eng
Выпуск #1/2014
А.Эскувель, Д.Дорофеев
Сотрудничество компаний Cree и Макро Групп – новый вклад в развитие силовой электроники в России
Сотрудничество компаний Cree и Макро Групп – новый вклад в развитие силовой электроники в России
Просмотры: 2304
Господин Эскувель, какую продукцию направления "Силовая электроника" ваша компания собирается поставлять в Россию в рамках нового соглашения?
А.Эскувель. В продукцию направления "Силовая электроника" компании Cree входят полупроводниковые компоненты на основе карбида кремния (Silicon carbide – SiC): МОП-транзисторы (MOSFET), диоды Шоттки, а также силовые модули на их основе. Данные продукты являются заменой традиционных кремниевых диодов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) в диапазоне напряжений
600–1700 В. Нужно сказать, что компоненты на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ: очень малым временем переключения и низкими потерями у транзисторов, практически нулевым временем обратного восстановления диодов, способностью работать на более высоких частотах, чем традиционные кремниевые компоненты. Следует также отметить, что за счет высокого КПД устройств на карбид-кремниевых компонентах снижаются требования к системе охлаждения, и благодаря этому можно уменьшить массу и габариты конечных изделий. Кроме того, высокий КПД позволяет частично компенсировать более высокую стоимость карбид-кремниевых компонентов за счет экономии электроэнергии.
Мы будем поставлять в Россию все виды компонентов на основе карбида кремния, в том числе транзисторы второго поколения с уменьшенным размером кристалла и улучшенными ха-
рактеристиками.
Какие продукты направления "Силовая электроника" Вы могли бы отметить как наиболее интересные?
А.Эскувель. Я бы отметил МОП-транзистор C2M0080120D на 1200 В
с сопротивлением открытого канала
80 мОм. В нем удачно сочетаются высокие характеристики и разумная цена. Стоит упомянуть также транзистор C2M1000170D, рассчитанный на очень высокое блокирующее напряжение – 1700 В. Он может эффективно применяться, например, в DC/DC-источниках питания.
Д.Дорофеев. Добавлю, что компания Cree начала выпускать диоды Шоттки и МОП-транзисторы с параметрами 10 кВ/10 А. Это еще не серийно производимые приборы, но они доступны, в том числе и потребителям в России.
Каковы области применения компонентов на основе карбида кремния?
А.Эскувель. Эти компоненты востребованы прежде всего там, где необходима работа на высоких частотах: электротранспорт, индукционный нагрев и др. Диоды Шоттки можно эффективно применять в корректорах коэффициента мощности.
При этом важно отметить, что цены на компоненты на основе карбида кремния в последнее время существенно снизились – примерно в два раза. Это расширяет круг потенциальных потребителей данных компонентов.
Почему в качестве дистрибьютора была выбрана именно компания Макро Групп, каких результатов вы от нее ожидаете?
А.Эскувель. Компания Макро Групп уже давно, с 2010 года, является дистрибьютором другого подразделения Cree – "Полупроводниковые подложки и эпитаксиальные структуры" (Materials). Мы ожидаем, что Макро Групп будет активно способствовать применению технологий на основе карбида кремния и приложит все усилия, чтобы это направление развивалось в России так же активно, как оно развивается в Европе и во всем мире.
Д.Дорофеев. Компания Макро Групп поставляет полупроводниковые подложки и эпитаксиальные структуры компании Cree многим заказчикам в России. Сегодня мы видим возрастающий интерес к карбид-кремниевым устройствам. Так, несмотря на общий спад на рынке силовой электроники (на 20% за последние два года), рынок SiC-приборов растет на 38% в год (данные отчета компании Yole Developpement). Поэтому мы будем развивать следующее направление сотрудничества с Cree – "Силовая электроника".
Спасибо за интересный рассказ.
С Алехандро Эскувелем
и Дмитрием Дорофеевым
беседовали И.Шахнович и Г.Логинова
А.Эскувель. В продукцию направления "Силовая электроника" компании Cree входят полупроводниковые компоненты на основе карбида кремния (Silicon carbide – SiC): МОП-транзисторы (MOSFET), диоды Шоттки, а также силовые модули на их основе. Данные продукты являются заменой традиционных кремниевых диодов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) в диапазоне напряжений
600–1700 В. Нужно сказать, что компоненты на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ: очень малым временем переключения и низкими потерями у транзисторов, практически нулевым временем обратного восстановления диодов, способностью работать на более высоких частотах, чем традиционные кремниевые компоненты. Следует также отметить, что за счет высокого КПД устройств на карбид-кремниевых компонентах снижаются требования к системе охлаждения, и благодаря этому можно уменьшить массу и габариты конечных изделий. Кроме того, высокий КПД позволяет частично компенсировать более высокую стоимость карбид-кремниевых компонентов за счет экономии электроэнергии.
Мы будем поставлять в Россию все виды компонентов на основе карбида кремния, в том числе транзисторы второго поколения с уменьшенным размером кристалла и улучшенными ха-
рактеристиками.
Какие продукты направления "Силовая электроника" Вы могли бы отметить как наиболее интересные?
А.Эскувель. Я бы отметил МОП-транзистор C2M0080120D на 1200 В
с сопротивлением открытого канала
80 мОм. В нем удачно сочетаются высокие характеристики и разумная цена. Стоит упомянуть также транзистор C2M1000170D, рассчитанный на очень высокое блокирующее напряжение – 1700 В. Он может эффективно применяться, например, в DC/DC-источниках питания.
Д.Дорофеев. Добавлю, что компания Cree начала выпускать диоды Шоттки и МОП-транзисторы с параметрами 10 кВ/10 А. Это еще не серийно производимые приборы, но они доступны, в том числе и потребителям в России.
Каковы области применения компонентов на основе карбида кремния?
А.Эскувель. Эти компоненты востребованы прежде всего там, где необходима работа на высоких частотах: электротранспорт, индукционный нагрев и др. Диоды Шоттки можно эффективно применять в корректорах коэффициента мощности.
При этом важно отметить, что цены на компоненты на основе карбида кремния в последнее время существенно снизились – примерно в два раза. Это расширяет круг потенциальных потребителей данных компонентов.
Почему в качестве дистрибьютора была выбрана именно компания Макро Групп, каких результатов вы от нее ожидаете?
А.Эскувель. Компания Макро Групп уже давно, с 2010 года, является дистрибьютором другого подразделения Cree – "Полупроводниковые подложки и эпитаксиальные структуры" (Materials). Мы ожидаем, что Макро Групп будет активно способствовать применению технологий на основе карбида кремния и приложит все усилия, чтобы это направление развивалось в России так же активно, как оно развивается в Европе и во всем мире.
Д.Дорофеев. Компания Макро Групп поставляет полупроводниковые подложки и эпитаксиальные структуры компании Cree многим заказчикам в России. Сегодня мы видим возрастающий интерес к карбид-кремниевым устройствам. Так, несмотря на общий спад на рынке силовой электроники (на 20% за последние два года), рынок SiC-приборов растет на 38% в год (данные отчета компании Yole Developpement). Поэтому мы будем развивать следующее направление сотрудничества с Cree – "Силовая электроника".
Спасибо за интересный рассказ.
С Алехандро Эскувелем
и Дмитрием Дорофеевым
беседовали И.Шахнович и Г.Логинова
Отзывы читателей
