Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "3d technology"
Электроника НТБ #2/2021 В. Мейлицев СИСТЕМЫ В КОРПУСЕ. КРАТКИЙ ОБЗОР ТЕХНОЛОГИЙ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.203.2.108.113 Описаны возможности и ограничения концепций «система на кристалле» и «система в корпусе». Приведен вариант классификации систем в корпусе и основные типы технологий, применяющихся при их сборке и монтаже
Наноиндустрия #9/2018 Суворова Елена Александровна, Розанов Валентин Владимирович, Шейнин Юрий Евгеньевич Динамически реконфигурируемые системы и сети на кристалле в ASIC на 2D-3D технологиях
Реконфигурирование СнК может быть использовано для адаптации характеристик системы в соответствии с текущим набором решаемых задач, и расширения области применения. В данном докладе мы рассмотрим возможности по динамическому реконфигурированию систем и сетей на кристалле (SoC и NoC), реализуемых по технологии ASIC, в том числе по технологиям 2,5D и 3D. УДК 004.2 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.197
Наноиндустрия #2/2016 А.Ахметова, В.Штепа, Д.Яминский, И.Яминский 3D-нанотехнологии в центре молодежного инновационного творчества химического факультета МГУ
В центре молодежного инновационного творчества химического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова изучают применение 3D-печати для создания научной аппаратуры, моделирования и прототипирования. DOI:10.22184/1993-8578.2016.64.2.92.94
Электроника НТБ #1/2012 М.Гольцова Международная Конференция IEDM. Самые быстрые, самые небольшие, самые необычные микросхемы
Международная конференция по электронным приборам IEDM (International Electron Devices Meeting) – один из выдающихся мировых форумов, на котором производители и научные организации представляют крупные технологические достижения в области физики, проектирования, производства и моделирования полупроводниковых и электронных приборов. В связи с развитием технологий КМОП-транзисторов нанометровых размеров, новых типов продвинутой памяти, дисплеев, сенсоров, МЭМС, новейших квантовых и наноустройств, приборов аккумулирования энергии на конференции, состоявшейся 5–7 декабря 2011 года, основное внимание было уделено трем проблемам. Первая – насколько реально в последующие два–три года развитие технологии трехмерных транзисторов типа FinFET. Вторая – конкуренция между "неумирающей" памятью на фазовых переходах (PCRAM), магнитная память на основе эффекта передачи спинового момента (Spin Torque Transfer MRAM, STT-MRAM), так называемая трековая (гоночная память или "ипподром") память (Racetrack memory) компании IBM и резистивной памяти (MRAM). Третья – развивающиеся технологии – устройства на графене, туннельные полевые транзисторы, в том числе на полупроводниковых соединениях III–V и нанопроводах.
eng
