sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1992-4178
Книги по электронике
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по электронике
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "single event upset (seu)"
Электроника НТБ #4/2019
А. Строгонов
Характеристики надежности современных ПЛИС
В статье рассмотрена методика расчета экспериментальной интенсивности отказов ПЛИС с использованием статистики хи-квадрат, а также влияние сбоев, вызванных ионизирующим излучением, на характеристики надежности современных ПЛИС, выпускаемых по нанометровым проектным нормам. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.185.4.52.58 УДК 621.3.049.774 ВАК 05.27.01
Наноиндустрия #9/2018
Красников Геннадий Яковлевич, Лушников Александр Сергеевич, Мещанов Владимир Дмитриевич, Рыбалко Егор Сергеевич, Фомичева Надежда Николаевна, Шелепин Николай Алексеевич
Исследование сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ
Представлены результаты исследования сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ. Приведены модельные и экспериментальные зависимости сбоеустойчивости пилотных образцов СОЗУ емкостью 4 Мбит при воздействии ТЗЧ от частоты исправления информации. Показано соответствие модели и эксперимента. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.327.329
Разработка: студия Green Art