Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "tid hardness"

Электроника НТБ #8/2018
М. Какоулин, С. Редант, Г. Тес, С. Верхаеген, Г. Францискатто, Б. Чехаб, Г. Поллиссард, Л. Берти
Платформа для проектирования радиационно-стойких СнК космического применения DARE65Т

Платформа для проектирования СнК DARE65T обеспечивает низкое энергопотребление, высокую плотность упаковки элементов СБИС, а также высокую стойкость к накопленной дозе, возникновению тиристорного эффекта и воздействию тяжелых заряженных частиц. В статье рассматриваются методы повышения радиационной стойкости проектируемых СБИС, реализованные на платформе, а также ее основные параметры и функциональные особенности. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.179.8.122.128 УДК 004.94 | ВАК 05.27.00

Наноиндустрия #9/2018
Московская Юлия Марковна, Никифоров Александр Юрьевич, Бобровский Дмитрий Владимирович, Уланова Анастасия Владиславовна, Жуков А. А.
Экспериментальная оценка влияния параметров критических операций типового КМОП техпроцесса на дозовую стойкость интегральных микросхем

Проведена экспериментальная оценка влияния режимов формирования подзатворного окисла на дозовую стойкость КМОП микросхем, изготовленных по типовому маршруту с проектными нормами 1,5 мкм. Экспериментально установлено, что для толщин подзатворного диэлектрика порядка 300 Å дозовая стойкость КМОП ИС обеспечивается при температуре выращивания окисла в диапазоне 850−900 °C. УДК 621.382.002 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.246.250