со стратегией компания развивает ключевые промышленные технологии, которые обеспечивают производство конкурентоспособной продукции: изделий СВЧ-техники, микроэлектроники и полупроводниковых приборов ЭКБ, средств и приборов отображения информации, пассивной электроники, новых материалов и комплектующих для ЭКБ, медицинского оборудования и приборов. Во всех этих работах ведущая роль отводится НПП "Исток".
С докладом о перспективах отечественной СВЧ-электроники выступил директор НПП "Исток" А.А.Борисов. Выделены основные тенденции развития этого направления.
В области дизайн-проектирования – разработка и создание:
комплекса программно-аппаратных средств проектирования транзисторов и МИС СВЧ- и КВЧ-диапазонов;
актуальных баз данных и библиотек элементов на основе материалов GaAs, GaN,Si, SiGe, InP и алмаза, адаптированных к создаваемым производственно-технологическим линиям;
многоуровневой системы проектирования МИС–модуль–система;
математических моделей и сквозной системы расчета и совместной оптимизации наногетероэпитаксиальных структур и конструкции транзисторов.
В области развития технологии:
разработка передовых технологий кристального производства транзисторов и МИС СВЧ- и КВЧ-диапазонов на основе материалов GaAs, GaN,Si, SiGe, InP и алмаза;
совершенствование методов нанолитографии, плазмохимии, напыления металлов, пайки и сварки в различных средах, резки и контроля параметров;
разработка нормативной базы и аттестация производственно-технологических процессов.
В области материаловедения – разработка и освоение серийного выпуска:
гетероструктур с наноразмерными слоями на основе перспективных полупроводниковых материалов GaAs, GaN, SiGe, алмаза;
подложек электронного кремния, арсенида галлия, карбида кремния;
низкотемпературной стеклокерамики и изделий из нее.
В области электровакуумного СВЧ-приборо-
строения – разработка:
программно-аппаратных средств моделирования ЭВП СВЧ;
новых конструкций СВЧ-приборов и устройств;
новых материалов для вакуумного СВЧ-приборостроения.
Одно из пленарных выступлений (докладчики П.П.Мальцев и Ю.В.Федоров, Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН) было посвящено результатам разработки нитрид-галлиевых СВЧ МИС, которые предназначены для замены комплектов МИС на арсениде галлия. Исследовались нитридные гетероструктуры AlGaN/GaN (1-й тип) с толщиной барьера гетероструктур AlGaN от 28 до 33 нм, а также специально выращенные гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN (2-й тип) с толщиной барьерного слоя от 28 до 7 нм на подложках из сапфира и SiC. Были определены критерии выбора оптимальных параметров гетероструктур для различных частотных диапазонов. В частности, было установлено, что для Ка-диапазона частот оптимальными являются гетероструктуры 2-го типа с толщиной барьера 15 нм, из которых сегодня наилучшими параметрами обладает гетероструктура V-1400 ("Элма-Малахит") на подложке SiC. Разработанная воспроизводимая технология изготовления транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах гарантирует заданные параметры в диапазоне от постоянного тока до 40 ГГц.
Большое внимание созданию СВЧ ЭКБ на основе широкозонных материалов – нитрида галлия и карбида кремния – уделяется и в ОАО "Светлана". В своем докладе В.В.Попов, генеральный директор, представил результаты по созданию ЭКБ СВЧ за период 2007–2012 годы. Он отметил, что эти работы проводятся в кооперации с ведущими институтами, создающими изделия СВЧ твердотельной электроники, – ФГУП "НПП "Исток" и ФГУП "НПП "Пульсар".
Работа конференции была организована в рамках четырех секций: твердотельная СВЧ-электроника, электровакуумные приборы СВЧ, комплексированные изделия и аппаратура, технологии и материаловедение.
Далее дается краткий обзор основных докладов (по предприятиям), вызвавших наибольший интерес участников конференции.
ФГУП "НПП "Исток"
Специалисты предприятия участвовали в работе всех секций конференции.
Секция "Твердотельная СВЧ-электроника".
В докладе "Планарные и объемные приемопередающие модули СВЧ для активных фазированных антенных решеток" отмечено, что в последнее время за рубежом активизировалась деятельность по разработке, производству и поставке активных фазированных антенных решеток (АФАР), которые начинают широко применяться в бортовых, наземных, корабельных и космических РЛС. Примером последних разработок в этой области могут служить системы STARS американской фирмы Northrop Grumman Electronic Systems и Seaspray 7000Е английской фирмы BAE Systems.
С развитием МИС СВЧ на "Истоке" появилась возможность разработки и изготовления малогабаритных СВЧ-модулей АФАР. В докладе отмечается, что для разработки и производства объемных модулей АФАР необходимо сделать следующее:
разработать функциональный ряд МИС повышенной степени интеграции в необходимых частотных диапазонах;
решить ряд вопросов по МКП (LTCC-технология);
организовать на предприятии группу проектирования МКП (AutoCAD/AutoSketch, Solid works, An soft Designer, Sonnet, CST Microwave Studio, ANSYS Design Space, CAM350 и т.д.);
разработать функциональный ряд герметичных и негерметичных НЧ- и СВЧ-разъемов.
Алмазные материалы и принципы 3D-технологии, их обработка для изделий электронной техники. Сегодня доступны пластины больших размеров с поликристаллической структурой и пластины с нанесенными ультрананокристаллическими алмазными пленками. Предлагается создание комбинированных пластин из поликристаллического алмаза с регулярными вставками из высокочистого монокристаллического алмаза. В качестве прецизионного инструмента воздействия на поверхность алмазной структуры предлагается технология селективного перевода алмаза в графит. Технология включает разрушение ионным потоком кристаллической решетки алмаза, формируемой sp3-связями, последующий нагрев, при котором происходит восстановление нарушенной области с образованием решетки, содержащей характерные для графита sp2-связи, и селективное травление графита. Такие подложки и технология позволяют создавать транзисторы, диоды и МЭМС на алмазе.
Многофункциональная МИС с малым энергопотреблением на основе двухуровневых PHEMT для перспективных модулей АФАР. В настоящее время в модулях АФАР, как правило, применяются однофункциональные МИС, разработанные ФГУП "Исток": фазовращатели, аттенюаторы, переключатели, усилители. За рубежом рядом фирм создаются многофункциональные кристаллы, объединяющие в своем составе все функциональные узлы модуля АФАР, за исключением входного малошумящего и выходного мощного усилителей. Подобный кристалл создан и специалистами НПП "Исток" в сотрудничестве с МИЭТ. В его состав входят фазовращатель (8 бит), аттенюатор (10 бит), четыре усилителя мощности, два переключателя, 20 драйверов. Размеры кристалла 4,5×4,5×0,1 мм.
Состояние и перспективы развития твердотельных гибридно-интегральных усилителей мощности. Для обеспечения высоких электрических характеристик (величина выходной мощности, КПД, полоса рабочих частот) МИС, применяющихся в передающих каналах АФАР, предлагается использовать внутрисогласованный транзистор. Он уступает МИС по габаритам, но сравним по электрическим параметрам. В НПП "Пульсар" с применением такого транзистора разработан ряд гетероструктурных GaAs–транзисторов с выходной мощностью от 3 до 8 Вт. Сегодня изготовлено более 10 тыс. субмикронных модулей с выходной мощностью 3 и 10 Вт.
Исследование и создание наногетероструктур на основе GaN для полевых транзисторов и МИС СВЧ. Работа проводилась совместно с ИСВЧПЭ РАН. Определены пределы применимости по рабочей частоте мощных транзисторов на основе наногетероструктур AlGaN/GaN и показаны перспективы развития наногетероструктуры для сантиметровых и миллиметровых диапазонов длин волн.
Частотно-преобразовательные модули и фильтры на многослойной керамике LTCC собственного производства. Доклад посвящен результатам разработки частотно-преобразовательного модуля и фильтров СВЧ, которые выполнены в виде объемной интегральной схемы (многослойной платы), изготовленной по технологии LTCC – низкотемпературной совместно обжигаемой керамики. В результате применения такой технологии снижаются массогабаритные характеристики модуля и повышается степень интеграции элементной базы (фильтры низких частот и полосно-пропускающий фильтр).
Секция "Электровакуумные приборы СВЧ".
В докладе "Клистроны с выходной непрерывной мощностью 100–300 кВт для научных исследований и промышленного использования" дан обзор клистронов, работающих частоте 2450 МГц с коэффициентом усиления не менее 50 дБ и КПД 53–69%. В клистронах с мощностью 100, 200 и 300 кВт используется один и тот же типоразмер фокусирующего соленоида.
Сверхмощные импульсные клистроны и многочастотные СВЧ электровакуумные приборы. Предложен принцип получения сверхбольших импульсных мощностей при пониженных анодных напряжениях за счет расположения однолучевых и многолучевых клистронов с магнетронной пушкой в едином фокусирующем соленоиде с однородным магнитным полем и суммирования их выходных мощностей. Создан СВЧ-прибор, в котором получены мощности на девяти кратных частотах одновременно, в этом СВЧ-приборе на выходе применяется специальный коаксиальный резонатор.
В докладе "О возможности реализации малогабаритных многолучевых клистронов в 8-мм диапазоне длин волн с высокой средней мощностью (до 100 Вт)" отмечается, что наиболее оптимальные параметры могут быть получены при напряжении катода 4–5,5 кВт, скважности 10 и более. Полоса рабочих частот таких клистронов может достигать 200–300 МГц, масса – 0,8–1,5 кг.
Секция "Технологии и материаловедение".
Большое внимание в НПП "Исток" уделяется и технологическим вопросам. Создан комплект ферритовых полосковых вентилей и циркуляторов высокого уровня мощности P-, L-, S-, C- и Х-диапазонов. Комплект не имеет аналогов и удовлетворяет сочетанию требований миниатюрности, широкополосности и незначительных прямых потерь на ВУМ в интервале рабочих температур от –60 до 85˚С.
На предприятии для ЭВП и полупроводниковых твердотельных приборов СВЧ- и КВЧ-диапазонов разработаны и применяются серии клеевых материалов конструкционного назначения, заливочных компаундов, герметиков и лакокрасочных материалов. На все материалы оформлены ТУ и ТД, получены авторские свидетельства и патенты.
ОАО "НПП "Алмаз"
Основное направление деятельности предприятия – вакуумная СВЧ-электроника. В одном из докладов представлен 19-лучевой клистрон Ku-диапазона. Расчет выходных характеристик прибора проведен с помощью программы численного анализа нелинейной модели взаимодействия электронных потоков с высокочастотным полем зазора резонатора, а расчет электронно-оптической системы формирования и транспортировки электронного потока – с помощью программы анализа трехмерной модели движения электронов в статическом магнитном поле. Получена максимальная выходная мощность 760 Вт при ускоряющем напряжении 2700 В и КПД 35%. Полоса частот на уровне –3 дБ от максимальной выходной мощности составила 0,74%.
В докладе "ЛБВ космического применения. Современное состояние и перспективы" отмечается, что возрастающие потребности космической электросвязи в усилителях мощности сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн в основном удовлетворяются за счет применения все более совершенных ЛБВ. Параметры ЛБВ, созданных в ОАО "НПП "Алмаз" за прошедшие 10 лет, в диапазонах S, X, Ku соответствуют уровню лучших зарубежных образцов. КПД ЛБВ достигает 55–65%, а долговечность – 100–150 тыс. ч при выходной мощности до 100 Вт и КПД до 50%.
В докладе "Автоматизированное проектирование современных ЛБВ О-типа" предлагается комплекс программ расчета, который основан на 2D- и 3D-моделях и позволяет с достаточной для практики точностью проектировать ЛБВ. С помощью этих программ проектируются высокоэффективные (с КПД до 60–70%) ЛБВ спутниковых систем связи, широкополосные (с полосой до 100%) ЛБВ специального назначения и импульсные (с модуляцией до 3%) ЛБВ для систем локации. Представлены расчеты с помощью 3D-программ электронных пушек с сеточной модуляцией, пучков в пролетных каналах с МПФС, многоступенчатых коллекторов, а также многолучевых ЭОС и ЭОС с ленточным пучком.
Специалистами ОАО "НПП "Алмаз" разработана технология получения микроразмерных замедляющих структур для вакуумных терагерцовых усилителей с ленточным электронным потоком. При изготовлении замедляющих структур (ЗС) типа "гребенка" и "встречные штыри" для усилителей 0,3-ТГц диапазона применялась электро-
искровая обработка. Сравнительный анализ спроектированных и полученных линейных размеров данных структур, а также качества шероховатости поверхности до и после электрополировки дает хорошие результаты.
Матричные автоэмиссионные катоды из стеклоуглерода. Современное состояние и перспективы использования в СВЧ-приборах. Приводятся результаты исследований эмиссионных свойств матричных углеродных автокатодов (МУАЭК) из стеклоуглерода СУ-2000 в диодных и триодных конструкциях. Созданы и экспериментально исследованы эмиссионные свойства МУАЭК в макетах триодов с крупноячеистыми вытягивающими сеточными структурами. Изготовлена и испытана 19-лучевая электронная пушка с диаметром парциального пучка 0,5 мм и общим током 45 мА. Продемонстрирована стабильность эмиссии в течение 2000 ч. Намечены пути увеличения эмиссии МУАЭК в ЭП с крупноячеистыми вытягивающими сетками до уровня средней плотности тока за ячейкой сетки в несколько ампер на квадратный сантиметр в СВЧ-усилителях О-типа.
ОАО "Тантал"
Разработка усилителей прямой волны М-типа (УПВМ) на предприятии началась сразу же после появления информации об этих приборах в периодической печати. Первые образцы работали в 10-см диапазоне, в дальнейшем были созданы приборы С-, L- и Х-диапазонов. Разработано девять типов УПВМ. Отмечены конструктивные особенности УПВМ – у них много общего с амплитронами, но они имеют более высокий коэффициент усиления – до 15–18 дБ – и более широкую полосу усиления – до 25%.
ОАО "Государственный завод "Пульсар"
Основной доклад был посвящен перспективам развития СВЧ твердотельной электроники. Одна из задач "Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года" – приоритетное развитие технологической и производственной баз твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники. Сегодня нет альтернативы для развития СВЧ-радиоэлектронной техники большой мощности, кроме как освоение интегрированной СВЧ элементной базы в виде модулей, блоков и систем на кристалле на основе широкозонных полупроводников и наногетероструктур на их основе.
За последние пять лет в ОАО "ГЗ "Пульсар" была разработана и серийно выпускается серия мощных СВЧ генераторных, линейных, коротко- и длинноимпульсных транзисторов с отдаваемой мощностью до 500 Вт в L-диапазоне, до 100 Вт – в S-диапазоне и до 90 Вт – Р-диапазоне для систем радиосвязи, навигации, радиолокации (в том числе АФАР) и аппаратуры РЭБ.
В перспективе к 2015–2020 годам должны быть разработаны:
конструкции и технологии мощных сверхширокополосных СВЧ-транзисторов на диапазон частот 1,03–1,54 ГГц с выходной мощностью до 500 Вт при длительности импульса до 300 мкс и мощных широкополосных СВЧ-транзисторов на диапазон частот 2,7–2,9 ГГц с выходной мощностью до 150 Вт при длительности импульса до 300 мкс;
мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN-гетероструктур, работающие в диапазоне частот 9,0–9,5 ГГЦ с выходной мощностью до 150 Вт при длительности импульса до 50 мкс и в диапазоне частот 9,5–10,5 ГГЦ с выходной мощностью до 50 Вт при длительности импульса до 2 мс;
сверхширокополосные интегральные схемы усилителей мощности на нитриде галлия в диапазоне частот 4–18 ГГц с выходной мощностью 3–5 Вт, с последующей организацией серийного производства.
ФГУП "НПП "Пульсар"
Доклады специалистов предприятия были в основном представлены в секции "Твердотельная СВЧ-электроника"
Разработан твердотельный широкополосный 70-Вт GaN-усилитель мощности Х-диапазона для систем радиолокации. Усилитель обеспечивает работу в импульсном режиме при номинальном уровне выходной мощности и в непрерывном режиме при пониженном уровне выходной мощности. Усилитель работает в диапазоне частот 9,2–10,8 ГГц. Для подавления сигнала в момент отсутствия импульса модуляции используется ГИС на GaAs-переключателях.
Разработан также 8-кВт импульсный усилитель мощности Х-диапазона на GaN-транзисторах. Параметры импульса: длительность – 1–200 мкс, минимальная скважность – 6, система охлаждения – жидкостная. Основу разработанного усилителя мощности составляют модули, выходные сигналы которых суммируются на одну нагрузку. Модуль выходного усилителя мощности представляет собой двухканальный модуль с выходной мощностью до 500 Вт.
ФГУП "НПП "Торий"
Специалисты предприятия представили многолучевую ЛБВ Ка-диапазона с замедляющей системой типа ЦСР и синхронизмом на границе полосы пропускания. Ее КПД составляет 20%, усиление – около 50 дБ и полоса усиливаемых частот – до 2,5% без подстройки входного сигнала.
Совместно с ОАО "МНИИ "Агат" НПП "Торий" с 2011 года проводит инвестиционный проект по разработке малогабаритного широкополосного пакетированного клистрона 8-мм диапазона для использования в АРГС ракет класса "земля–воздух" и "воздух–воздух".
Основные характеристики клистрона
Выходная импульсная мощность 150–250 Вт
Полоса рабочих частот 300 МГц
КПД 15–20%
Время готовности, не более 8–10 с
ОАО "Светлана"
В докладе специалистов ОАО были представлены результаты работ по созданию ЭКБ СВЧ на нитриде галлия и устройств на их основе. Работы выполняются в рамках ФЦП. Обсуждаются тенденции развития СВЧ ЭКБ, достигнутый уровень параметров и перспективы развития. Проводятся также работы по исследованию влияния низкоинтенсивных миллиметровых и терагерцовых волн на биологические объекты.
ЗАО "НФП "Микран"
В докладе "GaAs СВЧ монолитные интегральные схемы для приемопередающих модулей АФАР" проанализированы особенности схемотехнического построения и проектирования GaAs МИС в зависимости от требований, предъявляемых к ППМ АФАР, и имеющейся для производства МИС технологической базы. Рассмотрены основные пути увеличения уровня функциональной интеграции СВЧ МИС для ППМ. Обсуждены методы создания модельных элементов по технологиям с топологической нормой 0,5 и 0,25 мкм, а также построения на их основе библиотек элементов.
Программно-аппаратный комплекс для измерения СВЧ-параметров ППМ АФАР. Рассмотрены основные проблемы, возникающие при измерении СВЧ-параметров ППМ АФАР как на этапе их настройки, так и при серийном производстве, предложены методологические и аппаратные решения этих проблем. Представлен программно-аппаратный комплекс К2М-101, предназначенный для измерения СВЧ-параметров ППМ АФАР и построенный на базе серийно выпускаемых приборов разработки и производства ЗАО "НПФ "Микран".
Технологии мелкосерийного производства GaAs СВЧ монолитных интегральных схем. В технологии GaAs СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) используются подложки диаметром 100 мм. Представлена технология изготовления МИС на основе GaAs р-i-n-диодов. Рассмотрены результаты статистического анализа выходного контроля СВЧ МИС, а также результаты надежностных испытаний СВЧ-приборов. Описаны уровень разработки и состояние технологий изготовления микросхем для миллиметрового диапазона длин волн на основе GaAs и CaN.
Формирование межэлементной металлизации на основе меди в GaAs СВЧ МИС. В докладе рассмотрена технология формирования межэлементной металлизации на основе Cu в GaAs СВЧ МИС с применением слоев диффузионных барьеров. В качестве барьеров использованы тугоплавкие металлы W, Ta, а также их нитриды, получаемые методом магнетронного осаждения. Медные проводники формировались методом термического испарения в вакууме.
ОАО "ЦНИИИА"
С развитием электронной промышленности создаются все новые, более сложные, высокоинтегрированные радиоэлектронные устройства. Потребность в контрольно-измерительном оборудовании не уменьшается, а значительно возрастает, причем потребность в оборудовании принципиально новом, адекватном современной ЭКБ.
Одним из путей решения проблемы является разработка критически важных звеньев контрольно-измерительных систем: СВЧ-элементы, зондовые и контактные устройства, вводы питания, согласующие устройства, переходы, методы цифровой обработки сигнала, позволяющие использовать встроенные системы управления процессами измерений и обработки результатов измерений.
В этой области выделяются работы ОАО "ЦНИИИА". В представленном на конференции докладе описаны СВЧ-компоненты измерительного тракта в измерительных модульных системах. Они обеспечивают сопряжение функциональных модулей, формирующих систему, между собой и с измеряемым устройством (прибором, изделием), а также осуществляют первичную обработку СВЧ измерительных сигналов. В настоящее время в ЦНИИИА осуществляется комплекс работ по освоению терагерцового (от 170 ГГц) диапазона частот. В основе терагерцовых компонентов лежит идея их унификации за счет использования квазиоптических принципов обработки сигналов.
Доклад "Метрологическое обеспечение разработок и производства МФС ЭВП СВЧ" посвящен рассмотрению основных технических характеристик современного оборудования для измерения параметров постоянных магнитов и магнитных фокусирующих систем ЭВП СВЧ на НПП "Исток" и ОАО "Алмаз".
ОАО "Завод "Магнетон"
Специалисты ОАО на конференции представили доклад "СВЧ-устройства на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок". Отмечается, что сдерживающим фактором создания и применения элементной базы на основе сегнетоэлектрических структур в радиоэлектронной аппаратуре является температурная зависимость их электрофизических свойств, а также высокие диэлектрические потери в СВЧ-диапазоне. Создание технологии получения тонких нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок (НСЭП) позволило решить эти проблемы. Использование НСЭП дает возможность создавать элементную базу в устройствах с электронной перестройкой АЧХ и ФЧХ. Преимущества электронных компонентов с НСЭП перед элементами на традиционных материалах – это малое энергопотребление по цепям управления, высокая скорость переключения, радиационная стойкость и меньшие массогабаритные параметры.
Завод выпускает 2-, 4- и 6-звенные фильтры на миниатюрных монокристаллических сферических ферритовых резонаторах в диапазоне частот от 300 МГц до 37 ГГц и ряд малогабаритных быстроперестраиваемых фильтров на магнитостатических волнах в диапазоне частот от 1,8 до 10 ГГц со временем перестройки от 10 до 100 мкс и ферритовые вентили и циркуляторы класса DROP-IN с рабочей полосой частот 9,5–17,0 ГГц. Основные технические характеристики этих приборов: вносимые потери – не более 0,8 дБ, развязка между каналами – не меньше 15 дБ, КСВН по входу каждого канала – не более 1,5%, рабочий температурный интервал – от –60 до 85˚С.
* * *
Всего на научно-технической конференции было заслушано 114 докладов, подготовленных 318 авторами.
В заключительном слове генеральный директор ФГУП "НПП "Исток" А.А.Борисов поблагодарил всех участников за проявленный интерес к конференции, всех докладчиков – за интересные доклады, руководителей секций – за хорошую организацию секционных заседаний. ●
Отзывы читателей
