Тег "фотонные интегральные схемы"
Электроника НТБ #10/2024 Т. Крупкина, М. Кульпинов, В. Лосев, М. Путря, Ю. Чаплыгин, А. Балашов ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ В ОБЛАСТИ ФОТОНИКИ КАК ИНСТРУМЕНТ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ОТРАСЛИ ВЫСОКОКВАЛИФИЦИРОВАННЫМИ КАДРАМИ
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.241.10.180.182 Представлен проект профессионального стандарта в области интегральной фотоники, который обобщает требования рынка труда к квалификации специалистов, создающих инновационные технологии. Стандарт будет востребован для обучения и развития компетенций персонала предприятий, а также для разработки профессиональных образовательных программ.
Фотоника #7/2023 А. А. Шейнбергер, М. В. Степаненко, Ю. С. Жидик, С. П. Иваничко, А. В. Майкова Исследование систем вывода излучения лазерного диода в одномодовое оптическое волокно
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.7.526.538 Предложена система вывода оптического излучения лазерного диода на основе дискретной сферической линзы и волоконной сферической линзы. Определена чувствительность к отклонению элементов от оптимального положения для следующих систем вывода оптического излучения лазерного диода: лазерный диод – сколотое оптоволокно, лазерный диод – коническое оптоволокно, лазерный диод – дискретная литая линза – сколотое оптоволокно, лазерный диод – дискретная сферическая линза – волоконная сферическая линза. Даны рекомендации по применению данных систем в корпусировании радиофотонных модулей, включающих фотонные интегральные схемы произведенные по InP-технологии.
Фотоника #2/2023 А. В. Наумов, В. В. Старцев Германий как материал фотоники – от линз до бездислокационных подложек
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.114.132 В статье рассмотрен процесс развития технологии роста монокристаллов германия методом Чохральского, который позволил использовать свойства германия для применения в ИК-оптике и в детектирование гамма-излучения. Ожидается, что германий может вновь вернуться в оптоэлектронику: последние разработки выращивания бездислокационных кристаллов показали, что германий является перспективным материалом для наноразмерных электронных устройств следующего поколения и интеграции оптических функций на логических схемах.
Фотоника #1/2023 В. М. Петров, Д. А. Коротеев, Д. А. Семисалов, В. С. Страшилин, Д. С. Хлусевич, М. И. Яковлев, М. В. Парфенов Интегрально-оптические C-NOT гейты: оценка основных парметров для практической реализации
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.1.58.70 Рассмотрено влияние отклонения параметров светоделителей на работу квантового фотонного гейта в интегрально-оптическом исполнении. Показано, что требуемая точность вполне достижима для электро-оптического управления в геометрии X-делителя. Проведенные оценки длины устройства показывают возможность его реализации даже на подложках длиной 3 дюйма.
Фотоника #4/2022 А. А. Никитин, К. О. Воропаев, А. А. Ершов, И. А. Рябцев, А. В. Кондрашов, М. В. Парфенов, А. А. Семенов, А. В. Шамрай, Е. И. Теруков, А. В. Петров, А. Б. Устинов Исследование технологии осаждения пленок нитрида кремния для применения в фотонных интегральных схемах
DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.4.296.304 Статья посвящена технологии изготовления оптических микроволноводов из нитрида кремния. Для изготовления волноведущих структур использовались кремниевые подложки с подслоем оксида кремния. На поверхности оксида кремния наносились пленки нитрида кремния методами плазмохимического газофазного осаждения и газофазного осаждения при пониженном давлении. Толщины пленок нитрида кремния изменялась в пределах от 710 до 730 нм в зависимости от технологии газофазного осаждения. Для создания волноведущих структур использовалась фотолитография и плазмохимическое травление. Ширина волноведущих структур варьировалась от 1 до 5 мкм с шагом 500 нм. На поверхности структур осаждался покрывной слой оксида кремния. В работе проведено исследование потерь на длине волны 1,55 мкм в волноведущих структурах, изготовленных обоими методами газофазного осаждения. Приведено сравнение методов осаждения, в результате чего показано, что разработанный метод плазмохимического газофазного осаждения обеспечивает существенное уменьшение потерь в структурах по сравнению с методом газофазного осаждения при пониженном давлении.
Фотоника #5/2019 Б. Дж. Соллер, Д. К. Гиффорд, М. С. Вольф, М. Э. Фроггатт Оптическая рефлектометрия обратного рассеяния (OBR)
Технология оптической связи быстро развивается по причине возрастания спроса и требований к скорости передачи данных. При увеличении объёма передачи информации и усложнении схем модуляции сигнала возрастают и требования к параметрам оптического тракта. Современное оборудование волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) все чаще включает в себя компоненты, изготовленные на базе фотонных интегральных схем (ФИС). Использование новых элементов приводит к появлению дополнительных параметров, которые требуется учитывать при проектировании и монтаже надёжных систем передачи с высокой пропускной способностью. Измерение и комплексный анализ потерь в оптической линии связи является фундаментальной частью при конструировании и оптимизации характеристик компонентов оптоволоконных сетей. В этом обзоре приведен обзор различий между методами оптической рефлектометрии. Представлены преимущества оптической рефлектометрии обратного рассеивания (англ. Optical Backscatter Reflectometry – OBR) при решении ряда задач, включающих анализ параметров ФИС и волоконных сетей малой протяженности. DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2019.13.5.452.460
Фотоника #8/2017 П.О.Якушенков Фотонные интегральные схемы
В настоящее время интегральная кремниевая электроника достигла своего предела (10 ГГц) и давно настала пора переходить на фотонику. В статье с учетом достоинств фотонных интегральных схем рассматриваются уже существующие и перспективные схемы на их основе, а также некоторые варианты построения оптических транзисторов. DOI: 10.22184/1993-7296.2017.68.8.58.67
eng
