Электроника НТБ #5/2017
М.Павлюк
Микроэлектронные датчики с расширенным функционалом на основе тонкопленочного КНИ МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
В статье рассмотрены преимущества и перспективы использования тонкопленочных полевых транзисторов со встроенным каналом, изготовленных по технологии кремний-на-изоляторе (КнИ), в качестве чувствительных элементов датчиков Холла и других типов датчиков. УДК 621.3.049.772.1.12 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.165.5.70.78