Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "thin films"
Электроника НТБ #5/2024 В. Соляник, А. Мирошниченко ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОСМИЯ НА ЭМИССИОННУЮ СПОСОБНОСТЬ И ДОЛГОВЕЧНОСТЬ КАТОДА
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.236.5.98.104 В статье представлен обзор исследований влияния основных параметров металлопористых катодов на их эмиссионную способность и долговечность. Особое внимание уделено тонким пленкам, покрывающим эмиссионную поверхность катода. Рассмотрены режимы ионно-плазменного нанесения тонких пленок и методы исследования физических свойств тонких пленок.
Фотоника #2/2023 Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, М. А. Вшивцев, И. О. Прохоров,П. А. Юнин, Т. С. Сазанова, Ю. П. Кудряшова, В. М. Малышев,А. Д. Куликов, В. М. Воротынцев Структурные и оптические свойства тонких пленок сульфида галлия, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106 Сульфиды галлия обладают широкой запрещенной зоной в диапазоне 2,85–3,05 эВ и перспективны для использования в фотовольтаике и оптоэлектронике, нелинейной оптики, оптоэлектроники, терагерцевых устройствах, а также в качестве пассивирующих слоев в полупроводниковых приборах III–V групп. В данной работе тонкие пленки сульфида галлия GaxS1−x впервые были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) с помощью транспортной реакции с участием хлора, при этом непосредственно высокочистые элементы (Ga и S) были использованы в качестве исходных веществ. Неравновесная низкотемпературная плазма ВЧ-разряда (40,68 МГц) при пониженном давлении (0,01 Торр) являлась инициатором химических превращений. Были изучены зависимости состава, морфологии поверхности, структурных и оптических свойств полученных пленок от мощности плазменного разряда.
Наноиндустрия #2/2020 И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков Сканирующая зондовая микроскопия дихалькогенидов переходных металлов
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.132.134 С помощью зондовой микроскопии проводились измерения перспективных материалов. Простота метода позволяет узнать морфологию и структуру поверхности, проводимость, исследовать свойства материала при нагреве.
Наноиндустрия #1/2020 И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков Применение сканирующей зондовой и капиллярной микроскопии в международном сотрудничестве
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.1.16.20 Научное сотрудничество групп зондовой микроскопии МГУ имени М.В.Ломоносова и Технологического университета имени Шарифа (Тегеран) в рамках российско-иранского проекта оказалось крайне плодотворным. За три года проекта получены оригинальные результаты по локальной модификации поверхности в тонких пленках благодаря использованию сканирующей капиллярной микроскопии. Разработана установка комбинированной зондовой и капиллярной микроскопии.
Наноиндустрия #3-4/2019 В.Ю.Васильев О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах
Рассмотрены проблемы и способы количественной характеризации конформности тонкопленочных покрытий на поверхностях высокоаспектных наноструктур при атомно-слоевом осаждении (АСО). Автор развивает ранее предложенную методологию анализа конформности тонкопленочных покрытий методами химического и плазменного осаждения из газовой фазы и АСО. Предложенная автором методология позволяет проводить адекватную оценку и количественное сравнение результатов для структур различной сложности при использовании различных методов и режимов получения тонких пленок методом АСО.
Наноиндустрия #2/2019 И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков Сканирующая зондовая микроскопия в исследованиях тонких пленок
В рамках российско-иранского проекта "Инициация локальных химических реакций в осажденных тонких пленках с использованием сканирующей зондовой микроскопии" продолжены исследования с помощью СЗМ и КМ по созданию многопараметрической литографии. Получены оригинальные результаты по контролируемой модификации поверхности. Точность капиллярной нанолитографии находится на уровне единиц нанометров. DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.2.128.130
Наноиндустрия #9/2018 Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович 1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния
УДК 538.956/537.226.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281
Наноиндустрия #4/2017 С.Конаков Технология микрореакторного осаждения тонких пленок и наноструктур – новый подход к исследованию процесса химического осаждения из газовой фазы
В статье анализируется современное состояние развития метода химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Определена основная проблема технологии и анализируются ее фундаментальные причины. Показаны дефицит экспериментальной информации о результатах ХОГФ, а также несовершенство подходов к организации опытных исследований, что ведет к сложности оптимизации технологии получения тонких пленок с заданными физико-химическими параметрами. Для решения этой проблемы впервые предлагается использовать технологию микрореакторного ХОГФ. Сформулировано определение этого метода, описаны его основные свойства. УДК 621.793 ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1993-8578.2017.75.4.76.82
eng
