Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "gan transistors"

Электроника НТБ #10/2020
Д.Красовицкий, А.Филаретов, В.Чалый
НИТРИДНАЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА В РОССИИ: ЕСЛИ ЕЩЕ ПОДОЖДАТЬ, УЖЕ НЕ ДОГОНИМ

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.94.99 К числу наиболее острых проблем импортозамещения, решаемых отечественными создателями конкурентоспособной СВЧ-электроники, относится вывод на производственный уровень перспективных, но так и не освоенных в России разработок электронной компонентной базы на основе широкозонных полупроводников группы GaN.

Электроника НТБ #4/2014
М.Гольцова
Силовая полупроводниковая электроника Многообещающие технологии становятся реальностью

По мере достижения кремниевыми силовыми компонентами теоретических пределов популярными становятся приборы на основе полупроводниковых соединений с большой шириной запрещенной зоны, высокими теплопроводностью и напряженностью поля пробоя. Это – карбид кремния и нитрид галлия. Состояние и перспективы развития этих приборов рассмотрены в статье.

Электроника НТБ #8/2011
В.Майская
Освоение терагерцовой щели. Полупроводниковые приборы вторгаются в субмиллиметровый диапазон

Одно из перспективных направлений развития современной полупроводниковой техники связано с освоением так называемой терагерцовой щели – области электромагнитного спектра, лежащей примерно в диапазоне от 0,5 до 20 ТГц. Создание передатчиков и приемников, работающих в этом диапазоне частот, позволит улучшить параметры не только систем военного и аэрокосмического назначения, но и оборудования гражданского назначения. Однако до последнего времени отсутствие устройств генерации, приема, обработки и излучения терагерцовых сигналов препятствовало освоению субмиллиметрового диапазона длин волн. Это побудило Управление перспективных исследований Министерства обороны США (DARPA) открыть ряд проектов по созданию субмикроволновых монолитных интегральных микросхем (sMMIC) на основе наноразмерных транзисторов, а также по разработке методов их объединения (ввода и вывода излучения) и прецизионной метрологии.