Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "mosfet"
Электроника НТБ #2/2019 В. Репин, И. Мухин, М. Дроздецкий, Г. Алексеев Широкополосный СВЧ-аттенюатор, выполненный по мостовой структуре
Представлена оригинальная структура СВЧ-аттенюатора, изготовленного по КМОП КНИ-технологии. Особенность данной структуры – возможность непрерывной регулировки ослабления благодаря использованию в качестве переменных импедансов сопротивления канала полевых транзисторов. Частотный диапазон эффективного ослабления аттенюатора 1–12 ГГц при коэффициенте ослабления не менее 32 дБ, в более узкой полосе частот ослабление превышает 50 дБ. УДК 621.37 | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2019.183.2.116.119
Наноиндустрия #7-8/2018 А.Афанасьев, В.Ильин, В.Лучинин, А.Михайлов Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния
Рассмотрены особенности применения и возможности газофазной эпитаксии в технологии изготовления силовых вертикальных МДП-транзисторов на основе 4H–SiC при формировании дрейфовой области прибора и оптимизации электрофизических свойств канала транзистора. С технологической точки зрения ключевыми элементами для создания карбидокремниевых компонент силовой электроники, определившими возможность создания электронной компонентной базы (ЭКБ) силовой электроники на 4H–SiC, являются технологии объемного и эпитаксиального роста. Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.488.497
Наноиндустрия #9/2018 Петросянц Константин Орестович, Кожухов Максим Владимирович, Попов Дмитрий Александрович Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.404.405
Наноиндустрия #9/2018 Петросянц Константин Орестович Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300 °C) и низких (до –200 °C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.402.403
Наноиндустрия #9/2018 Петросянц Константин Орестович Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, γ- и X-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300 °C) и низких (до −200 °C) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы определения их параметров. Отмечены направления дальнейшего развития методов TCAD и SPICE моделирования компонентов п/п БИС. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.42.45
Электроника НТБ #2/2018 О. Котельник Применение генераторов импульсов серии АКИП-3309 для тестирования полупроводников
Рассмотрены примеры применения генераторов импульсов АКИП-3309, которые обеспечивают точное задание амплитуды и длительности импульсов, а также гибкое управление импульсными последовательностями, для тестирования ячеек энергонезависимой памяти и МОП-транзисторов. УДК 621.373.1 | ВАК 05.11.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.173.2.122.126
eng
