Электроника НТБ #8/2023
А. Строгонов, М. Харченко, А. Ханин
ОСОБЕННОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ «КРИСТАЛЛ – КОРПУС» MIS-HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.229.8.38.41 В статье описаны метод и оснастка для измерения теплового сопротивления «кристалл – корпус» нормально-открытых MIS-HEMT-транзисторов, рассматриваются особенности реализации этого метода.
Электроника НТБ #8/2018
В. Ежов
MOSFET семейства CoolMOS P7: оптимальное решение от Infineon для широкого спектра приложений
В статье представлен обзор нового семейства высоковольтных полевых МОП-транзисторов (MOSFET) CoolMOS P7 от компании Infineon, которое отличается оптимальным соотношением эффективности и цены, обеспечивает простоту применения в схемах с различными топологиями. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.179.8.68.73 УДК 621.382.323 | ВАК 05.27.00