Электроника НТБ #9/2018
Ю. Горячкин, А. Однолько
Моделирование интегральных магнитотранзисторов, формируемых в рамках КМОП-технологии
Рассмотрено моделирование двухколлекторных магнитотранзисторов с горизонтальным и вертикальным расположением коллекторов. Приведены параметры магнитотранзисторов, оптимальные для их применения в составе магниточувствительных микросхем. УДК 621.382:004.94 | ВАК 05.13.18 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.180.9.108.113