В статье рассказывается о новой технологии изготовления быстродействующих бескорпусных p i n диодов с балочными выводами и малыми потерями на СВЧ, реализуемой на базе кремниевых мембран. Технология предусматривает получение методом химико динамического травления кремниевого слоя (5—10 мкм), достаточно большого по площади (до 20 см2) и равномерного по толщине.
Благодаря тому, что слой получают в центральной области пластины, она приобретает вид полупроводниковой мембраны. Электрические параметры создаваемых на основе этой технологии бескорпусных p i n диодов с малым временем переключения и мощностью управления сравнимы с параметрами лучших зарубежных аналогов и даже превосходят их.