eng
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.205.4.88.92
Micron Technology – один из ведущих мировых производителей на рынке DRAM-памяти, NAND / NOR флеш-памяти, SSD-накопителей, карт памяти. В статье представлен обзор решений от Micron, предназначенных для применения в сегменте промышленного Интернета вещей.
Micron Technology – один из ведущих мировых производителей на рынке DRAM-памяти, NAND / NOR флеш-памяти, SSD-накопителей, карт памяти. В статье представлен обзор решений от Micron, предназначенных для применения в сегменте промышленного Интернета вещей.
Теги: authenta key management service dimm dimm-модуль dram dram-память e.mmc e.mmc-память industrial internet of things memory card nand / nor flash nand / nor флеш-память security as a service ssd ssd-накопитель безопасность как услуга карта памяти промышленный интернет вещей
Решения компании Micron для промышленного Интернета вещей
Д. Садеков
Micron Technology – один из ведущих мировых производителей на рынке DRAM-памяти, NAND / NOR флеш-памяти, SSD-накопителей, карт памяти. В портфолио компании входит широкий спектр устройств для ключевых секторов рынка: 5G-сетей, автомобильной отрасли, потребительского рынка, мобильных устройств, коммуникационных сетей, серверов. Одно из важнейших направлений компании – решения для промышленного Интернета вещей, которые обеспечивают повышенную надежность и безопасность, отвечают высоким требованиям по полосе пропускания и энергопотреблению, оснащены программными и аппаратными средствами защиты информации. В статье представлен обзор основных категорий устройств и решений от Micron, предназначенных для применения в сегменте промышленного Интернета вещей.
Промышленный Интернет вещей (Industrial IoT, IIoT) трансформирует инфраструктуру предприятия и системы автоматизации таким образом, чтобы обеспечить возможность сбора, обмена и обработки данных, на основе которых осуществлять аналитику в режиме реального времени с целью принятия различных бизнес-решений и реализации бизнес-задач. Интеллектуальные граничные устройства преобразуют данные от множества промышленных датчиков и передают их для последующего использования в IT-системе предприятия или в облаке. Новое поколение граничных устройств требует применения высокопроизводительной DRAM-памяти с более широкой шиной данных для поддержки ускоренных алгоритмов глубокого обучения, управляемой NAND флеш-памяти, рассчитанной на хранение больших объемов кода и сложных функций операционной системы, а также высоконадежных систем хранения для локальных систем регистрации и архивирования данных.
Компания Micron предлагает обширное портфолио решений, полностью отвечающих требованиям к IIoT-системам, обеспечивая высокую пропускную способность и емкость памяти, кибербезопасность, поддержку передовых интерфейсов, долговременное и надежное хранение данных в промышленном диапазоне температур. К IIoT-приложениям, на которые ориентированы устройства памяти от Micron, относятся граничные шлюзы и серверы, промышленные встраиваемые системы, умные города, системы видеонаблюдения, медицинские и робототехнические системы, беспилотные летательные аппараты, интеллектуальные электросети и др.
Рассмотрим основные категории решений для IIoT-приложений, предлагаемых компанией (табл. 1).
Будучи лидером в области DRAM-памяти, компания Micron уделяет большое внимание развитию этой линейки продуктов, ориентированных на промышленное применение. В этом сегменте компания предлагает чипы SDRAM-памяти стандартов DDR2 / DDR3 / DDR4 и DIMM-модули на их основе (SODIMM, UDIMM, RDIMM, LRDIMM, VLP RDIMM, VLP UDIMM), а также малопотребляющие версии этих микросхем – LPDDRx. Недавно компания начала поставку тестовых образцов SDRAM-памяти новейшего стандарта DDR5, который обеспечивает в 1,85 раз более высокую производительность, чем DDR4, и в два раза большую емкость памяти.
В ассортимент DDR3 SDRAM-памяти (семейство MT41) входят микросхемы емкостью от 1 до 8 Гбит с шириной шины данных x8, x16 в корпусе FBGA. Рабочая частота этих устройств составляет от 800 до 1 066 МГц, напряжение питания – 1,35 и 1,5 В. Для приложений IIoT предлагаются чипы DDR3, рассчитанные на температурный диапазон –40…95 °C, –40…105 °C и –40…125 °C. DIMM-модули на основе DDR3 SDRAM-памяти предлагаются объемом до 8 ГБайт. Напряжение питания мобильной версии, LPDDR3 SDRAM, снижено до 1,2 В, ширина шины составляет x32 и x64, температурный диапазон –25…85 °C.
SDRAM-память стандарта DDR4 (семейство MT40) для промышленных приложений предлагается емкостью от 4 до 16 Гбит с шириной шины x4, x8 и x16 в корпусе FBGA или TFBGA. Напряжение питания этих микросхем составляет 1,2 В, рабочая частота – от 1 200 до 1 866 МГц. Эти чипы также рассчитаны для работы в расширенных температурных диапазонах: –40…95 °C, –40…105 °C и –40…125 °C. DIMM-модули на основе DDR4 SDRAM-памяти имеют емкость до 32 ГБайт. LPDDR4 SDRAM-память (MT53) с напряжением питания 1,1 В имеет ширину шины x16, x32 и x64, емкость от 4 до 32 Гбит и рассчитана на температурные диапазоны –25…85 °C, –40…85 °C и –40…105 °C.
Компания начала серийное производство SDRAM-памяти стандарта LPDDR5 (MT62) для мобильных и сетевых приложений. Производителем заявлены следующие характеристики этого малопотребляющего семейства: емкость от 16 до 128 Гбит с шириной шины x16, x32 и x64, напряжение питания 1,05 В, корпус TFBGA, WFBGA, VFBGA. Микросхемы LPDDR5 обеспечивают полосу пропускания до 6400 Мбит / с (на 50% больше, чем LPDDR4). Чипы также рассчитаны для работы в промышленном и автомобильном температурных диапазонах от –40…95 °C до –40…125 °C.
Micron занимает ведущее место в мире в области NAND флеш-памяти, предлагая устройства различных типов: SLC, MLC, TLC, QLC и 3D NAND. На промышленные приложения, в том числе IIoT, ориентирована высоконадежная последовательная SLC NAND флеш-память, которая обеспечивает ресурс до 100 тыс. циклов перезаписи. Чипы емкостью от 1 до 256 Гбит с рабочей частотой до 133 МГц оснащены встроенной коррекцией ошибок (ECC), поставляются в корпусах SOIC, TSOP, U-PDFN‑8, VFBGA, а также в бескорпусном исполнении, рассчитаны на работу в промышленном диапазоне температур –40…85 °C.
Кроме того, для промышленных приложений Micron предлагает параллельную SLC NAND флеш-память с разрядностью шины данных x8 и x16. Эти микросхемы также оснащены встроенной коррекцией ошибок и обеспечивают ресурс до 100 тыс. циклов перезаписи.
В линейке NOR флеш-памяти от Micron представлен широкий спектр устройств, которые подходят для применения в области IIoT. Например, асинхронная параллельная NOR флеш-память семейства MT28EW емкостью от 256 Мбит до 2 Гбит с шириной шины данных x8 и x16 работает в промышленном (–40…85 °C) и автомобильном (–40…105 °C) диапазонах температур, обеспечивает время доступа до 75 нс. Ресурс памяти достигает 100 тыс. циклов перезаписи, а типовое время хранения данных составляет 20 лет.
В сегменте последовательной NOR флеш-памяти в линейке Micron представлены устройства семейства MT35X Xccela с интерфейсом x8, которые обеспечивают наивысшую в отрасли скорость считывания (до 400 МБайт / с) и время доступа всего 73 нс при уменьшении в несколько раз числа внешних выводов и энергопотребления по сравнению с параллельной NOR флеш-памятью. Емкость памяти составляет от 256 Мбит до 2 Гбит, диапазоны рабочих частот: –40…85 °C или –40…105 °C.
На приложения IIoT ориентировано еще одно семейство последовательной NOR флеш-памяти – MT25Q, емкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Рабочая частота микросхем достигает 166 МГц, разрядность шины данных составляет x1, x2 и x4, диапазоны рабочих частот: –40…85 °C, –40…105 °C и –40…125 °C. Для этих микросхем предусмотрен широкий ряд возможных корпусов: BGA, CSP, DFN, KGD, SOP.
Для IIoT-приложений особую роль играет обеспечение безопасности и защиты информации и IP, поэтому компания Micron уделяет особое внимание реализации аппаратных и программных средств защиты в своих решениях для NOR и NAND флеш-памяти. Среди аппаратных способов защиты, которыми оснащена флеш-память Micron, следует упомянуть применение корпусов типа BGA, чтобы затруднить доступ к выводам с помощью пробников; аппаратную защиту записи; использование специального вывода Lock (только для NAND флеш-памяти), блокирующего чип от случайного программирования.
К программным средствам защиты относятся такие методы, как уникальный 32- или 64‑разрядный ID-номер устройства, 64- или 128‑разрядный пароль при модификации блоков памяти, OTP-программирование, AES256‑шифрование и ATA-пароль (только для SSD-накопителей) и др.
Кроме того, специально для обеспечения безопасности систем Интернета вещей компания Micron разработала технологию Authenta, которая позволяет осуществлять идентификацию криптографических устройств и управление оборудованием с помощью флеш-памяти.
Authenta обеспечивает защиту на низком программном уровне граничных IoT-устройств, в том числе на уровне процесса запуска.
Платформа Authenta Key Management Service (KMS) представляет собой облачный сервис «безопасность как услуга», работающий совместно с флеш-памятью, в которой реализована поддержка этой технологии. Authenta KMS позволяет включать IoT-устройства с интегрированными элементами безопасности через облачную службу, устраняя проблемы, связанные с защитой устройств в среде «все подключено». Аппаратный корень доверия, встроенный во флеш-память типа NAND или NOR, обеспечивает защиту функциональности оборудования на уровне кремния.
Платформа позволяет активировать граничные устройства с флеш-памятью и управлять ими с помощью облачной службы. Это обеспечивает защиту IoT-оборудования на протяжении всего жизненного цикла – от производства до развертывания и эксплуатации.
В номенклатуру решений для IIoT от Micron входят также устройства хранения на основе флеш-памяти: SSD-накопители, карты памяти, e.MMC-память.
SSD-накопители для промышленных приложений предлагаются емкостью от 64 ГБайт до 1 ТБайт в форм-факторе 2,5 дюйма, а также в компактных форм-факторах mSATA, BGA и M.2. В устройствах предусмотрена защита данных с помощью 256‑битного AES-шифрования с поддержкой Opal 2.0. Среднее время наработки на отказ достигает 3 млн ч, частота однобитовых некорректируемых ошибок – 10–16.
Семейство M500IT обеспечивает скорость последовательного чтения / записи до 500 МБайт / с и работает в диапазоне температур –40…85 °C. SSD-накопители семейства 2100 характеризуются скоростью до 2 000 МБайт / с, серия 2100AI рассчитана на температурный диапазон –40…95 °C, а 2100AT – на –40…105 °C.
Карты памяти форматов SD и microSD от Micron для промышленных приложений емкостью от 32 ГБайт до 1 ТБайт характеризуются высокой надежностью, например, чтобы обеспечивать непрерывную запись видео в режиме 24 / 7, и рассчитаны на работу в диапазоне температур –25…85 °C. Среднее время наработки на отказ достигает 2 млн ч, а скорость чтения – 90 МБайт / с.
e.MMC-память емкостью от 32 до 256 ГБайт в корпусе BGA на основе MLC и TLC флеш-памяти рассчитана на работу как в промышленном, так и в автомобильном диапазонах температур. Устройства с поддержкой интерфейса UFS 2.1 обеспечивают скорость чтения до 941 МБайт / с, записи – до 651 Мбит / с.
Еще одна категория устройств памяти компании Micron – мультичиповые модули (Multichip Packages, MCP) в корпусе BGA – решения для встраиваемых компактных систем, таких как модули сотовой связи для IoT-устройств. В портфолио компании предлагаются MCP с многоуровневым расположением кристаллов, содержащие различные комбинации устройств памяти, такие как e.MMC + LPDDR, NAND + LPDDR и др. Модули содержат встроенную коррекцию ошибок, характеризуются низким потреблением, рассчитаны на работу в промышленном и автомобильном диапазонах температур.
* * *
Развитие промышленного Интернета вещей сопровождается возрастающими требованиями к вычислительным ресурсам и устройствам хранения данных, что увеличивает спрос на агрегацию данных и возможность подключения к облаку в режиме реального времени, поддержку многоядерных процессорных систем и встроенных локальных хранилищ данных. В результате будет востребована память большего объема для хранения кода и данных для облачных сервисов, более производительная DRAM-память для эффективного выполнения алгоритмов машинного обучения, а размер встроенной памяти будет увеличиваться по мере того, как все большее количество конечных точек сети будет управляться одним граничным устройством.
Решения компании Micron для хранения данных обеспечивают текущие и перспективные потребности разработчиков устройств промышленного Интернета вещей.
Продукцию компании Micron в России можно приобрести, обратившись в холдинг «Золотой шар», (www.zolshar.ru), один из ведущих поставщиков импортных и отечественных электронных компонентов.
ЛИТЕРАТУРА
Rooney R., Koyle N. Micron DDR5 SDRAM: New Features // Micron White paper
Winning the Race to the IoT Edge // www.micron.com
One source for Industrial Multimarket Applications // www.micron.com
Big Performance, Small Footprint Multichip Packages. Micron MCPs for Embedded IoT Applications // www.micron.com
Д. Садеков
Micron Technology – один из ведущих мировых производителей на рынке DRAM-памяти, NAND / NOR флеш-памяти, SSD-накопителей, карт памяти. В портфолио компании входит широкий спектр устройств для ключевых секторов рынка: 5G-сетей, автомобильной отрасли, потребительского рынка, мобильных устройств, коммуникационных сетей, серверов. Одно из важнейших направлений компании – решения для промышленного Интернета вещей, которые обеспечивают повышенную надежность и безопасность, отвечают высоким требованиям по полосе пропускания и энергопотреблению, оснащены программными и аппаратными средствами защиты информации. В статье представлен обзор основных категорий устройств и решений от Micron, предназначенных для применения в сегменте промышленного Интернета вещей.
Промышленный Интернет вещей (Industrial IoT, IIoT) трансформирует инфраструктуру предприятия и системы автоматизации таким образом, чтобы обеспечить возможность сбора, обмена и обработки данных, на основе которых осуществлять аналитику в режиме реального времени с целью принятия различных бизнес-решений и реализации бизнес-задач. Интеллектуальные граничные устройства преобразуют данные от множества промышленных датчиков и передают их для последующего использования в IT-системе предприятия или в облаке. Новое поколение граничных устройств требует применения высокопроизводительной DRAM-памяти с более широкой шиной данных для поддержки ускоренных алгоритмов глубокого обучения, управляемой NAND флеш-памяти, рассчитанной на хранение больших объемов кода и сложных функций операционной системы, а также высоконадежных систем хранения для локальных систем регистрации и архивирования данных.
Компания Micron предлагает обширное портфолио решений, полностью отвечающих требованиям к IIoT-системам, обеспечивая высокую пропускную способность и емкость памяти, кибербезопасность, поддержку передовых интерфейсов, долговременное и надежное хранение данных в промышленном диапазоне температур. К IIoT-приложениям, на которые ориентированы устройства памяти от Micron, относятся граничные шлюзы и серверы, промышленные встраиваемые системы, умные города, системы видеонаблюдения, медицинские и робототехнические системы, беспилотные летательные аппараты, интеллектуальные электросети и др.
Рассмотрим основные категории решений для IIoT-приложений, предлагаемых компанией (табл. 1).
Будучи лидером в области DRAM-памяти, компания Micron уделяет большое внимание развитию этой линейки продуктов, ориентированных на промышленное применение. В этом сегменте компания предлагает чипы SDRAM-памяти стандартов DDR2 / DDR3 / DDR4 и DIMM-модули на их основе (SODIMM, UDIMM, RDIMM, LRDIMM, VLP RDIMM, VLP UDIMM), а также малопотребляющие версии этих микросхем – LPDDRx. Недавно компания начала поставку тестовых образцов SDRAM-памяти новейшего стандарта DDR5, который обеспечивает в 1,85 раз более высокую производительность, чем DDR4, и в два раза большую емкость памяти.
В ассортимент DDR3 SDRAM-памяти (семейство MT41) входят микросхемы емкостью от 1 до 8 Гбит с шириной шины данных x8, x16 в корпусе FBGA. Рабочая частота этих устройств составляет от 800 до 1 066 МГц, напряжение питания – 1,35 и 1,5 В. Для приложений IIoT предлагаются чипы DDR3, рассчитанные на температурный диапазон –40…95 °C, –40…105 °C и –40…125 °C. DIMM-модули на основе DDR3 SDRAM-памяти предлагаются объемом до 8 ГБайт. Напряжение питания мобильной версии, LPDDR3 SDRAM, снижено до 1,2 В, ширина шины составляет x32 и x64, температурный диапазон –25…85 °C.
SDRAM-память стандарта DDR4 (семейство MT40) для промышленных приложений предлагается емкостью от 4 до 16 Гбит с шириной шины x4, x8 и x16 в корпусе FBGA или TFBGA. Напряжение питания этих микросхем составляет 1,2 В, рабочая частота – от 1 200 до 1 866 МГц. Эти чипы также рассчитаны для работы в расширенных температурных диапазонах: –40…95 °C, –40…105 °C и –40…125 °C. DIMM-модули на основе DDR4 SDRAM-памяти имеют емкость до 32 ГБайт. LPDDR4 SDRAM-память (MT53) с напряжением питания 1,1 В имеет ширину шины x16, x32 и x64, емкость от 4 до 32 Гбит и рассчитана на температурные диапазоны –25…85 °C, –40…85 °C и –40…105 °C.
Компания начала серийное производство SDRAM-памяти стандарта LPDDR5 (MT62) для мобильных и сетевых приложений. Производителем заявлены следующие характеристики этого малопотребляющего семейства: емкость от 16 до 128 Гбит с шириной шины x16, x32 и x64, напряжение питания 1,05 В, корпус TFBGA, WFBGA, VFBGA. Микросхемы LPDDR5 обеспечивают полосу пропускания до 6400 Мбит / с (на 50% больше, чем LPDDR4). Чипы также рассчитаны для работы в промышленном и автомобильном температурных диапазонах от –40…95 °C до –40…125 °C.
Micron занимает ведущее место в мире в области NAND флеш-памяти, предлагая устройства различных типов: SLC, MLC, TLC, QLC и 3D NAND. На промышленные приложения, в том числе IIoT, ориентирована высоконадежная последовательная SLC NAND флеш-память, которая обеспечивает ресурс до 100 тыс. циклов перезаписи. Чипы емкостью от 1 до 256 Гбит с рабочей частотой до 133 МГц оснащены встроенной коррекцией ошибок (ECC), поставляются в корпусах SOIC, TSOP, U-PDFN‑8, VFBGA, а также в бескорпусном исполнении, рассчитаны на работу в промышленном диапазоне температур –40…85 °C.
Кроме того, для промышленных приложений Micron предлагает параллельную SLC NAND флеш-память с разрядностью шины данных x8 и x16. Эти микросхемы также оснащены встроенной коррекцией ошибок и обеспечивают ресурс до 100 тыс. циклов перезаписи.
В линейке NOR флеш-памяти от Micron представлен широкий спектр устройств, которые подходят для применения в области IIoT. Например, асинхронная параллельная NOR флеш-память семейства MT28EW емкостью от 256 Мбит до 2 Гбит с шириной шины данных x8 и x16 работает в промышленном (–40…85 °C) и автомобильном (–40…105 °C) диапазонах температур, обеспечивает время доступа до 75 нс. Ресурс памяти достигает 100 тыс. циклов перезаписи, а типовое время хранения данных составляет 20 лет.
В сегменте последовательной NOR флеш-памяти в линейке Micron представлены устройства семейства MT35X Xccela с интерфейсом x8, которые обеспечивают наивысшую в отрасли скорость считывания (до 400 МБайт / с) и время доступа всего 73 нс при уменьшении в несколько раз числа внешних выводов и энергопотребления по сравнению с параллельной NOR флеш-памятью. Емкость памяти составляет от 256 Мбит до 2 Гбит, диапазоны рабочих частот: –40…85 °C или –40…105 °C.
На приложения IIoT ориентировано еще одно семейство последовательной NOR флеш-памяти – MT25Q, емкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Рабочая частота микросхем достигает 166 МГц, разрядность шины данных составляет x1, x2 и x4, диапазоны рабочих частот: –40…85 °C, –40…105 °C и –40…125 °C. Для этих микросхем предусмотрен широкий ряд возможных корпусов: BGA, CSP, DFN, KGD, SOP.
Для IIoT-приложений особую роль играет обеспечение безопасности и защиты информации и IP, поэтому компания Micron уделяет особое внимание реализации аппаратных и программных средств защиты в своих решениях для NOR и NAND флеш-памяти. Среди аппаратных способов защиты, которыми оснащена флеш-память Micron, следует упомянуть применение корпусов типа BGA, чтобы затруднить доступ к выводам с помощью пробников; аппаратную защиту записи; использование специального вывода Lock (только для NAND флеш-памяти), блокирующего чип от случайного программирования.
К программным средствам защиты относятся такие методы, как уникальный 32- или 64‑разрядный ID-номер устройства, 64- или 128‑разрядный пароль при модификации блоков памяти, OTP-программирование, AES256‑шифрование и ATA-пароль (только для SSD-накопителей) и др.
Кроме того, специально для обеспечения безопасности систем Интернета вещей компания Micron разработала технологию Authenta, которая позволяет осуществлять идентификацию криптографических устройств и управление оборудованием с помощью флеш-памяти.
Authenta обеспечивает защиту на низком программном уровне граничных IoT-устройств, в том числе на уровне процесса запуска.
Платформа Authenta Key Management Service (KMS) представляет собой облачный сервис «безопасность как услуга», работающий совместно с флеш-памятью, в которой реализована поддержка этой технологии. Authenta KMS позволяет включать IoT-устройства с интегрированными элементами безопасности через облачную службу, устраняя проблемы, связанные с защитой устройств в среде «все подключено». Аппаратный корень доверия, встроенный во флеш-память типа NAND или NOR, обеспечивает защиту функциональности оборудования на уровне кремния.
Платформа позволяет активировать граничные устройства с флеш-памятью и управлять ими с помощью облачной службы. Это обеспечивает защиту IoT-оборудования на протяжении всего жизненного цикла – от производства до развертывания и эксплуатации.
В номенклатуру решений для IIoT от Micron входят также устройства хранения на основе флеш-памяти: SSD-накопители, карты памяти, e.MMC-память.
SSD-накопители для промышленных приложений предлагаются емкостью от 64 ГБайт до 1 ТБайт в форм-факторе 2,5 дюйма, а также в компактных форм-факторах mSATA, BGA и M.2. В устройствах предусмотрена защита данных с помощью 256‑битного AES-шифрования с поддержкой Opal 2.0. Среднее время наработки на отказ достигает 3 млн ч, частота однобитовых некорректируемых ошибок – 10–16.
Семейство M500IT обеспечивает скорость последовательного чтения / записи до 500 МБайт / с и работает в диапазоне температур –40…85 °C. SSD-накопители семейства 2100 характеризуются скоростью до 2 000 МБайт / с, серия 2100AI рассчитана на температурный диапазон –40…95 °C, а 2100AT – на –40…105 °C.
Карты памяти форматов SD и microSD от Micron для промышленных приложений емкостью от 32 ГБайт до 1 ТБайт характеризуются высокой надежностью, например, чтобы обеспечивать непрерывную запись видео в режиме 24 / 7, и рассчитаны на работу в диапазоне температур –25…85 °C. Среднее время наработки на отказ достигает 2 млн ч, а скорость чтения – 90 МБайт / с.
e.MMC-память емкостью от 32 до 256 ГБайт в корпусе BGA на основе MLC и TLC флеш-памяти рассчитана на работу как в промышленном, так и в автомобильном диапазонах температур. Устройства с поддержкой интерфейса UFS 2.1 обеспечивают скорость чтения до 941 МБайт / с, записи – до 651 Мбит / с.
Еще одна категория устройств памяти компании Micron – мультичиповые модули (Multichip Packages, MCP) в корпусе BGA – решения для встраиваемых компактных систем, таких как модули сотовой связи для IoT-устройств. В портфолио компании предлагаются MCP с многоуровневым расположением кристаллов, содержащие различные комбинации устройств памяти, такие как e.MMC + LPDDR, NAND + LPDDR и др. Модули содержат встроенную коррекцию ошибок, характеризуются низким потреблением, рассчитаны на работу в промышленном и автомобильном диапазонах температур.
* * *
Развитие промышленного Интернета вещей сопровождается возрастающими требованиями к вычислительным ресурсам и устройствам хранения данных, что увеличивает спрос на агрегацию данных и возможность подключения к облаку в режиме реального времени, поддержку многоядерных процессорных систем и встроенных локальных хранилищ данных. В результате будет востребована память большего объема для хранения кода и данных для облачных сервисов, более производительная DRAM-память для эффективного выполнения алгоритмов машинного обучения, а размер встроенной памяти будет увеличиваться по мере того, как все большее количество конечных точек сети будет управляться одним граничным устройством.
Решения компании Micron для хранения данных обеспечивают текущие и перспективные потребности разработчиков устройств промышленного Интернета вещей.
Продукцию компании Micron в России можно приобрести, обратившись в холдинг «Золотой шар», (www.zolshar.ru), один из ведущих поставщиков импортных и отечественных электронных компонентов.
ЛИТЕРАТУРА
Rooney R., Koyle N. Micron DDR5 SDRAM: New Features // Micron White paper
Winning the Race to the IoT Edge // www.micron.com
One source for Industrial Multimarket Applications // www.micron.com
Big Performance, Small Footprint Multichip Packages. Micron MCPs for Embedded IoT Applications // www.micron.com
Отзывы читателей
