Вот уже несколько десятилетий изготовители ИС памяти представляют себе чашу Грааля как быстродействующую репрограммируемую память с высокой скоростью считывания/записи и низкой стоимостью, характерными для ОЗУ, и свойством энергонезависимости, присущим ПЗУ. Примененив в ячейке ОЗУ накопительный элемент на базе пленки сегнетоэлектрика, разработчики ИС памяти, похоже, приблизились к заветной цели. В обзоре мирового полупроводникового рынка и производства “Status”, ежегодно публикуемого фирмой Integrated Circuit Engineering (ICE), в 1996 году впервые отмечено появление нового сектора перспективных схем энергонезависимой памяти — сегнетоэлектрических ОЗУ — СэОЗУ, или FRAM. Эти схемы созданы в конце 80"х годов фирмой Ramtron (образована в 1984 году), уже затратившей на их разработку более 100 млн. долл. По прогнозам аналитической фирмы In"Stat, объем продаж СэОЗУ в 1998 году достигнет 40—50 млн. долл., а к концу столе" тия — 200 млн. долл. Как отмечается в программе развития схем СэОЗУ фирмы Hitachi, к 1999 году они смогут заменить ДОЗУ и до 80% СОЗУ малой (менее 1 Мбит) емкости. При достижении емкости более 16 Мбит СэОЗУ могут даже стать “универсальной” схемой памяти.