sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1992-4178
Книги по электронике
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по электронике
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "кмоп-технология"
Наноиндустрия #5/2023
А.А.Глушко, М.Р.Гусев, В.В.Макарчук
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305 Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматри­ваемого транзистора.
Электроника НТБ #2/2019
А. Сафонов
Матричные КМОП-фотоприемники: современное состояние и перспективы развития
КМОП-фотоприемники – наиболее динамично развивающийся сектор полупроводниковой индустрии. Основные области применения устройств – автомобильная промышленность, системы искусственного интеллекта и видеонаблюдения, смартфоны и т. д. Прогресс в технологии изготовления 3D фотоприемных устройств значительно повлиял на развитие технологии сборки всех типов электронных модулей. УДК 621.383 | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2019.183.2.140.154
Электроника НТБ #9/2018
Ю. Горячкин, А. Однолько
Моделирование интегральных магнитотранзисторов, формируемых в рамках КМОП-технологии
Рассмотрено моделирование двухколлекторных магнитотранзисторов с горизонтальным и вертикальным расположением коллекторов. Приведены параметры магнитотранзисторов, оптимальные для их применения в составе магниточувствительных микросхем. УДК 621.382:004.94 | ВАК 05.13.18 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.180.9.108.113
Наноиндустрия #5/2017
С.Удовиченко, А.Писарев, А.Бусыгин, О.Маевский
3D КМОП – мемристорная нанотехнология создания логической и запоминающей матриц нейропроцессора
Сверхбольшие многослойные логическая и запоминающая матрицы являются основными составными частями нейропроцессора – электронного устройства, которое обрабатывает информацию подобно головному мозгу. Представлена топология логической и запоминающей ячеек. Матрицы на основе этих ячеек можно изготавливать с помощью вакуумной нанотехнологии, в которой совмещены классические транзисторная КМОП (комплементарная металл – оксид – полупроводник) технология с технологией мемристорного кроссбара. УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.26.34
Разработка: студия Green Art