Электроника НТБ #5/2020
С. Рыбаков, Р. Деменко
ВИРТУАЛИЗАЦИЯ ПОДСИСТЕМЫ ПРЕРЫВАНИЙ МИКРОПРОЦЕССОРОВ «ЭЛЬБРУС»
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.68.72 Рассмотрены разработанные для архитектуры «Эльбрус» программно-аппаратные решения, направленные на повышение эффективности виртуализации подсистемы прерываний. Отмечено, что эти решения в основном базируются на аппаратной поддержке, обеспеченной с использованием специально разработанного аппаратного контроллера (Elbrus Programmable Interrupt Controller, EPIC).
Наноиндустрия #9/2018
Баранов Юрий Николаевич, Шварц Карл-Генрих Маркусович, Соколов Евгений Макарович, Стаценко Владимир Николаевич, Федотов Сергей Дмитриевич, Тарасов Дмитрий Владимирович, Тимошенков Сергей Петрович
Газотранспортный хлоридный перенос кремния в сэндвич-системе
В данной работе представлены результаты разработки и исследования процесса формирования эпитаксиальных слоев кремния, полученных с помощью хлоридного газотранспортного переноса в сэндвич-системе. Изучено формирование моно- и поликристаллических слоев на различных кремниевых подложках, а также на структурах типа «кремний с диэлектрической изоляцией» (КСДИ, EPIC). Исследованы распределения температуры в сэндвич-системе и толщины эпитаксиального слоя по площади подложки. Изучены зависимости скорости роста слоя от температуры пластины-источника и подложки, соотношения Cl/H и величины зазора между пластинами в сэндвич-системе. Скорость роста поликристаллических слоев на КСДИ достигает 12 мкм/мин при толщине слоев 300–600 мкм, монокристаллических слоев Si на кремниевых подложка 8–10 мкм/мин при толщине слоев 40–100 мкм. Наиболее значимой особенностью процесса хлоридного газотранспортного переноса кремния с практической точки зрения является то, что при формировании эпитаксиальных слоев в качестве источника кремния можно использовать отбракованные пластины и структуры, прошедшие различные циклы эпитаксиального производства. Механизм переноса позволяет формировать эпитаксиальные монокристаллические слои и поликристаллические опорные слои со скоростью роста более 10 мкм/мин вне зависимости от качества пластины —источника Si, что значительно снижает себестоимость процесса изготовления. УДК 546.05:548.55:54628.121:660.94.49/(Ж/О)35.20 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.273.280