eng
Выпуск #10/2015
П.Мальцев
полупроводниковая СВЧ-электроника в России. Институт СВЧПЭ РАН – исследования и разработки
полупроводниковая СВЧ-электроника в России. Институт СВЧПЭ РАН – исследования и разработки
Просмотры: 4087
Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.
Теги: heterostructures microwave monolithic ic terahertz devices гетероструктуры свч мис терагерцевые устройства
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) был создан в апреле 2002 года, а с декабря 2011-го переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники" РАН.
Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники по следующим направлениям:
•элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника (расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200–250 ГГц и выше; разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями с диапазоном частот 50–250 ГГц и гетероструктурных СВЧ МИС для систем беспроводной связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т. д.);
•нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника (технология и физика квантово-размерных гетероструктур; разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов; микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов; создание терагерцевых устройств для частот от 300 до 900 ГГц.
Немного истории
Утверждать, что Институт создан в 2002 году, не совсем правильно. Предпосылки для его формирования появились в начале 1980-х годов, когда основатель Института и его первый директор Владимир Григорьевич Мокеров работал в Зеленограде в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ). Уже тогда В.Г.Мокеров с сотрудниками переключились на гетероструктурную электронику, поскольку осознавали "чрезвычайную перспективность зарождавшегося направления" (слова В.Г.Мокерова, неопубликованное интервью журналу "ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ"). Именно гетероструктуры дали мощный импульс развитию современной твердотельной СВЧ-электроники, созданию нового поколения телекоммуникационных и локационных систем. Быстро освоив технологию молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур AlGaAs/GaAs, В.Г.Мокеров с сотрудниками разработал первые отечественные гетероструктуры с электронной подвижностью выше 106 см 2/ (В · с) (при Т = 4,2К), что в то время соответствовало лучшим мировым достижениям.
Основные разработки отдела под руководством В.Г.Мокерова в тот период:
1.первый отечественный НЕМТ (high electron mobility transistor) – транзистор с высокой подвижностью электронов;
2.логические вентили с рекордной для того времени (1983 год) задержкой распространения сигнала менее 30 пс;
3.технология первых НЕМТ БИС ОЗУ с субнаносекундным быстродействием (время выборки менее 0,8 нс).
Тогда же (1983–1985 годы) состоялась встреча В.Г.Мокерова с будущим Нобелевским лауреатом, выдающимся ученым, академиком Жоресом Ивановичем Алферовым. В.Г.Мокеров вошел в состав академической секции "Полупроводниковые гетероструктуры", через которую Ж.И.Алферов руководил и координировал фундаментальные и прикладные исследования в этой области по всей стране. На В.Г.Мокерова как представителя электронной промышленности было возложено руководство работами в области гетероструктурной электроники.
В начале 1989 года в связи со сворачиванием работ по гетероструктурам В.Г.Мокеров по приглашению академика Ю.В.Гуляева перешел в Институт радиотехники и электроники (ИРЭ) Академии наук. Это было время стремительного разрушения экономики, в том числе и электроники. Потрясения не обошли стороной и Академию наук. Начался массовый отток российских ученых за рубеж, распадались знаменитые и, казалось бы, несокрушимые научные коллективы, НИИ и заводы. В таких условиях В.Г.Мокеров создает институт СВЧ полупроводниковой электроники, формирует и укрепляет научный коллектив, продолжает проводить исследования в области физики и технологии гетероструктур и приборные разработки.
Необходимость в таком институте назрела давно, поскольку в российском "гетероструктурном мире" сложилась парадоксальная ситуация. С одной стороны, в институтах РАН были получены выдающиеся научные результаты в области физики и технологии наногетероструктур. А с другой стороны, реального применения в промышленной электронике эти технологии не находили: в России в то время не производились ни транзисторы, ни тем более микросхемы на гетероструктурах.
Именно для "сращивания" высокой "гетероструктурной" науки с электроникой и нужен был институт, который наряду с фундаментальными исследованиями физики и технологии гетероструктур, разработкой новых гетероструктурных приборов был призван способствовать внедрению новых научных разработок в производство.
К этому времени стало меняться и отношение к СВЧ твердотельной электронике, которая определяла уровень развития радиолокации и широкополосных телекоммуникаций, где требовались все более высокие частоты (до сотен гигагерц) для сверхскоростной передачи данных.
Институт СВЧПЭ в 2002–2010 годы
В первые годы работы в Институте была создана уникальная, единственная в стране экспериментальная технологическая линия по изготовлению гетероструктурных приборов, которая охватывала весь цикл – от выращивания эпитаксиальных наногетероструктур до изготовления транзисторов и микросхем. В ее составе участок молекулярно-лучевой эпитаксии, где формировались гетероэпитаксиальные структуры, УФ- и электронная литография, а также весь необходимый комплект технологических установок – напыления металла, травления, формирования диэлектрических слоев и т.д.
Уникальными были и отдельные образцы оборудования. Например, электронный литограф с разрешением 100–150 нм, соответствующий мировому промышленному уровню, был фактически создан заново сотрудниками института на базе электронно-лучевого литографа EBMF-2 (Cambridge Instruments). В результате процесс электронно-лучевой литографии стал воспроизводимым и управляемым.
На установке контактной УФ-литографии были получены элементы с минимальными размерами, до 140 нм.
Более того, в технологии HEMT-транзисторов был разработан и освоен процесс формирования грибообразных затворов. Грибообразные затворы с малым размером "ножки" и одновременно большой площадью сечения "шляпки" уменьшают емкость и сопротивление затвора, а от этого зависят частотные свойства транзисторов. Разработка технологии получения таких затворов с применением многослойной системы электронных резистов была одним из главных достижений Института – полученные HEMT-транзисторы имели предельно высокие частоты.
С созданием единственной в стране технологической линии по изготовлению гетероструктурных приборов одновременно была решена еще одна важная задача – объединение производства гетероэпитаксиальных подложек и приборов, поскольку, как показали исследования, под каждую задачу (прибор, схему) надо разрабатывать уникальную гетероструктуру. Создание нового прибора (схемы) начинается с исследований параметров транзисторной структуры, с формирования требований к гетероэпитаксиальным слоям, и только затем можно приступать к разработке схемы с заданными параметрами. Централизованные исследования, технологические разработки и изготовление опытных образцов в одном институте дали отличные результаты. Как следствие, к 2006 году 20-летнее отставание в области СВЧ-транзисторов было ликвидировано – на основе GaAs PHEMT-структур были получены малошумящие транзисторы для приемных каналов и мощные усилительные модули. Было достигнуто абсолютно рекордное значение коэффициента шума транзисторов – 0,35 дБ на частоте 10 ГГц. Мощные транзисторы имели удельную мощность более 1 Вт/мм (по отношению к ширине затвора) и КПД более 45%, что соответствовало лучшим зарубежным результатам.
Основные работы В.Г.Мокерова вошли в книгу "Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике" (Техносфера, 2010, 432 с.)
Институт СВЧПЭ в период с 2010-го по настоящее время
После ухода из жизни Владимира Григорьевича (сентябрь 2008 года) в ИСВЧПЭ РАН продолжались начатые исследования и разработки. Основные из них:
1.исследованы физические основы и создана технология молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений АIIIВV с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ-приборов, включая PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP;
2.разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP, а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами до 100 ГГц;
3.разработана технология изготовления транзисторов и МИС на базе современной электронно-лучевой литографии (нанолитографы RAITH150-TWO, NOYAGER). Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм с максимальными частотам до 630 ГГц.
Были созданы:
1.МИС для приемного модуля КВЧ-диапазона, включая МШУ КВЧ (MНЕМТ на GaAs), смеситель с подавлением зеркального канала, генератор, управляемый напряжением и МШУ промежуточной частоты;
2.МИС усилителя мощности КВЧ-диапазона с выходной мощностью более 300 мВт (MНЕМТ на GaAs) и выходной мощностью более 1 Вт на основе НЕМТ AlGaN/AlN/GaN на сапфировой или SiC-подложке;
3.МИС диапазона частот 56–64 ГГц, включающих МШУ на основе PНЕМТ на подложках InP и усилитель мощности (MНЕМТ на GaAs) и со встроенными антеннами на HEMT AlGaN/AlN/GaN.
За последние пять лет по заказу Минобрнауки России в ИСВЧПЭ РАН в рамках ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008–2015 годы были разработаны:
1.базовая технология изготовления встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10–12 ГГц (2010–2011 годы);
2.базовые серийные технологии изделий микроэлектроники: систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов (СВЧ-усилители и встроенные антенны) (2011–2012 годы);
3.базовые серийные технологии изделий микроэлектроники: микроэлектронных устройств различных типов (КВЧ монолитных интегральных схем на метаморфных наногетероструктурах) (2011–2012 годы).
Проведены исследования:
1.по разработке базовых технологий изделий микроэлектроники (систем на кристалле, в том числе СВЧ-коммутаторов сигналов и варакторов) совместно с МИРЭА (2011–2012 годы);
2.перспективных конструкций и технологических принципов формирования квантовых структур для терагерцевого диапазона частот (2012–2013 годы);
3.перспективных типов сверхвысокочастотных приборов (92–96 ГГц) и технологических принципов их изготовления (2013–2015 годы).
Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56–64 ГГц, 71–76 ГГц, 81–86 ГГц, 94–96 ГГц и 115–130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур АIIIВV. Кроме того, продолжатся исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200–300 ГГц и выше).
Запланировано участие ИСВЧПЭ в ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России" на 2014–2020 годы по заказу Минобрнауки России. Будут проведены:
1.ПНИ "Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8–12 ГГц" (2014–2016 годы);
2.ПНИ "Разработка наногетероструктур на подложках фосфида индия для приборов СВЧ-наноэлектроники (100–300 ГГц)" (2014–2015 годы);
3.ПНИ "Разработка конструкторско-технологических решений создания МИС усилителей мощности на широкозонных полупроводниках для современной радиоаппаратуры в поддиапазоне частот 42–46 ГГц" (2014–2016 годы);
4.ПНИ "Разработка конструктивно-технологических принципов создания однокристальных приемо-передающих модулей для современных широкополосных систем беспроводной связи и передачи информации в диапазоне частот 57–64 ГГц" (2014–2016 годы);
5.ПНИ "Разработка МИС однокристальных приемо-передающих модулей для диапазона частот 23–25 ГГц на основе нитрида галлия" (2015–2017 годы).
Огромный объем исследований и разработок приборов и схем СВЧ-диапазона, выполненный сотрудниками ИСВЧПЭ, можно представить по приведенному в конце статьи списку статей, опубликованных только в 2015 году.
СВЧ-технологии –
основа электроники будущего
В России, как и за рубежом, технологии создания изделий СВЧ-электроники относятся к категории критичных. Очевидно, что сегодня именно разработка новых материалов и развитие микроэлектронных технологий СВЧ-электроники определяют требуемые характеристики радиоэлектронной аппаратуры, а также конечных комплексов и систем. В этом состоит важная особенность современного этапа развития СВЧ-технологий.
Технологические направления развития СВЧ-электроники
Системы мобильной беспроводной связи. Голосовая сотовая связь поколения 2G (GSM, CDMA, DAMPS) сменилась (дополнилась) системами передачи данных. Затем появилось поколение 3G – сотовая телефония с возможностью скоростной передачи данных (на уровне 1 Мбит/с), 4G – WiMAX и LTE, а сегодня – системы 4G (LTE и LTE Advanсed).
Интернет вещей, связь М2М, интеллектуальные производства. Расширяется сфера применения самых разных устройств сбора данных, датчиков, в частности, на основе СВЧ RFID-технологий.
СВЧ-системы радиорелейной связи. По мере развития технологий беспроводной связи возросла потребность в средствах создания беспроводных широкополосных каналов связи. Стали интенсивно развиваться системы связи Е-диапазона (71–76/81–86 ГГц).
СВЧ-системы локальной передачи данных. Системы WiFi, Bluetooth и ZigBee работают в основном в диапазонах от 2,4 до 5 ГГц. Однако примерно с 2010 года начали развиваться коммерческие системы передачи данных в диапазоне 60 ГГц – системы WiGig и WirelessHD.
Системы волоконно-оптической связи. В этих системах СВЧ-технологии незаменимы для реализации протоколов класса 100GB и 400GB Ethernet и стандартов OTN (с агрегатной скоростью в канале на уровне 100 и 400 Гбит/с). Основные элементы оптических трансиверов – СВЧ СБИС.
Досмотровые комплексы безопасности. Рентгеновские досмотровые комплексы в аэропортах и на других объектах уступают место системам миллиметрового диапазона. Это важно с точки зрения медицинской безопасности СВЧ-сканеров, которые обладают широкими возможностями.
Автомобильные радары, системы активной безопасности. Автомобильные радары, работающие в диапазоне 77–79 ГГц – одно из направлений, которое в ближайшее время будет развиваться чрезвычайно активно.
Системы миллиметрового и субмиллиметрового (терагерцевого) диапазонов – одна из важнейших областей развития СВЧ-технологий. Можно выделить телекоммуникационные СВЧ-системы миллиметрового диапазона; беспроводные системы межсоединений для суперкомпьютеров; системы сверхвысокоскоростной ближней связи (диапазон порядка 320 ГГц); системы СВЧ-связи между компонентами на плате; СВЧ-передачу энергии на ближние и дальние расстояния; СВЧ-сенсоры и технологии, СВЧ RFID-технологии; радарные технологии; СВЧ-зрение, пассивную СВЧ-локацию; микроволновую наноскопию (наноразмерную микроскопию), аналитические ТГц-инструменты; биомедицинские приложения СВЧ; СВЧ-биосенсоры.
* * *
Институт СВЧПЭ РАН активно участвует в выполнении стратегической программы исследований технологической платформы "СВЧ-технологии", которая включена в перечень основных технологических платформ, утвержденный решениями Правительственной комиссии по высоким технологиям и инновациям, в апреле 2011 года. Ежегодно на основе предложений участников ТП формируется подробный тематический план работ и проектов ТП в сфере исследований и разработок по трем основным взаимосвязанным технологическим направлениям – электронное материаловедение, электронные СВЧ-компоненты и СВЧ-радиоприборостроение.
В соответствии с Постановлением Правительства Российской Федерации от 9 апреля 2010 года № 218 "О мерах государственной поддержки развития кооперации российских высших учебных заведений и организаций, реализующих комплексные проекты по созданию высокотехнологического производства" ИСВЧПЭ РАН выполнил ОКТР "Разработка базовой технологии и организация высокотехнологического производства изготовления высокоэффективных теплоотводящих элементов конструкции из поликристаллического алмаза для активных компонентов изделий электронной техники" по инициативе индустриального партнера АО "НПП "Исток" им. А.И.Шокина". В апреле 2013 года Институт стал победителем IV очереди конкурса, проводимого в соответствии с постановлением № 218.
Основные работы, выполняемые ИСВЧПЭ РАН по заказу Минобрнауки России, были представлены на научно-практической конференции по итогам реализации в 2015 году прикладных научных исследований и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям в соответствии с федеральной целевой программой "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы" в рамках III ежегодной национальной выставки-форума ВУЗПРОМЭКСПО-2015, которая проводилась 2–4 декабря 2015 года.
Cведения о публикациях Федерального государственного бюджетного учреждения науки ИСВЧПЭ РАН за 2015 год
Публикации в журналах, индексируемых в базах данных Web of Science и Scopus
1.Khabibullin R.A., Yachmenev A.E., Lavrukhin D.V., Ponomarev D.S., Bugayev A.S., Maltsev P.P. Pseudomorphic HEMT with Sn nanowires on a vicinal GaAs substrate // Semicond. Sci. Technol., V. 30. 085009 (2015).
2.Лаврухин Д.В., Ячменев А.Э., Бугаев А.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Пономарев Д.С., Мальцев П.П. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с дельта-легированными слоями Si // ФТП. Т. 49. Вып. 7. С. 932–935 (2015).
3.Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С., Мальцев П.П. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 2. С. 241–248.
4.Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Мальцев П.П. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As на подложках GaAs // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 7. С. 942–950.
5.Galiev G.B., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Klochkov A.N., Maltsev P.P., Presniakov M.Yu., Trunkin I.N., Vasiliev A.L. Electrophysical and structural properties of the composite quantum wells In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As with ultrathin InAs inserts // Journal of Materials Research. 2015. V. 30. Is. 20. P. 3020–3025.
6.Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П. Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1−xAs со вставками InAs // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 2.
С. 204–213.
7.Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Казаков И.П., Червяков А.В. Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1238–1242.
8.Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С., Мальцев П.П. Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур InxAl1−xAs/InyGa1−yAs/InxAl1−xAs с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1243–1253.
9.Глинский И.А., Зенченко Н.В. Расчет теплораспределяющего элемента конструкции для мощных СВЧ-транзисторов. Микроэлектроника. Т. 44. №4. С. 269–274 (2015).
10.Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A. Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT-structures by the Shubnikov – de Haas effect at two temperatures // Physics Procedia. V.72. P. 425–30 (2015).
11.Алешин А.Н., Бугаев А.С., Ермакова М.А., Рубан О.А. Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства // ФТП. Т. 49. Вып. 8. С. 1065–1070 (2015).
12.Лаврухин Д.В., Хабибуллин Р.А., Пономарев Д.С., Мальцев П.П. Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой InxGa1−xAs с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения // ФТП. Т. 49. Вып. 9. С. 1254–1257 (2015)
13.Lavrukhin D.V., Yachmenev A.E., Galiev R.R., Bugaev A.S., Fedorov Y.V., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S., Maltsev P.P. Investigation and Fabrication of the Semiconductor Devices Based on Metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures for THz Applications // Int. J. High Speed Electronics Systems. V. 24. 1520001 [5 pages] (2015).
14.Melekhov A.P., Lavroukhine D.V. The application of the temperature wave technique for investigation of the influence of the magnetic field on the acoustic properties of wafer // Physics Procedia, V. 73. Р. 193–197 (2015).
15.Khabibullin R.A., Galiev G.B., Ponomarev D.S., Maltsev P.P. Metamorphic Nanoheterostructures for Millimeter-Wave Electronics // Nanotechnologies in Russia. V. 10. Nos. 7–8. Р. 593–599 (2015).
16.Громов Д.В., Мальцев П.П., Полевич С.А. Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях АIIIВV // ФТП. Т. 50. Вып. 2. С. 223–228 (2015).
17.Ryzhii V., Ryzhii M., Mitin V., Shur M.S., Otsuji T. Negative terahertz conductivity in remotely doped graphene bilayer heterostructures // Journal of applied physics. V.118.183105 (2015).
Публикации в журналах индексируемых в РИНЦ (не включены публикации из пункта 1)
1.Галиев Р.Р., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Майтама М.В., Матвеенко О.С., Михайлович С.В., Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю. Нитридные технологии для освоения миллиметрового диапазона длин волн // НМСТ. №2. С. 21–32 (2015).
2.Фёдоров Ю.В., Михайлович С.В. Нитридные НЕМТ против арсенидных: последняя битва? // Известия вузов. Материалы электронной техники. Т.18. №1(69). С. 16–22 (2015).
3.Фёдоров Ю.В., Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Путинцев Б.Г., Павлов А.Ю., Зуев А.В. МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах // Наноиндустрия. №3. С. 44–51.
4.Глинский И.А., Редькин С.В., Духновский М.П., Куликов Е.Н., Смирнова А.К., Фёдоров Ю.Ю. Формирование нанокристаллических слоев пористого анодного оксида алюминия на высокоомной кремниевой подложке для роста поликристаллического алмаза // НМСТ. № 4. С. 15–20 (2015).
5.Сенечкин А.П., Бугаев А.С., Ячменев А.Э. Оптические и электрофизические свойства PHEMT наногетероструктур с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова // НМСТ. № 1. С. 27–32 (2015).
6.Мальцев П.П., Редькин С.В., Скрипниченко А.С., Побойкина Н.В., Духновский М.П., Смирнова А.К. Технология лазерной резки поликристаллических алмазных пластин // НМСТ. № 5. 2015. С. 44–48.
Публикации в материалах научных мероприятий (съездов, конференций, симпозиумов, школ и т. п.)
1.Galiev G.B., Klochkov A.N., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Lavruhin D.V., Pushkarev S.S. Photoluminescence spectra of the modulation-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with strained InAs and GaAs sublayers // Proceedings of the 23rd International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (Saint Petersburg, Russia, June 22–26, 2015). P. 103–104.
2.Galiev G.B., Grekhov M.M., Vasiliev A.L., Klimov E.A., Klochkov A.N., Vasil’evskii I.S., Lavruhin D.V., Pushkarev S.S., Trunkin I.N. Structural and photoluminescent properties of low-temperature GaAs grown on GaAs (100) and (111)A substrates // Proceedings of the 23rd International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (Saint Petersburg, Russia, June 22–26, 2015). P. 214–215.
3.Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С. Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, 21–25 сентября 2015 г.). С. 155.
4.Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С. Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, 21–25 сентября 2015 г.). С. 262.
5.Пушкарёв С.С., Грехов М.М., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Коленцова О.С., Имамов Р.М., Ганин Г.В. Диагностика кристаллической структуры метаморфных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме омега-сканирования // Сборник трудов VI Всероссийской молодёжной конференции по фундаментальным и инновационным вопросам современной физики. – М.: РИИС ФИАН. 2015. С. 110.
6.Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Кульбачинский В.А. Зонные диаграммы и электрофизические параметры НЕМТ-структур InGaAs/InAlAs // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 18–19.
7.Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С. Спектр электронов и дырок в полупроводниковых гетероструктурах InGaAs/InAlAs, содержащих напряжённые вставки InAs и GaAs // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 67–68.
8.Пушкарёв С.С., Галиев Г.Б., Клочков А.Н., Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Грехов М.М., Ерёмин И.С. Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 81–82.
9.Пушкарёв С.С., Грехов М.М., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Ерёмин И.С., Коленцова О.С. Исследование кристаллической структуры метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом рентгеновской дифрактометрии в режиме омега-сканирования // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 83–84.
10.Пушкарёв С.С., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А. Анизотропные свойства гетероструктур (In, Ga, Al)As на подложках (100) GaAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). Т. 2. С. 634–635.
11.Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Просеков П.А., Имамов Р.М., Благов А.Е., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В. Характеризация НЕМТ-наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs на подложках InP с нановставками InAs в квантовой яме // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). Т. 2. С. 636–637.
12.Fedorov Yu.V., Mikhaylovich S.V. Effect of Heterostructure Parameters and Fabrication Technology on the Noise Properties of AlGaN/GaN HEMT // 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (Paris, France, Sept 7–8, 2015). Р. 144–147 (2015).
13.Михайлович С.В., Галиев Р.Р., Фёдоров Ю.В., Щербакова М.Ю. Разработка технологии изготовления двухзатворных HEMT миллиметрового диапазона на нитридных гетероструктурах // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта 2015 г.). С. 143–144 (2015).
14.Фёдоров Ю.В., Михайлович С.В. Анализ конструктивно-технологических требований к разработке усилителей мощности на нитридных гетероструктурах // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта, 2015 г.). С. 163–164 (2015).
15.Фёдоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Галиев Р.Р., Щербакова М.Ю., Павлов А.Ю., Михайлович С.В. Монолитные интегральные схемы усилителей мощности W-диапазона на основе AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта 2015 г.). С. 175–176 (2015).
16.Фёдоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Бугаев А.С., Матвеенко О.С., Галиев Р.Р., Зуев А.В. Разработка многофункциональных СВЧ МИС для ППМ Kа и V-диапазонов на гетероструктурах AlGaN/GaN и технологии их изготовления // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта, 2015 г.). С. 137–138 (2015).
17.Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С. Исследование малосигнальных S-параметров пассивных тестовых элементов на гетероструктурах AlGaN/GaN в диапазоне частот до 110 ГГц // 10-я всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и аллюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, 23–25 марта, 2015). С. 173–174.
18.Мальцев П.П., Фёдоров Ю.В., Матвеенко О.С., Гнатюк Д.Л., Павлов А.Ю., Крапухин Д.В., Путинцев Б.Г. Монолитные интегральные схемы со встроенными антеннами для V-диапазона на наногетероструктурах AlGaN/GaN // Международная конференция "Микроэлектроника 2015" (Алушта, 28 сентября – 3 октября 2015 г.). С. 203–205.
19.Гнатюк Д.Л., Фёдоров Ю.В., Зуев А.В., Майтама М.В., Матвеенко О.С., Крапухин Д.В. Опыт проектирования СВЧ МИС миллиметрового диапазона длин волн в ИСВЧПЭ РАН // XIV научно-техническая конференция "Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА" (Москва, 2015 г.). С. 129–130.
20.Рубан О.А., Алешин А.Н., Бугаев А.С., Ермакова М.А. Исследование MHEMT гетероструктуры с каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства // Сборник трудов 6-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения" (Москва, Россия, 20–21 мая, 2015 г.). С. 85–86 (2015).
21.Алешин А.Н., Рубан О.А. Структурная аттестация элементов гетероструктуры с квантовой ямой In0.4Ga0.6As, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на основе построения карт обратного пространства // Сборник трудов V Российско-Японского научно-технического Семинара "Современные методы исследования структуры материалов и их применение в материаловедении" (Москва, Россия, 8–9 октября, 2015 г.). С. 36–38 (2015).
22.Рубан О.А., Юзеева Н.А. Исследование поляризации в гетероструктурах на основе GaN методом вольт-фарадных характеристик // Сборник аннотаций 13-й Курчатовской молодежной научной школы (Москва, Россия, 27–30 октября 2015 г.). С. 137 (2015).
23.Кагирина К.А., Лаврухин Д.В., Мальцев П.П., Рубан О.А. Испытания на надежность монолитных интегральных схем КВЧ - диапазона с помощью автоматизированного модульного комплекса // Сборник тезисов докладов Российской научно-технической конференции "СЕРТИФИКАЦИЯ ЭКБ-2015" (Санкт-Петербург, Россия, 1–3 апреля 2015 г.).
24.Федоров Ю.В., Кагирина К.А., Лаврухин Д.В., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Рубан О.А. Анализ устойчивости ПС СВЧ диапазона к воздействию внешних факторов // Сборник тезисов Международной конференции "Микроэлектроника 2015" (Алушта, Россия, 28 сентября – 3 октября, 2015 г.). С. 208–210 (2015).
25.Кагирина К.А., Марфин В.А. Расширение аппаратно-программного комплекса для исследования радиационной стойкости сложно-функциональных СБИС прибором реконфигурируемого ввода/вывода // Сборник тезисов XVIII Международной телекоммуникационной конференции молодых ученых и студентов "Молодежь и наука" (Москва, Россия, январь–февраль 2015 г.). С. 104–105 (2015).
26.Marfin V.A., Nekrasov P.V., Kalashnikov O.A., Kagirina K.A. Using Modules NI PXI-7841R Rapid I/O Module for the Functional Control of the Microprocessors // International Siberian Conference on Control and Communications – SIBCON (Omsk, Russia, 21–23 May, 2015). DOI 10.1109/SIBCON.2015.7147142, 5 pages.
27.Арутюнян C.C., Томош К.Н. Формирование диэлектрической маски для селективного роста n+GaN в технологии невжигаемых омических контактов к структурам AlGaN/GaN // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.).
28.Щаврук Н.В., Мальцев П.П., Трофимов А.А., Кондратенко В.С., Зобов А.К. Разделение сапфировой пластины толщиной выше 300 мкм на кристаллы // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.).
29.Фёдоров Ю.В., Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Иванова Н.Е., Арутюнян С.С., Томош К.Н., Михалев А.О. Разработка базовой технологии создания монолитных интегральных схем усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурнах для приемо-передающих модулей // Материалы международной научно-технической конференции, 1–5 декабря 2015 г., INTERMATIC – 2015, часть 4, с. 240–243.
30.Щаврук Н.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Михалев А.О. Разработка базовой технологии разделения пластин карбида кремния на кристаллы методом дисковой резки // Материалы международной научно-технической конференции, 1–5 декабря 2015 г., INTERMATIC – 2015, часть 4.
Памяти Владимира Григорьевича Мокерова
20 мая 2015 года в ИСВЧПЭ РАН состоялось расширенное заседание Ученого совета, посвященное 75-летию создателя Института, члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова (02.05.1940 – 23.09.2008).
В заседании приняли участие вице-президент РАН, академик Жорес Иванович Алфёров и член Президиума РАН, академик Юрий Васильевич Гуляев.
30 лет назад Владимир Григорьевич Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института: в 1985 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода "Микрон" (Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН. В 2002 году Институт, учредителем которого ныне является ФАНО России, стал самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В.Г.Мокеров возглавлял в 2002–2008 годах.
Все выступающие отмечали, что В.Г.Мокеров сумел сделать то, что не удавалось почти никому, – в период общего разрушения экономики в начале 2000-х годов создать Институт СВЧ полупроводниковой электроники и за короткий срок вывести его разработки на уровень мировых достижений. Пусть не в серийном, но в опытном производстве. Тем самым в нашей стране было спасено одно из наиболее важных сегодня направлений развития промышленных технологий. Владимир Григорьевич оставил печатные труды, научные работы и достижения уровня открытий.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники – это Дело, которому В.Г.Мокеров посвятил свою жизнь. И сегодня Институт продолжает активно работать.
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар "Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем", руководит им чл.-корр. РАН д.ф.-м.н. В.И.Рыжий.
Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора–заместителя директора по НИОКР Ю.В.Фёдорова.
Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники по следующим направлениям:
•элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника (расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200–250 ГГц и выше; разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями с диапазоном частот 50–250 ГГц и гетероструктурных СВЧ МИС для систем беспроводной связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т. д.);
•нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника (технология и физика квантово-размерных гетероструктур; разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов; микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов; создание терагерцевых устройств для частот от 300 до 900 ГГц.
Немного истории
Утверждать, что Институт создан в 2002 году, не совсем правильно. Предпосылки для его формирования появились в начале 1980-х годов, когда основатель Института и его первый директор Владимир Григорьевич Мокеров работал в Зеленограде в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ). Уже тогда В.Г.Мокеров с сотрудниками переключились на гетероструктурную электронику, поскольку осознавали "чрезвычайную перспективность зарождавшегося направления" (слова В.Г.Мокерова, неопубликованное интервью журналу "ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ"). Именно гетероструктуры дали мощный импульс развитию современной твердотельной СВЧ-электроники, созданию нового поколения телекоммуникационных и локационных систем. Быстро освоив технологию молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур AlGaAs/GaAs, В.Г.Мокеров с сотрудниками разработал первые отечественные гетероструктуры с электронной подвижностью выше 106 см 2/ (В · с) (при Т = 4,2К), что в то время соответствовало лучшим мировым достижениям.
Основные разработки отдела под руководством В.Г.Мокерова в тот период:
1.первый отечественный НЕМТ (high electron mobility transistor) – транзистор с высокой подвижностью электронов;
2.логические вентили с рекордной для того времени (1983 год) задержкой распространения сигнала менее 30 пс;
3.технология первых НЕМТ БИС ОЗУ с субнаносекундным быстродействием (время выборки менее 0,8 нс).
Тогда же (1983–1985 годы) состоялась встреча В.Г.Мокерова с будущим Нобелевским лауреатом, выдающимся ученым, академиком Жоресом Ивановичем Алферовым. В.Г.Мокеров вошел в состав академической секции "Полупроводниковые гетероструктуры", через которую Ж.И.Алферов руководил и координировал фундаментальные и прикладные исследования в этой области по всей стране. На В.Г.Мокерова как представителя электронной промышленности было возложено руководство работами в области гетероструктурной электроники.
В начале 1989 года в связи со сворачиванием работ по гетероструктурам В.Г.Мокеров по приглашению академика Ю.В.Гуляева перешел в Институт радиотехники и электроники (ИРЭ) Академии наук. Это было время стремительного разрушения экономики, в том числе и электроники. Потрясения не обошли стороной и Академию наук. Начался массовый отток российских ученых за рубеж, распадались знаменитые и, казалось бы, несокрушимые научные коллективы, НИИ и заводы. В таких условиях В.Г.Мокеров создает институт СВЧ полупроводниковой электроники, формирует и укрепляет научный коллектив, продолжает проводить исследования в области физики и технологии гетероструктур и приборные разработки.
Необходимость в таком институте назрела давно, поскольку в российском "гетероструктурном мире" сложилась парадоксальная ситуация. С одной стороны, в институтах РАН были получены выдающиеся научные результаты в области физики и технологии наногетероструктур. А с другой стороны, реального применения в промышленной электронике эти технологии не находили: в России в то время не производились ни транзисторы, ни тем более микросхемы на гетероструктурах.
Именно для "сращивания" высокой "гетероструктурной" науки с электроникой и нужен был институт, который наряду с фундаментальными исследованиями физики и технологии гетероструктур, разработкой новых гетероструктурных приборов был призван способствовать внедрению новых научных разработок в производство.
К этому времени стало меняться и отношение к СВЧ твердотельной электронике, которая определяла уровень развития радиолокации и широкополосных телекоммуникаций, где требовались все более высокие частоты (до сотен гигагерц) для сверхскоростной передачи данных.
Институт СВЧПЭ в 2002–2010 годы
В первые годы работы в Институте была создана уникальная, единственная в стране экспериментальная технологическая линия по изготовлению гетероструктурных приборов, которая охватывала весь цикл – от выращивания эпитаксиальных наногетероструктур до изготовления транзисторов и микросхем. В ее составе участок молекулярно-лучевой эпитаксии, где формировались гетероэпитаксиальные структуры, УФ- и электронная литография, а также весь необходимый комплект технологических установок – напыления металла, травления, формирования диэлектрических слоев и т.д.
Уникальными были и отдельные образцы оборудования. Например, электронный литограф с разрешением 100–150 нм, соответствующий мировому промышленному уровню, был фактически создан заново сотрудниками института на базе электронно-лучевого литографа EBMF-2 (Cambridge Instruments). В результате процесс электронно-лучевой литографии стал воспроизводимым и управляемым.
На установке контактной УФ-литографии были получены элементы с минимальными размерами, до 140 нм.
Более того, в технологии HEMT-транзисторов был разработан и освоен процесс формирования грибообразных затворов. Грибообразные затворы с малым размером "ножки" и одновременно большой площадью сечения "шляпки" уменьшают емкость и сопротивление затвора, а от этого зависят частотные свойства транзисторов. Разработка технологии получения таких затворов с применением многослойной системы электронных резистов была одним из главных достижений Института – полученные HEMT-транзисторы имели предельно высокие частоты.
С созданием единственной в стране технологической линии по изготовлению гетероструктурных приборов одновременно была решена еще одна важная задача – объединение производства гетероэпитаксиальных подложек и приборов, поскольку, как показали исследования, под каждую задачу (прибор, схему) надо разрабатывать уникальную гетероструктуру. Создание нового прибора (схемы) начинается с исследований параметров транзисторной структуры, с формирования требований к гетероэпитаксиальным слоям, и только затем можно приступать к разработке схемы с заданными параметрами. Централизованные исследования, технологические разработки и изготовление опытных образцов в одном институте дали отличные результаты. Как следствие, к 2006 году 20-летнее отставание в области СВЧ-транзисторов было ликвидировано – на основе GaAs PHEMT-структур были получены малошумящие транзисторы для приемных каналов и мощные усилительные модули. Было достигнуто абсолютно рекордное значение коэффициента шума транзисторов – 0,35 дБ на частоте 10 ГГц. Мощные транзисторы имели удельную мощность более 1 Вт/мм (по отношению к ширине затвора) и КПД более 45%, что соответствовало лучшим зарубежным результатам.
Основные работы В.Г.Мокерова вошли в книгу "Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике" (Техносфера, 2010, 432 с.)
Институт СВЧПЭ в период с 2010-го по настоящее время
После ухода из жизни Владимира Григорьевича (сентябрь 2008 года) в ИСВЧПЭ РАН продолжались начатые исследования и разработки. Основные из них:
1.исследованы физические основы и создана технология молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений АIIIВV с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ-приборов, включая PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP;
2.разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP, а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами до 100 ГГц;
3.разработана технология изготовления транзисторов и МИС на базе современной электронно-лучевой литографии (нанолитографы RAITH150-TWO, NOYAGER). Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм с максимальными частотам до 630 ГГц.
Были созданы:
1.МИС для приемного модуля КВЧ-диапазона, включая МШУ КВЧ (MНЕМТ на GaAs), смеситель с подавлением зеркального канала, генератор, управляемый напряжением и МШУ промежуточной частоты;
2.МИС усилителя мощности КВЧ-диапазона с выходной мощностью более 300 мВт (MНЕМТ на GaAs) и выходной мощностью более 1 Вт на основе НЕМТ AlGaN/AlN/GaN на сапфировой или SiC-подложке;
3.МИС диапазона частот 56–64 ГГц, включающих МШУ на основе PНЕМТ на подложках InP и усилитель мощности (MНЕМТ на GaAs) и со встроенными антеннами на HEMT AlGaN/AlN/GaN.
За последние пять лет по заказу Минобрнауки России в ИСВЧПЭ РАН в рамках ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008–2015 годы были разработаны:
1.базовая технология изготовления встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10–12 ГГц (2010–2011 годы);
2.базовые серийные технологии изделий микроэлектроники: систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов (СВЧ-усилители и встроенные антенны) (2011–2012 годы);
3.базовые серийные технологии изделий микроэлектроники: микроэлектронных устройств различных типов (КВЧ монолитных интегральных схем на метаморфных наногетероструктурах) (2011–2012 годы).
Проведены исследования:
1.по разработке базовых технологий изделий микроэлектроники (систем на кристалле, в том числе СВЧ-коммутаторов сигналов и варакторов) совместно с МИРЭА (2011–2012 годы);
2.перспективных конструкций и технологических принципов формирования квантовых структур для терагерцевого диапазона частот (2012–2013 годы);
3.перспективных типов сверхвысокочастотных приборов (92–96 ГГц) и технологических принципов их изготовления (2013–2015 годы).
Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56–64 ГГц, 71–76 ГГц, 81–86 ГГц, 94–96 ГГц и 115–130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур АIIIВV. Кроме того, продолжатся исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200–300 ГГц и выше).
Запланировано участие ИСВЧПЭ в ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России" на 2014–2020 годы по заказу Минобрнауки России. Будут проведены:
1.ПНИ "Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8–12 ГГц" (2014–2016 годы);
2.ПНИ "Разработка наногетероструктур на подложках фосфида индия для приборов СВЧ-наноэлектроники (100–300 ГГц)" (2014–2015 годы);
3.ПНИ "Разработка конструкторско-технологических решений создания МИС усилителей мощности на широкозонных полупроводниках для современной радиоаппаратуры в поддиапазоне частот 42–46 ГГц" (2014–2016 годы);
4.ПНИ "Разработка конструктивно-технологических принципов создания однокристальных приемо-передающих модулей для современных широкополосных систем беспроводной связи и передачи информации в диапазоне частот 57–64 ГГц" (2014–2016 годы);
5.ПНИ "Разработка МИС однокристальных приемо-передающих модулей для диапазона частот 23–25 ГГц на основе нитрида галлия" (2015–2017 годы).
Огромный объем исследований и разработок приборов и схем СВЧ-диапазона, выполненный сотрудниками ИСВЧПЭ, можно представить по приведенному в конце статьи списку статей, опубликованных только в 2015 году.
СВЧ-технологии –
основа электроники будущего
В России, как и за рубежом, технологии создания изделий СВЧ-электроники относятся к категории критичных. Очевидно, что сегодня именно разработка новых материалов и развитие микроэлектронных технологий СВЧ-электроники определяют требуемые характеристики радиоэлектронной аппаратуры, а также конечных комплексов и систем. В этом состоит важная особенность современного этапа развития СВЧ-технологий.
Технологические направления развития СВЧ-электроники
Системы мобильной беспроводной связи. Голосовая сотовая связь поколения 2G (GSM, CDMA, DAMPS) сменилась (дополнилась) системами передачи данных. Затем появилось поколение 3G – сотовая телефония с возможностью скоростной передачи данных (на уровне 1 Мбит/с), 4G – WiMAX и LTE, а сегодня – системы 4G (LTE и LTE Advanсed).
Интернет вещей, связь М2М, интеллектуальные производства. Расширяется сфера применения самых разных устройств сбора данных, датчиков, в частности, на основе СВЧ RFID-технологий.
СВЧ-системы радиорелейной связи. По мере развития технологий беспроводной связи возросла потребность в средствах создания беспроводных широкополосных каналов связи. Стали интенсивно развиваться системы связи Е-диапазона (71–76/81–86 ГГц).
СВЧ-системы локальной передачи данных. Системы WiFi, Bluetooth и ZigBee работают в основном в диапазонах от 2,4 до 5 ГГц. Однако примерно с 2010 года начали развиваться коммерческие системы передачи данных в диапазоне 60 ГГц – системы WiGig и WirelessHD.
Системы волоконно-оптической связи. В этих системах СВЧ-технологии незаменимы для реализации протоколов класса 100GB и 400GB Ethernet и стандартов OTN (с агрегатной скоростью в канале на уровне 100 и 400 Гбит/с). Основные элементы оптических трансиверов – СВЧ СБИС.
Досмотровые комплексы безопасности. Рентгеновские досмотровые комплексы в аэропортах и на других объектах уступают место системам миллиметрового диапазона. Это важно с точки зрения медицинской безопасности СВЧ-сканеров, которые обладают широкими возможностями.
Автомобильные радары, системы активной безопасности. Автомобильные радары, работающие в диапазоне 77–79 ГГц – одно из направлений, которое в ближайшее время будет развиваться чрезвычайно активно.
Системы миллиметрового и субмиллиметрового (терагерцевого) диапазонов – одна из важнейших областей развития СВЧ-технологий. Можно выделить телекоммуникационные СВЧ-системы миллиметрового диапазона; беспроводные системы межсоединений для суперкомпьютеров; системы сверхвысокоскоростной ближней связи (диапазон порядка 320 ГГц); системы СВЧ-связи между компонентами на плате; СВЧ-передачу энергии на ближние и дальние расстояния; СВЧ-сенсоры и технологии, СВЧ RFID-технологии; радарные технологии; СВЧ-зрение, пассивную СВЧ-локацию; микроволновую наноскопию (наноразмерную микроскопию), аналитические ТГц-инструменты; биомедицинские приложения СВЧ; СВЧ-биосенсоры.
* * *
Институт СВЧПЭ РАН активно участвует в выполнении стратегической программы исследований технологической платформы "СВЧ-технологии", которая включена в перечень основных технологических платформ, утвержденный решениями Правительственной комиссии по высоким технологиям и инновациям, в апреле 2011 года. Ежегодно на основе предложений участников ТП формируется подробный тематический план работ и проектов ТП в сфере исследований и разработок по трем основным взаимосвязанным технологическим направлениям – электронное материаловедение, электронные СВЧ-компоненты и СВЧ-радиоприборостроение.
В соответствии с Постановлением Правительства Российской Федерации от 9 апреля 2010 года № 218 "О мерах государственной поддержки развития кооперации российских высших учебных заведений и организаций, реализующих комплексные проекты по созданию высокотехнологического производства" ИСВЧПЭ РАН выполнил ОКТР "Разработка базовой технологии и организация высокотехнологического производства изготовления высокоэффективных теплоотводящих элементов конструкции из поликристаллического алмаза для активных компонентов изделий электронной техники" по инициативе индустриального партнера АО "НПП "Исток" им. А.И.Шокина". В апреле 2013 года Институт стал победителем IV очереди конкурса, проводимого в соответствии с постановлением № 218.
Основные работы, выполняемые ИСВЧПЭ РАН по заказу Минобрнауки России, были представлены на научно-практической конференции по итогам реализации в 2015 году прикладных научных исследований и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям в соответствии с федеральной целевой программой "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы" в рамках III ежегодной национальной выставки-форума ВУЗПРОМЭКСПО-2015, которая проводилась 2–4 декабря 2015 года.
Cведения о публикациях Федерального государственного бюджетного учреждения науки ИСВЧПЭ РАН за 2015 год
Публикации в журналах, индексируемых в базах данных Web of Science и Scopus
1.Khabibullin R.A., Yachmenev A.E., Lavrukhin D.V., Ponomarev D.S., Bugayev A.S., Maltsev P.P. Pseudomorphic HEMT with Sn nanowires on a vicinal GaAs substrate // Semicond. Sci. Technol., V. 30. 085009 (2015).
2.Лаврухин Д.В., Ячменев А.Э., Бугаев А.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Пономарев Д.С., Мальцев П.П. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с дельта-легированными слоями Si // ФТП. Т. 49. Вып. 7. С. 932–935 (2015).
3.Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С., Мальцев П.П. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 2. С. 241–248.
4.Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Мальцев П.П. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As на подложках GaAs // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 7. С. 942–950.
5.Galiev G.B., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Klochkov A.N., Maltsev P.P., Presniakov M.Yu., Trunkin I.N., Vasiliev A.L. Electrophysical and structural properties of the composite quantum wells In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As with ultrathin InAs inserts // Journal of Materials Research. 2015. V. 30. Is. 20. P. 3020–3025.
6.Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П. Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1−xAs со вставками InAs // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 2.
С. 204–213.
7.Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Казаков И.П., Червяков А.В. Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1238–1242.
8.Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С., Мальцев П.П. Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур InxAl1−xAs/InyGa1−yAs/InxAl1−xAs с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 9. С. 1243–1253.
9.Глинский И.А., Зенченко Н.В. Расчет теплораспределяющего элемента конструкции для мощных СВЧ-транзисторов. Микроэлектроника. Т. 44. №4. С. 269–274 (2015).
10.Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A. Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT-structures by the Shubnikov – de Haas effect at two temperatures // Physics Procedia. V.72. P. 425–30 (2015).
11.Алешин А.Н., Бугаев А.С., Ермакова М.А., Рубан О.А. Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства // ФТП. Т. 49. Вып. 8. С. 1065–1070 (2015).
12.Лаврухин Д.В., Хабибуллин Р.А., Пономарев Д.С., Мальцев П.П. Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой InxGa1−xAs с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения // ФТП. Т. 49. Вып. 9. С. 1254–1257 (2015)
13.Lavrukhin D.V., Yachmenev A.E., Galiev R.R., Bugaev A.S., Fedorov Y.V., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S., Maltsev P.P. Investigation and Fabrication of the Semiconductor Devices Based on Metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures for THz Applications // Int. J. High Speed Electronics Systems. V. 24. 1520001 [5 pages] (2015).
14.Melekhov A.P., Lavroukhine D.V. The application of the temperature wave technique for investigation of the influence of the magnetic field on the acoustic properties of wafer // Physics Procedia, V. 73. Р. 193–197 (2015).
15.Khabibullin R.A., Galiev G.B., Ponomarev D.S., Maltsev P.P. Metamorphic Nanoheterostructures for Millimeter-Wave Electronics // Nanotechnologies in Russia. V. 10. Nos. 7–8. Р. 593–599 (2015).
16.Громов Д.В., Мальцев П.П., Полевич С.А. Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях АIIIВV // ФТП. Т. 50. Вып. 2. С. 223–228 (2015).
17.Ryzhii V., Ryzhii M., Mitin V., Shur M.S., Otsuji T. Negative terahertz conductivity in remotely doped graphene bilayer heterostructures // Journal of applied physics. V.118.183105 (2015).
Публикации в журналах индексируемых в РИНЦ (не включены публикации из пункта 1)
1.Галиев Р.Р., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Майтама М.В., Матвеенко О.С., Михайлович С.В., Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю. Нитридные технологии для освоения миллиметрового диапазона длин волн // НМСТ. №2. С. 21–32 (2015).
2.Фёдоров Ю.В., Михайлович С.В. Нитридные НЕМТ против арсенидных: последняя битва? // Известия вузов. Материалы электронной техники. Т.18. №1(69). С. 16–22 (2015).
3.Фёдоров Ю.В., Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Путинцев Б.Г., Павлов А.Ю., Зуев А.В. МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах // Наноиндустрия. №3. С. 44–51.
4.Глинский И.А., Редькин С.В., Духновский М.П., Куликов Е.Н., Смирнова А.К., Фёдоров Ю.Ю. Формирование нанокристаллических слоев пористого анодного оксида алюминия на высокоомной кремниевой подложке для роста поликристаллического алмаза // НМСТ. № 4. С. 15–20 (2015).
5.Сенечкин А.П., Бугаев А.С., Ячменев А.Э. Оптические и электрофизические свойства PHEMT наногетероструктур с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова // НМСТ. № 1. С. 27–32 (2015).
6.Мальцев П.П., Редькин С.В., Скрипниченко А.С., Побойкина Н.В., Духновский М.П., Смирнова А.К. Технология лазерной резки поликристаллических алмазных пластин // НМСТ. № 5. 2015. С. 44–48.
Публикации в материалах научных мероприятий (съездов, конференций, симпозиумов, школ и т. п.)
1.Galiev G.B., Klochkov A.N., Vasil’evskii I.S., Klimov E.A., Lavruhin D.V., Pushkarev S.S. Photoluminescence spectra of the modulation-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with strained InAs and GaAs sublayers // Proceedings of the 23rd International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (Saint Petersburg, Russia, June 22–26, 2015). P. 103–104.
2.Galiev G.B., Grekhov M.M., Vasiliev A.L., Klimov E.A., Klochkov A.N., Vasil’evskii I.S., Lavruhin D.V., Pushkarev S.S., Trunkin I.N. Structural and photoluminescent properties of low-temperature GaAs grown on GaAs (100) and (111)A substrates // Proceedings of the 23rd International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (Saint Petersburg, Russia, June 22–26, 2015). P. 214–215.
3.Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С. Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, 21–25 сентября 2015 г.). С. 155.
4.Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С. Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, 21–25 сентября 2015 г.). С. 262.
5.Пушкарёв С.С., Грехов М.М., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Коленцова О.С., Имамов Р.М., Ганин Г.В. Диагностика кристаллической структуры метаморфных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме омега-сканирования // Сборник трудов VI Всероссийской молодёжной конференции по фундаментальным и инновационным вопросам современной физики. – М.: РИИС ФИАН. 2015. С. 110.
6.Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Кульбачинский В.А. Зонные диаграммы и электрофизические параметры НЕМТ-структур InGaAs/InAlAs // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 18–19.
7.Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Пушкарёв С.С. Спектр электронов и дырок в полупроводниковых гетероструктурах InGaAs/InAlAs, содержащих напряжённые вставки InAs и GaAs // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 67–68.
8.Пушкарёв С.С., Галиев Г.Б., Клочков А.Н., Климов Е.А., Лаврухин Д.В., Грехов М.М., Ерёмин И.С. Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 81–82.
9.Пушкарёв С.С., Грехов М.М., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Ерёмин И.С., Коленцова О.С. Исследование кристаллической структуры метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом рентгеновской дифрактометрии в режиме омега-сканирования // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.). С. 83–84.
10.Пушкарёв С.С., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А. Анизотропные свойства гетероструктур (In, Ga, Al)As на подложках (100) GaAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). Т. 2. С. 634–635.
11.Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Просеков П.А., Имамов Р.М., Благов А.Е., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В. Характеризация НЕМТ-наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs на подложках InP с нановставками InAs в квантовой яме // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). Т. 2. С. 636–637.
12.Fedorov Yu.V., Mikhaylovich S.V. Effect of Heterostructure Parameters and Fabrication Technology on the Noise Properties of AlGaN/GaN HEMT // 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (Paris, France, Sept 7–8, 2015). Р. 144–147 (2015).
13.Михайлович С.В., Галиев Р.Р., Фёдоров Ю.В., Щербакова М.Ю. Разработка технологии изготовления двухзатворных HEMT миллиметрового диапазона на нитридных гетероструктурах // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта 2015 г.). С. 143–144 (2015).
14.Фёдоров Ю.В., Михайлович С.В. Анализ конструктивно-технологических требований к разработке усилителей мощности на нитридных гетероструктурах // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта, 2015 г.). С. 163–164 (2015).
15.Фёдоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Галиев Р.Р., Щербакова М.Ю., Павлов А.Ю., Михайлович С.В. Монолитные интегральные схемы усилителей мощности W-диапазона на основе AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта 2015 г.). С. 175–176 (2015).
16.Фёдоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Бугаев А.С., Матвеенко О.С., Галиев Р.Р., Зуев А.В. Разработка многофункциональных СВЧ МИС для ППМ Kа и V-диапазонов на гетероструктурах AlGaN/GaN и технологии их изготовления // 10-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, Россия, 23–25 марта, 2015 г.). С. 137–138 (2015).
17.Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С. Исследование малосигнальных S-параметров пассивных тестовых элементов на гетероструктурах AlGaN/GaN в диапазоне частот до 110 ГГц // 10-я всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и аллюминия – структуры и приборы" (Санкт-Петербург, 23–25 марта, 2015). С. 173–174.
18.Мальцев П.П., Фёдоров Ю.В., Матвеенко О.С., Гнатюк Д.Л., Павлов А.Ю., Крапухин Д.В., Путинцев Б.Г. Монолитные интегральные схемы со встроенными антеннами для V-диапазона на наногетероструктурах AlGaN/GaN // Международная конференция "Микроэлектроника 2015" (Алушта, 28 сентября – 3 октября 2015 г.). С. 203–205.
19.Гнатюк Д.Л., Фёдоров Ю.В., Зуев А.В., Майтама М.В., Матвеенко О.С., Крапухин Д.В. Опыт проектирования СВЧ МИС миллиметрового диапазона длин волн в ИСВЧПЭ РАН // XIV научно-техническая конференция "Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА" (Москва, 2015 г.). С. 129–130.
20.Рубан О.А., Алешин А.Н., Бугаев А.С., Ермакова М.А. Исследование MHEMT гетероструктуры с каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства // Сборник трудов 6-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения" (Москва, Россия, 20–21 мая, 2015 г.). С. 85–86 (2015).
21.Алешин А.Н., Рубан О.А. Структурная аттестация элементов гетероструктуры с квантовой ямой In0.4Ga0.6As, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на основе построения карт обратного пространства // Сборник трудов V Российско-Японского научно-технического Семинара "Современные методы исследования структуры материалов и их применение в материаловедении" (Москва, Россия, 8–9 октября, 2015 г.). С. 36–38 (2015).
22.Рубан О.А., Юзеева Н.А. Исследование поляризации в гетероструктурах на основе GaN методом вольт-фарадных характеристик // Сборник аннотаций 13-й Курчатовской молодежной научной школы (Москва, Россия, 27–30 октября 2015 г.). С. 137 (2015).
23.Кагирина К.А., Лаврухин Д.В., Мальцев П.П., Рубан О.А. Испытания на надежность монолитных интегральных схем КВЧ - диапазона с помощью автоматизированного модульного комплекса // Сборник тезисов докладов Российской научно-технической конференции "СЕРТИФИКАЦИЯ ЭКБ-2015" (Санкт-Петербург, Россия, 1–3 апреля 2015 г.).
24.Федоров Ю.В., Кагирина К.А., Лаврухин Д.В., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Рубан О.А. Анализ устойчивости ПС СВЧ диапазона к воздействию внешних факторов // Сборник тезисов Международной конференции "Микроэлектроника 2015" (Алушта, Россия, 28 сентября – 3 октября, 2015 г.). С. 208–210 (2015).
25.Кагирина К.А., Марфин В.А. Расширение аппаратно-программного комплекса для исследования радиационной стойкости сложно-функциональных СБИС прибором реконфигурируемого ввода/вывода // Сборник тезисов XVIII Международной телекоммуникационной конференции молодых ученых и студентов "Молодежь и наука" (Москва, Россия, январь–февраль 2015 г.). С. 104–105 (2015).
26.Marfin V.A., Nekrasov P.V., Kalashnikov O.A., Kagirina K.A. Using Modules NI PXI-7841R Rapid I/O Module for the Functional Control of the Microprocessors // International Siberian Conference on Control and Communications – SIBCON (Omsk, Russia, 21–23 May, 2015). DOI 10.1109/SIBCON.2015.7147142, 5 pages.
27.Арутюнян C.C., Томош К.Н. Формирование диэлектрической маски для селективного роста n+GaN в технологии невжигаемых омических контактов к структурам AlGaN/GaN // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.).
28.Щаврук Н.В., Мальцев П.П., Трофимов А.А., Кондратенко В.С., Зобов А.К. Разделение сапфировой пластины толщиной выше 300 мкм на кристаллы // Сборник трудов 6-ой Международной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения" (Москва, 20–21 мая 2015 г.).
29.Фёдоров Ю.В., Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Иванова Н.Е., Арутюнян С.С., Томош К.Н., Михалев А.О. Разработка базовой технологии создания монолитных интегральных схем усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурнах для приемо-передающих модулей // Материалы международной научно-технической конференции, 1–5 декабря 2015 г., INTERMATIC – 2015, часть 4, с. 240–243.
30.Щаврук Н.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Михалев А.О. Разработка базовой технологии разделения пластин карбида кремния на кристаллы методом дисковой резки // Материалы международной научно-технической конференции, 1–5 декабря 2015 г., INTERMATIC – 2015, часть 4.
Памяти Владимира Григорьевича Мокерова
20 мая 2015 года в ИСВЧПЭ РАН состоялось расширенное заседание Ученого совета, посвященное 75-летию создателя Института, члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова (02.05.1940 – 23.09.2008).
В заседании приняли участие вице-президент РАН, академик Жорес Иванович Алфёров и член Президиума РАН, академик Юрий Васильевич Гуляев.
30 лет назад Владимир Григорьевич Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института: в 1985 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода "Микрон" (Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН. В 2002 году Институт, учредителем которого ныне является ФАНО России, стал самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В.Г.Мокеров возглавлял в 2002–2008 годах.
Все выступающие отмечали, что В.Г.Мокеров сумел сделать то, что не удавалось почти никому, – в период общего разрушения экономики в начале 2000-х годов создать Институт СВЧ полупроводниковой электроники и за короткий срок вывести его разработки на уровень мировых достижений. Пусть не в серийном, но в опытном производстве. Тем самым в нашей стране было спасено одно из наиболее важных сегодня направлений развития промышленных технологий. Владимир Григорьевич оставил печатные труды, научные работы и достижения уровня открытий.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники – это Дело, которому В.Г.Мокеров посвятил свою жизнь. И сегодня Институт продолжает активно работать.
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар "Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем", руководит им чл.-корр. РАН д.ф.-м.н. В.И.Рыжий.
Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора–заместителя директора по НИОКР Ю.В.Фёдорова.
Отзывы читателей
