eng
Выпуск #5/2021
Н. Василенков, А. Алонцев
НОВЫЕ КОРПУСА ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ И СИЛОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
НОВЫЕ КОРПУСА ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ И СИЛОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Просмотры: 1074
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.206.5.120.124
В АО «ТЕСТПРИБОР» освоено серийное производство ряда металлокерамических корпусов для источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем с повышенными значениями теплопроводности оснований и локальными радиационно-защитными экранами.
В АО «ТЕСТПРИБОР» освоено серийное производство ряда металлокерамических корпусов для источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем с повышенными значениями теплопроводности оснований и локальными радиационно-защитными экранами.
Теги: design characteristics radiation shields resistance to special factors конструктивные характеристики радиационно-защитные экраны стойкость к воздействию специальных факторов
Новые корпуса для источников питания и силовых интегральных схем
Н. Василенков , А. Алонцев
АО «ТЕСТПРИБОР» завершена разработка и освоено серийное производство ряда металлокерамических корпусов для источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем. Для производства корпусов применены современные материалы, имеющие повышенные значения теплопроводности. В конструкции корпусов может быть предусмотрена интеграция локальных радиационно-защитных экранов, обеспечивающих ослабление электронного и протонного излучения космического пространства.
Разработанные металлокерамические корпуса МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 по конструктивно-технологическому исполнению 1 и 4 типа в соответствии с ГОСТ РВ 5901-004-2010.
По расположению выводов корпуса делятся на две группы:
Разработанные корпуса должны заменить серии зарубежных корпусов производства фирм ECRIM (Китай), Legacy Technologies (США). Общие сведения о разработанных изделиях приведены в табл. 1.
Корпуса МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 предназначены для сборки и герметизации источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем. Они отличаются улучшенными теплорассеивающими свойствами и возможностью адаптации их массогабаритных и присоединительных характеристик к изделиям радиоэлектронной аппаратуры ВВСТ. Разработанные корпуса обеспечивают защиту от внешних воздействующих факторов (механических, климатических, биологических и специальных сред) и имеют характеристики, соответствующие группе унифицированного исполнения 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1, а также они обеспечивают требуемые электрические связи кристалла с внешними выводами.
Основные конструктивные характеристики корпусов приведены в табл. 2.
Электрические и тепловые параметры разработанных корпусов:
В конструкции разработанных корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 предусмотрены:
По стойкости к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К новые корпуса соответствуют требованиям ГОСТ РВ 20.39.414.2 со следующими значениями:
В конструкции корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 может быть предусмотрена интеграция локальных радиационно-защитных экранов, которые обеспечивают ослабление электронного и протонного излучения космического пространства.
Коэффициенты ослабления К накопленной дозы в металлическом корпусе с защитными экранами толщиной d2 с учетом конструкционной защиты d1 от суммарного потока протонов и электронов радиационного пояса Земли (ЕРПЗ) на разных орбитах при максимуме и минимуме солнечной активности (СА) представлены в табл. 3.
Коэффициенты уменьшения частоты одиночных сбоев Кос для ЭКБ в корпусе с учетом конструкционной защиты d1 = 1 г / см2 и с защитным экраном толщиной d2 = 2 г / см2 без учета конструкционной защиты космического аппарата (КА) при воздействии высокоэнергетических протонов (ВЭП) ЕРПЗ при средней и максимальной плотности потока частиц, согласно РД 134-0139-2005, представлены в табл. 4.
Применение новых разработанных металлокерамических корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 планируется для сборки источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем и производства новых приборов полупроводниковой электроники, а также создания в целях развития оборонно-промышленного комплекса предприятиями производителями других изделий микроэлектроники специального назначения, предназначенных для работы в различных областях электронной техники, в том числе в авиационных системах и системах космического базирования. ●
Н. Василенков , А. Алонцев
АО «ТЕСТПРИБОР» завершена разработка и освоено серийное производство ряда металлокерамических корпусов для источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем. Для производства корпусов применены современные материалы, имеющие повышенные значения теплопроводности. В конструкции корпусов может быть предусмотрена интеграция локальных радиационно-защитных экранов, обеспечивающих ослабление электронного и протонного излучения космического пространства.
Разработанные металлокерамические корпуса МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 по конструктивно-технологическому исполнению 1 и 4 типа в соответствии с ГОСТ РВ 5901-004-2010.
По расположению выводов корпуса делятся на две группы:
- корпуса МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 с планарным расположением выводов относительно плоскости основания;
- корпуса МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2 с вертикальным расположением выводов относительно плоскости основания.
Разработанные корпуса должны заменить серии зарубежных корпусов производства фирм ECRIM (Китай), Legacy Technologies (США). Общие сведения о разработанных изделиях приведены в табл. 1.
Корпуса МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 предназначены для сборки и герметизации источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем. Они отличаются улучшенными теплорассеивающими свойствами и возможностью адаптации их массогабаритных и присоединительных характеристик к изделиям радиоэлектронной аппаратуры ВВСТ. Разработанные корпуса обеспечивают защиту от внешних воздействующих факторов (механических, климатических, биологических и специальных сред) и имеют характеристики, соответствующие группе унифицированного исполнения 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1, а также они обеспечивают требуемые электрические связи кристалла с внешними выводами.
Основные конструктивные характеристики корпусов приведены в табл. 2.
Электрические и тепловые параметры разработанных корпусов:
- электрическое сопротивление изоляции, измеряемое при постоянном напряжении 100 В, между изолированными токопроводящими элементами корпусов и оснований должно быть не менее 1 · 109 Ом;
- электрическое сопротивление выводов корпусов не более 0,002 Ом;
- электрическая емкость изолированных проводников корпусов МК41Ф.12-2, МК12.8-1, МК12Ф.8-3, МК12.10-1 не более 1,5 пФ, корпуса МК41Ф.12-3 – не более 2,5 пФ, корпуса МК12.8-2 – не более 1,6 пФ, корпуса МК12Ф.10-2 – не более 2,0 пФ;
- электрическая емкость связи корпусов МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 составила не более 0,5 пФ, корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2 – не более 1,0 пФ в нормальных климатических условиях;
- индуктивность выводов корпуса МК41Ф.12-2 не более 50,0 нГн, корпуса МК41Ф.12-3 – не более 55,0 нГн, корпуса МК12.8-1 – не более 80,0 нГн, корпусов МК12.8-2, МК12Ф.8-3 – не более 100,0 нГн, корпусов МК12.10-1, МК12Ф.10-2 – не более 120,0 нГн;
- изоляция токопроводящих элементов корпусов (оснований корпусов) в нормальных климатических условиях без пробоя и поверхностного перекрытия испытательное напряжение постоянного тока Uмакс., равное 1 000 В;
- максимально допустимый постоянный ток, проходящий через токопроводящие элементы корпуса, не более 10,0 А. По требованию заказчика возможно увеличение диаметра выводов для обеспечения пропускания большего значения тока;
- внутреннее тепловое сопротивление корпусов (для максимальных размеров источника тепла, которые должны быть равны минимальному размеру монтажных площадок) в нормальных климатических условиях не более для корпусов МК41Ф.12-2, МК12.8-1, МК12Ф.8-3 – 3,0 °С / Вт, корпуса МК41Ф.12-3 – 6,0 °С / Вт, корпуса МК12.8-2 – 4,0 °С / Вт, корпуса МК12.10-1 – 2,5 °С / Вт, корпуса МК12Ф.10-2 – 3,5 °С / Вт.
В конструкции разработанных корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 предусмотрены:
- применение материалов, имеющих повышенные значения теплопроводности;
- интеграция локальных радиационно-защитных экранов, обеспечивающих ослабление электронного и протонного излучения космического пространства.
По стойкости к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К новые корпуса соответствуют требованиям ГОСТ РВ 20.39.414.2 со следующими значениями:
- по факторам 7.И с характеристиками 7.И1 – 7.И7, 7.И10, 7.И11 – 6Ус;
- по факторам 7.И с характеристиками 7.И12 – 7.И15 – 3Р;
- по факторам 7.С с характеристиками 7.С1 – 7.С5 – 5Ус;
- по факторам 7.К с характеристиками 7.К1 – 7.К8 – 3К.
В конструкции корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 может быть предусмотрена интеграция локальных радиационно-защитных экранов, которые обеспечивают ослабление электронного и протонного излучения космического пространства.
Коэффициенты ослабления К накопленной дозы в металлическом корпусе с защитными экранами толщиной d2 с учетом конструкционной защиты d1 от суммарного потока протонов и электронов радиационного пояса Земли (ЕРПЗ) на разных орбитах при максимуме и минимуме солнечной активности (СА) представлены в табл. 3.
Коэффициенты уменьшения частоты одиночных сбоев Кос для ЭКБ в корпусе с учетом конструкционной защиты d1 = 1 г / см2 и с защитным экраном толщиной d2 = 2 г / см2 без учета конструкционной защиты космического аппарата (КА) при воздействии высокоэнергетических протонов (ВЭП) ЕРПЗ при средней и максимальной плотности потока частиц, согласно РД 134-0139-2005, представлены в табл. 4.
Применение новых разработанных металлокерамических корпусов МК12.8-1, МК12.8-2, МК12Ф.8-3, МК12.10-1, МК12Ф.10-2, МК41Ф.12-2, МК41Ф.12-3 планируется для сборки источников вторичного электропитания и силовых интегральных схем и производства новых приборов полупроводниковой электроники, а также создания в целях развития оборонно-промышленного комплекса предприятиями производителями других изделий микроэлектроники специального назначения, предназначенных для работы в различных областях электронной техники, в том числе в авиационных системах и системах космического базирования. ●
Отзывы читателей
