Электроника НТБ #6/2020
В. Андриянов, С. Сидельников, С. Горячкин
Привод вращения и перемещения затравки для установок выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.197.6.110.112 Рассмотрена конструкция привода вращения и перемещения затравки для установок выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Отмечено, что особенностями привода являются применение цилиндрического дифференциала в его кинематике, а также использование цепи в качестве гибкой подвески.
Электроника НТБ #2/2018
Е. Маянов, А. Гасанов, С. Князев, А. Наумов
Тенденции развития рынка монокристаллов GAAS
Обзор мирового и российского рынка арсенида галлия – основного материала современной СВЧ-техники. Анализируются данные по развитию рынка приборов на GaAs в 1990–2016 годах и дается прогноз на 2021 год. УДК 621.315.592 | ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.173.2.172.184
Электроника НТБ #4/2017
Е.Маянов, Ю.Пархоменко, А.Наумов
Краеугольный кремний: промышленное полупроводниковое материаловедение в России
Полупроводниковые материалы, в первую очередь кремний, занимают одно из ведущих мест в ряду компонентов, определяющих уровень развития современной электронной техники. В статье рассмотрены наиболее важные ранние исследования и разработки российских ученых по материаловедению и созданию промышленной базы производства полупроводникового кремния, в том числе малоизвестные. УДК 546.289:621.315 ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.164.4.98.104