eng
Выпуск #1/2017
Ю.Ковалевский
Микроэлектронные минифабрики в российском ОПК – путь к импортонезависимости в сфере ЭКБ расширенное заседание секции № 4 МРГ по ЭКБ при коллегии ВПК РФ
Микроэлектронные минифабрики в российском ОПК – путь к импортонезависимости в сфере ЭКБ расширенное заседание секции № 4 МРГ по ЭКБ при коллегии ВПК РФ
Просмотры: 2770
DOI: 10.22184/1992-4178.2017.161.1.60.67
Заседание проводил руководитель секции № 4 МРГ по ЭКБ при коллегии ВПК РФ, заместитель генерального директора – статс-секретарь АО "Росэлектроника", председатель Координационного совета разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры, электронной компонентной базы и продукции машиностроения при Правлении Центрального совета "Союза машиностроителей России" А. В. Брыкин.
В своем вступительном докладе А. В. Брыкин рассказал о работах, которые были проведены в 2016 году как по линии Координационного совета, так и по линии Межведомственной рабочей группы. В рамках этих работ внимание было уделено более чем 10 тематикам. Основные вопросы были связаны с гособоронзаказом, большое внимание уделялось военно-научному сопровождению исследований и разработок, вопросам импортозамещения, а также Федеральному закону "О государственном оборонном заказе" от 29 декабря 2012 года № 275-ФЗ, который докладчик подверг определенной критике, указав на то, что данный закон способен привести к снижению объемов ресурсов для ведения финансово-хозяйственной деятельности предприятиями отрасли.
По словам А. В. Брыкина, было проведено 69 заседаний рабочей группы по вопросам, связанным с гособоронзаказом, что оказалось очень хорошим инструментом и показало, что участники отрасли научились договариваться друг с другом. Также докладчик выразил благодарность представителям военных структур за возможность ведения конструктивного диалога.
В отношении работы секции № 4 А. В. Брыкин сообщил, что данное мероприятие являлось четвертым собранием за полугодие и за это время было рассмотрено 11 вопросов. Также было проведено совместное заседание с Координационным советом.
А. В. Брыкин заострил внимание на подготовке плана разработки Программы развития полупроводниковых и опто-фотоэлектронных приборов, а также критических изделий электроники до 2030 года, который должен быть разработан рабочей группой в течение ближайших месяцев, и сообщил о текущем состоянии дел в этом направлении. Докладчик пригласил всех желающих войти в состав рабочей группы, которая формируется для решения данной задачи, а также сообщил, что в ближайшее время в АО "Росэлектроника" на основе предложений "Алмаз-Антея" и "Швабе" будет подготовлен проект структуры данной программы. Разрабатываемый план станет составной частью подготавливаемой ВПК совместно с Минпромторгом стратегии развития радиоэлектронной промышленности.
Далее прозвучал центральный доклад заседания, посвященный основной его теме: "Микроэлектронные минифабрики в российском ОПК – путь к импортонезависимости в сфере ЭКБ". Доклад представил генеральный директор АО "НИИМА "Прогресс" В. В. Шпак.
В самом начале своего выступления докладчик, приведя несколько цитат, принадлежащих академику РАН, д. т. н., проф. Г. Я. Красникову и академику РАН, д. т. н., проф. А. И. Савину, указал на ключевую важность для независимости страны, как технологической, так и политико-экономической, наличия собственной технологии создания микроэлектроники.
Среди приведенных цитат были следующие слова А. И. Савина: "В конце 80-х годов стало очевидным, что ситуацию надо менять, что привело к концепции минифабрик. Их основная идея – дать предприятиям возможность самим отрабатывать опытные образцы ИС…"
В. В. Шпак продолжил, что само слово "минифабрика" в России стало именем нарицательным, причем не всегда с положительным смыслом, и эту ситуацию хотелось бы изменить. Он привел список предприятий, которые достаточно успешно решают свои задачи при помощи собственных минифабрик. В этот список вошли: НИИСИ РАН, НПФ "Микран", "ОКБ-Планета", "Светлана-Рост", "РКС" и ЦНИРТИ им. Берга.
Говоря о зарубежном опыте, докладчик предложил ориентироваться на технологических лидеров – США и Японию. Среди американских предприятий, являющихся или обладающих минифабриками, были названы: Trusted Foundry, American Mini Foundry, Furtfab. Последняя компания работает с пластинами диаметром два дюйма. Также были приведены японские организации: консорциум HALCA Project, а также компания MINIMAL FAB, которая направлена на создание оборудования для изготовления малых серий СБИС на полудюймовых пластинах. По словам докладчика, в Японии еще десять лет назад была принята концепция, согласно которой развитие электроники для специальных нужд в этой стране будет происходить только посредством минифабрик.
Далее В. В. Шпак привел ряд цифр, показывающих степень существующей импортозависимости в области микроэлектроники (табл.1). Несмотря на отсутствие данных по отдельным направлениям, общий объем ежегодного импорта оказался достаточно велик: порядка 755 млрд. руб. Это та цифра, которая при наличии собственной технологии, материалов, САПР и проч. внутри Российской Федерации оставалась бы в экономике России и развивала бы высокотехнологичный сектор страны.
Докладчик обратил внимание, что совсем недавно компания TSMC заявила о начале в 2017 году строительства фабрики для проектной нормы 5 нм и менее, которое планируется закончить в 2019 году, а начать серийный выпуск в 2020-м. Озвученный бюджет составляет 15 млрд. долл. Как можно заметить, эта цифра по порядку величины близка указанному выше объему ежегодного импорта по направлению микроэлектроники в России.
Несмотря на то, что при снижении топологической нормы количество фабрик кратно уменьшается и на сегодняшний момент только две компании шагнули в область нормы 10 нм: Samsung и TSMC, – докладчик указал на необходимость движения в сторону меньших значений топологических норм, поскольку через определенное время такие нормы могут оказаться весьма востребованными в перспективной специальной аппаратуре.
В. В. Шпак указал, что для решения задач будущего отрасли необходимы и крупносерийные производства ЭКБ для наращивания доли гражданской продукции, и мелкосерийные минифабрики, которые позволили бы решать специальные и военные задачи непосредственно на предприятиях ОПК. Как только у этих предприятий появляются такие возможности, они перестают зависеть от кого-либо и в состоянии сами планировать свою работу по модернизации, по появлению новых перспективных систем, вооружений и проч.
Далее докладчик обратился к топологическим нормам и рассказал о некоторых перспективах кремниевой технологии и технологии A3B5 (табл.2).
В таблице в скобках после значений теоретических пределов приведены институты, которые назвали данные пределы как достижимые с точки зрения физики.
Одним из оснований для снижения топологических норм служат открывающиеся возможности в области высоких частот. Поэтому, по мнению докладчика, не только технологии A3B5 будут перспективными для ВЧ-задач, но и кремний – за счет меньшей потребляемой мощности и более конкурентной цены.
Далее В. В. Шпак еще раз подчеркнул опасность импортозависимости и указал основные проблемные элементы, к которым, в частности, относятся САПР, материалы, изготовление фотошаблонов, технологическое и измерительное оборудование и др. Докладчик подчеркнул, что в этом списке нет менее значимых или более значимых пунктов. Чтобы ни от кого не зависеть, надо делать все, поскольку если в технологическом цикле присутствуют зависимые элементы, то независимость теряет весь цикл.
Поставленные задачи нельзя решить в одиночку. Поэтому В. В. Шпак озвучил предложение по структуре проекта (см. рисунок), явившееся результатом опыта, который был накоплен за время подготовки проекта "Байкал 22-08". Основным требованием, которое определяло бы весь проект, является требование к ЭКБ, которое формируется исходя из перспективы радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо четко представлять себе, для чего нужна данная ЭКБ, и из этого представления должны вытекать требования к ней, а также задачи в отношении технологий, материалов, оборудования и САПР. При этом, необходимо учитывать особенности конкретной задачи и, например, не задаваться целью полностью продублировать зарубежные разработки, а вести речь о модулях или переходных этапах, о критических моментах, которые позволяли бы при необходимости обеспечить безопасность выпускаемой продукции.
Также докладчик уделил внимание вопросу подготовки кадров. При работе над программой "Байкал" был сформирован значительный задел по сотрудничеству с вузами, который можно взять за основу для дальнейшего движения.
Еще одно преимущество минифабрик проявляется в международных проектах, поскольку крупные фабрики так или иначе располагаются на территории одного государства, а минифабрики позволяют совместно развивать технологии, не теряя при этом независимости.
В конце доклада В. В. Шпак привел вариант идеального итога работы над уходом от импортозависимости в отрасли и призвал к обсуждению поднятой темы.
Далее был заслушан доклад директора ФГБУН "ИСВЧПЭ РАН" С. А. Гамкрелидзе.
Докладчик указал на невозможность создания ЭКБ мирового уровня в рамках отдельных направлений или предприятий и, как следствие, на необходимость кооперации, одним из наиболее эффективных механизмов которой он назвал взаимодействие институтов РАН, проводящих, помимо фундаментальных исследований, конкретные прикладные разработки, с ведущими предприятиями электронной промышленности, на которых эти прикладные разработки могут внедряться и в виде технологий, и в виде конкретной номенклатуры изделий. С. А. Гамкрелидзе сообщил, что ФГБУН "ИСВЧПЭ РАН" в этом отношении имеет определенный опыт.
Докладчик рассказал о текущих разработках и исследованиях института, в частности, сообщив, что институт является лидером в области развития нитридных технологий и активно начинает разворачивать исследования в области элементной базы 5G. Кроме того, вместе с предприятиями промышленности уже начаты проработки малогабаритных локаторов, в том числе твердотельных, на основе ФАР, предназначенных для автоэлектроники. Также в институте уже проводятся прикладные исследования по созданию наногетероструктур приборов на подложках фосфида индия для частотного диапазона 100–300 ГГц.
С. А. Гамкрелидзе сообщил, что институт имеет очень широкие связи с ведущими предприятиями электронной промышленности. Основной формой сотрудничества является совместное проведение НИОКР в рамках гособоронзаказа и государственной программы развития ОПК.
Институт реализует систему комплексной логистики по внедрению актуальных результатов научных исследований и разработок непосредственно в производство ведущих предприятий промышленности. С этой целью в 2016 году на базе института был создан Центр превосходства, в который вошли предприятия, ведущие разработки новых технологий, проектирование и моделирование СВЧ-изделий. Со стороны промышленности в Центр превосходства пока входит только одно предприятие – АО "Государственный завод "Пульсар". Докладчик пригласил предприятия электронной промышленности, заинтересованные в сотрудничестве, к участию в работе данного центра.
По словам докладчика, сейчас становится актуальной задача создания минифабрики на базе института, который непосредственно ведет все разработки и внедрения. ФГБУН "ИСВЧПЭ РАН" обладает своей линией, включающей более 40 единиц промышленного оборудования. Перспектива заключается в создании на базе этой пилотной линии мелкосерийного производства. Среди целей создания такой минифабрики – возможность оперативной апробации разрабатываемых по заказу промышленности проектов с целью оптимизации топологии, улучшения функциональных и эксплуатационных параметров изделия, а также освоения новых технологий до стадии серийного производства с последующей их передачей предприятиям электронной промышленности.
С. А. Гамкрелидзе заметил, что у предприятий ОПК очень много задач, в которых требуется производство специализированных компонентов в количестве 500–1 000 шт. в год, и ставить их на крупносерийное производство экономически не выгодно, а на минифабрике, которая сейчас внедряется в институте, эти заказы могут выполняться, не затрагивая производственных партнеров.
Также С. А. Гамкрелидзе предложил объединиться в рамках Центра превосходства предприятиям с неполным набором технологических процессов (например, предприятию, обладающему возможностями сборки, но не имеющему кристального производства, с предприятием, у которого такое производство есть). Это позволило бы с минимальными затратами получить малосерийное производство.
Выступая в качестве эксперта, А. Н. Шулунов, советник генерального директора АО "Концерн "РТИ системы", заострил внимание на вопросах развития фотоники и радиофотоники. Он сообщил, что на сегодняшний момент общемировые темпы роста в области фотоники составляют примерно 10–12% в год, выразив сожаление, что темпы роста по данному направлению в нашей стране намного ниже: порядка десятых долей процента.
Кроме того, А. Н. Шулунов указал на необходимость технологий A3B5 для развития радиофотоники и сообщил о возможном решении, которое сейчас реализуется совместно с МИФИ: преобразование существующего участка микроэлектроники в центр радиофотонных интегральных технологий.
Второй эксперт – заместитель генерального конструктора по ЭКБ АО "РКС" В. Б. Стешенко обратился к истории, напомнив, что отдельные мелкосерийные производственные линии в рамках предприятий создавались в космической промышленности, чьи малые объемы, широкая номенклатура и требования к срокам создания компонентов не устраивали Минэлектронпром. Это решение привело к изготовлению очень надежной ЭКБ, однако закрывало очень узкую номенклатуру.
В. Б. Стешенко высказал, в частности, тезис о необходимости понимания при создании минифабрик сроков возврата инвестиций и закладывания затрат в конечную продукцию. Также он предложил задуматься о возможности создания мини-производств пассивных компонентов, поскольку они могут оказаться более реализуемыми из-за более простых и дешевых технологий.
Следующим в качестве эксперта выступил В. А. Кагадей, первый заместитель генерального директора АО "НПФ "Микран", начав с кратких ответов на предложенные к обсуждению вопросы. В частности, он указал, что сегодня в России импортонезависимых предприятий микроэлектроники нет, и отметил, что российскому ОПК микроэлектронные минифабрики нужны.
В. А. Кагадей высказал несогласие с общей концепцией доклада В. В. Шпака, которая, по его мнению, призывала к самоизоляции, губительной для микроэлектроники. В. А. Кагадей предложил работать над интеграцией в мировое пространство. Кроме того, он указал на критическую важность развития гражданской электроники и радиоэлектроники и выхода на международный рынок для обеспечения прибыльности отрасли.
Также В. А. Кагадей не согласился с В. В. Шпаком в вопросах целей по топологическим нормам и диаметрам пластин, выразив мнение о необходимости последовательного, без скачков, уменьшения норм и о нецелесообразности перехода на меньший диаметр пластин.
В конце своего выступления В. А. Кагадей сказал, что единственный путь к светлому будущему – самим начать делать ту работу, которая нам интересна и приносит прибыль.
Последним в качестве эксперта выступал А. С. Ионов, заместитель генерального директора по науке и развитию АО "ОКБ "Планета". Он согласился с В. А. Кагадеем в вопросе импортозависимости российских микроэлектронных предприятий и подчеркнул, что избавление от импортной зависимости – большая и глобальная задача. Также он согласился с тем, что минифабрики российскому ОПК нужны, но обратил внимание на то, что, вероятно, они должны быть разные в зависимости от технологий и задач, поскольку нельзя унифицировать различные технологии: кремниевую, нитрид-галлиевую и т. п.
Также А. С. Ионов заострил внимание на вопросе нормативной базы, из-за недостатков которой подчас получение разрешения на применение изделия занимает в несколько раз больше времени, чем его разработка и изготовление образца.
Своими мнениями и соображениями по обсуждаемым вопросам поделились и другие участники заседания в рамках его дискуссионной части.
Подводя итоги мероприятия, А. В. Брыкин еще раз напомнил о разработке Программы развития полупроводниковых и опто-фотоэлектронных приборов, а также критических изделий электроники до 2030 года. Он сказал, что то, что обсуждалось на данном мероприятии, – это лишь одна из частей этой программы, но это значимая часть.
В заключение А. В. Брыкин высказал предложение обратить внимание на маркетинговую составляющую и дополнить программу развития и стратегию РЭП разделом, посвященным этому вопросу. Он отметил, что необходимо научиться разрабатывать то, что можно продавать, но для этого нужно научиться продавать и работать с рынком.
В своем вступительном докладе А. В. Брыкин рассказал о работах, которые были проведены в 2016 году как по линии Координационного совета, так и по линии Межведомственной рабочей группы. В рамках этих работ внимание было уделено более чем 10 тематикам. Основные вопросы были связаны с гособоронзаказом, большое внимание уделялось военно-научному сопровождению исследований и разработок, вопросам импортозамещения, а также Федеральному закону "О государственном оборонном заказе" от 29 декабря 2012 года № 275-ФЗ, который докладчик подверг определенной критике, указав на то, что данный закон способен привести к снижению объемов ресурсов для ведения финансово-хозяйственной деятельности предприятиями отрасли.
По словам А. В. Брыкина, было проведено 69 заседаний рабочей группы по вопросам, связанным с гособоронзаказом, что оказалось очень хорошим инструментом и показало, что участники отрасли научились договариваться друг с другом. Также докладчик выразил благодарность представителям военных структур за возможность ведения конструктивного диалога.
В отношении работы секции № 4 А. В. Брыкин сообщил, что данное мероприятие являлось четвертым собранием за полугодие и за это время было рассмотрено 11 вопросов. Также было проведено совместное заседание с Координационным советом.
А. В. Брыкин заострил внимание на подготовке плана разработки Программы развития полупроводниковых и опто-фотоэлектронных приборов, а также критических изделий электроники до 2030 года, который должен быть разработан рабочей группой в течение ближайших месяцев, и сообщил о текущем состоянии дел в этом направлении. Докладчик пригласил всех желающих войти в состав рабочей группы, которая формируется для решения данной задачи, а также сообщил, что в ближайшее время в АО "Росэлектроника" на основе предложений "Алмаз-Антея" и "Швабе" будет подготовлен проект структуры данной программы. Разрабатываемый план станет составной частью подготавливаемой ВПК совместно с Минпромторгом стратегии развития радиоэлектронной промышленности.
Далее прозвучал центральный доклад заседания, посвященный основной его теме: "Микроэлектронные минифабрики в российском ОПК – путь к импортонезависимости в сфере ЭКБ". Доклад представил генеральный директор АО "НИИМА "Прогресс" В. В. Шпак.
В самом начале своего выступления докладчик, приведя несколько цитат, принадлежащих академику РАН, д. т. н., проф. Г. Я. Красникову и академику РАН, д. т. н., проф. А. И. Савину, указал на ключевую важность для независимости страны, как технологической, так и политико-экономической, наличия собственной технологии создания микроэлектроники.
Среди приведенных цитат были следующие слова А. И. Савина: "В конце 80-х годов стало очевидным, что ситуацию надо менять, что привело к концепции минифабрик. Их основная идея – дать предприятиям возможность самим отрабатывать опытные образцы ИС…"
В. В. Шпак продолжил, что само слово "минифабрика" в России стало именем нарицательным, причем не всегда с положительным смыслом, и эту ситуацию хотелось бы изменить. Он привел список предприятий, которые достаточно успешно решают свои задачи при помощи собственных минифабрик. В этот список вошли: НИИСИ РАН, НПФ "Микран", "ОКБ-Планета", "Светлана-Рост", "РКС" и ЦНИРТИ им. Берга.
Говоря о зарубежном опыте, докладчик предложил ориентироваться на технологических лидеров – США и Японию. Среди американских предприятий, являющихся или обладающих минифабриками, были названы: Trusted Foundry, American Mini Foundry, Furtfab. Последняя компания работает с пластинами диаметром два дюйма. Также были приведены японские организации: консорциум HALCA Project, а также компания MINIMAL FAB, которая направлена на создание оборудования для изготовления малых серий СБИС на полудюймовых пластинах. По словам докладчика, в Японии еще десять лет назад была принята концепция, согласно которой развитие электроники для специальных нужд в этой стране будет происходить только посредством минифабрик.
Далее В. В. Шпак привел ряд цифр, показывающих степень существующей импортозависимости в области микроэлектроники (табл.1). Несмотря на отсутствие данных по отдельным направлениям, общий объем ежегодного импорта оказался достаточно велик: порядка 755 млрд. руб. Это та цифра, которая при наличии собственной технологии, материалов, САПР и проч. внутри Российской Федерации оставалась бы в экономике России и развивала бы высокотехнологичный сектор страны.
Докладчик обратил внимание, что совсем недавно компания TSMC заявила о начале в 2017 году строительства фабрики для проектной нормы 5 нм и менее, которое планируется закончить в 2019 году, а начать серийный выпуск в 2020-м. Озвученный бюджет составляет 15 млрд. долл. Как можно заметить, эта цифра по порядку величины близка указанному выше объему ежегодного импорта по направлению микроэлектроники в России.
Несмотря на то, что при снижении топологической нормы количество фабрик кратно уменьшается и на сегодняшний момент только две компании шагнули в область нормы 10 нм: Samsung и TSMC, – докладчик указал на необходимость движения в сторону меньших значений топологических норм, поскольку через определенное время такие нормы могут оказаться весьма востребованными в перспективной специальной аппаратуре.
В. В. Шпак указал, что для решения задач будущего отрасли необходимы и крупносерийные производства ЭКБ для наращивания доли гражданской продукции, и мелкосерийные минифабрики, которые позволили бы решать специальные и военные задачи непосредственно на предприятиях ОПК. Как только у этих предприятий появляются такие возможности, они перестают зависеть от кого-либо и в состоянии сами планировать свою работу по модернизации, по появлению новых перспективных систем, вооружений и проч.
Далее докладчик обратился к топологическим нормам и рассказал о некоторых перспективах кремниевой технологии и технологии A3B5 (табл.2).
В таблице в скобках после значений теоретических пределов приведены институты, которые назвали данные пределы как достижимые с точки зрения физики.
Одним из оснований для снижения топологических норм служат открывающиеся возможности в области высоких частот. Поэтому, по мнению докладчика, не только технологии A3B5 будут перспективными для ВЧ-задач, но и кремний – за счет меньшей потребляемой мощности и более конкурентной цены.
Далее В. В. Шпак еще раз подчеркнул опасность импортозависимости и указал основные проблемные элементы, к которым, в частности, относятся САПР, материалы, изготовление фотошаблонов, технологическое и измерительное оборудование и др. Докладчик подчеркнул, что в этом списке нет менее значимых или более значимых пунктов. Чтобы ни от кого не зависеть, надо делать все, поскольку если в технологическом цикле присутствуют зависимые элементы, то независимость теряет весь цикл.
Поставленные задачи нельзя решить в одиночку. Поэтому В. В. Шпак озвучил предложение по структуре проекта (см. рисунок), явившееся результатом опыта, который был накоплен за время подготовки проекта "Байкал 22-08". Основным требованием, которое определяло бы весь проект, является требование к ЭКБ, которое формируется исходя из перспективы радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо четко представлять себе, для чего нужна данная ЭКБ, и из этого представления должны вытекать требования к ней, а также задачи в отношении технологий, материалов, оборудования и САПР. При этом, необходимо учитывать особенности конкретной задачи и, например, не задаваться целью полностью продублировать зарубежные разработки, а вести речь о модулях или переходных этапах, о критических моментах, которые позволяли бы при необходимости обеспечить безопасность выпускаемой продукции.
Также докладчик уделил внимание вопросу подготовки кадров. При работе над программой "Байкал" был сформирован значительный задел по сотрудничеству с вузами, который можно взять за основу для дальнейшего движения.
Еще одно преимущество минифабрик проявляется в международных проектах, поскольку крупные фабрики так или иначе располагаются на территории одного государства, а минифабрики позволяют совместно развивать технологии, не теряя при этом независимости.
В конце доклада В. В. Шпак привел вариант идеального итога работы над уходом от импортозависимости в отрасли и призвал к обсуждению поднятой темы.
Далее был заслушан доклад директора ФГБУН "ИСВЧПЭ РАН" С. А. Гамкрелидзе.
Докладчик указал на невозможность создания ЭКБ мирового уровня в рамках отдельных направлений или предприятий и, как следствие, на необходимость кооперации, одним из наиболее эффективных механизмов которой он назвал взаимодействие институтов РАН, проводящих, помимо фундаментальных исследований, конкретные прикладные разработки, с ведущими предприятиями электронной промышленности, на которых эти прикладные разработки могут внедряться и в виде технологий, и в виде конкретной номенклатуры изделий. С. А. Гамкрелидзе сообщил, что ФГБУН "ИСВЧПЭ РАН" в этом отношении имеет определенный опыт.
Докладчик рассказал о текущих разработках и исследованиях института, в частности, сообщив, что институт является лидером в области развития нитридных технологий и активно начинает разворачивать исследования в области элементной базы 5G. Кроме того, вместе с предприятиями промышленности уже начаты проработки малогабаритных локаторов, в том числе твердотельных, на основе ФАР, предназначенных для автоэлектроники. Также в институте уже проводятся прикладные исследования по созданию наногетероструктур приборов на подложках фосфида индия для частотного диапазона 100–300 ГГц.
С. А. Гамкрелидзе сообщил, что институт имеет очень широкие связи с ведущими предприятиями электронной промышленности. Основной формой сотрудничества является совместное проведение НИОКР в рамках гособоронзаказа и государственной программы развития ОПК.
Институт реализует систему комплексной логистики по внедрению актуальных результатов научных исследований и разработок непосредственно в производство ведущих предприятий промышленности. С этой целью в 2016 году на базе института был создан Центр превосходства, в который вошли предприятия, ведущие разработки новых технологий, проектирование и моделирование СВЧ-изделий. Со стороны промышленности в Центр превосходства пока входит только одно предприятие – АО "Государственный завод "Пульсар". Докладчик пригласил предприятия электронной промышленности, заинтересованные в сотрудничестве, к участию в работе данного центра.
По словам докладчика, сейчас становится актуальной задача создания минифабрики на базе института, который непосредственно ведет все разработки и внедрения. ФГБУН "ИСВЧПЭ РАН" обладает своей линией, включающей более 40 единиц промышленного оборудования. Перспектива заключается в создании на базе этой пилотной линии мелкосерийного производства. Среди целей создания такой минифабрики – возможность оперативной апробации разрабатываемых по заказу промышленности проектов с целью оптимизации топологии, улучшения функциональных и эксплуатационных параметров изделия, а также освоения новых технологий до стадии серийного производства с последующей их передачей предприятиям электронной промышленности.
С. А. Гамкрелидзе заметил, что у предприятий ОПК очень много задач, в которых требуется производство специализированных компонентов в количестве 500–1 000 шт. в год, и ставить их на крупносерийное производство экономически не выгодно, а на минифабрике, которая сейчас внедряется в институте, эти заказы могут выполняться, не затрагивая производственных партнеров.
Также С. А. Гамкрелидзе предложил объединиться в рамках Центра превосходства предприятиям с неполным набором технологических процессов (например, предприятию, обладающему возможностями сборки, но не имеющему кристального производства, с предприятием, у которого такое производство есть). Это позволило бы с минимальными затратами получить малосерийное производство.
Выступая в качестве эксперта, А. Н. Шулунов, советник генерального директора АО "Концерн "РТИ системы", заострил внимание на вопросах развития фотоники и радиофотоники. Он сообщил, что на сегодняшний момент общемировые темпы роста в области фотоники составляют примерно 10–12% в год, выразив сожаление, что темпы роста по данному направлению в нашей стране намного ниже: порядка десятых долей процента.
Кроме того, А. Н. Шулунов указал на необходимость технологий A3B5 для развития радиофотоники и сообщил о возможном решении, которое сейчас реализуется совместно с МИФИ: преобразование существующего участка микроэлектроники в центр радиофотонных интегральных технологий.
Второй эксперт – заместитель генерального конструктора по ЭКБ АО "РКС" В. Б. Стешенко обратился к истории, напомнив, что отдельные мелкосерийные производственные линии в рамках предприятий создавались в космической промышленности, чьи малые объемы, широкая номенклатура и требования к срокам создания компонентов не устраивали Минэлектронпром. Это решение привело к изготовлению очень надежной ЭКБ, однако закрывало очень узкую номенклатуру.
В. Б. Стешенко высказал, в частности, тезис о необходимости понимания при создании минифабрик сроков возврата инвестиций и закладывания затрат в конечную продукцию. Также он предложил задуматься о возможности создания мини-производств пассивных компонентов, поскольку они могут оказаться более реализуемыми из-за более простых и дешевых технологий.
Следующим в качестве эксперта выступил В. А. Кагадей, первый заместитель генерального директора АО "НПФ "Микран", начав с кратких ответов на предложенные к обсуждению вопросы. В частности, он указал, что сегодня в России импортонезависимых предприятий микроэлектроники нет, и отметил, что российскому ОПК микроэлектронные минифабрики нужны.
В. А. Кагадей высказал несогласие с общей концепцией доклада В. В. Шпака, которая, по его мнению, призывала к самоизоляции, губительной для микроэлектроники. В. А. Кагадей предложил работать над интеграцией в мировое пространство. Кроме того, он указал на критическую важность развития гражданской электроники и радиоэлектроники и выхода на международный рынок для обеспечения прибыльности отрасли.
Также В. А. Кагадей не согласился с В. В. Шпаком в вопросах целей по топологическим нормам и диаметрам пластин, выразив мнение о необходимости последовательного, без скачков, уменьшения норм и о нецелесообразности перехода на меньший диаметр пластин.
В конце своего выступления В. А. Кагадей сказал, что единственный путь к светлому будущему – самим начать делать ту работу, которая нам интересна и приносит прибыль.
Последним в качестве эксперта выступал А. С. Ионов, заместитель генерального директора по науке и развитию АО "ОКБ "Планета". Он согласился с В. А. Кагадеем в вопросе импортозависимости российских микроэлектронных предприятий и подчеркнул, что избавление от импортной зависимости – большая и глобальная задача. Также он согласился с тем, что минифабрики российскому ОПК нужны, но обратил внимание на то, что, вероятно, они должны быть разные в зависимости от технологий и задач, поскольку нельзя унифицировать различные технологии: кремниевую, нитрид-галлиевую и т. п.
Также А. С. Ионов заострил внимание на вопросе нормативной базы, из-за недостатков которой подчас получение разрешения на применение изделия занимает в несколько раз больше времени, чем его разработка и изготовление образца.
Своими мнениями и соображениями по обсуждаемым вопросам поделились и другие участники заседания в рамках его дискуссионной части.
Подводя итоги мероприятия, А. В. Брыкин еще раз напомнил о разработке Программы развития полупроводниковых и опто-фотоэлектронных приборов, а также критических изделий электроники до 2030 года. Он сказал, что то, что обсуждалось на данном мероприятии, – это лишь одна из частей этой программы, но это значимая часть.
В заключение А. В. Брыкин высказал предложение обратить внимание на маркетинговую составляющую и дополнить программу развития и стратегию РЭП разделом, посвященным этому вопросу. Он отметил, что необходимо научиться разрабатывать то, что можно продавать, но для этого нужно научиться продавать и работать с рынком.
Отзывы читателей
