Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "single event latchup (sel)"

Электроника НТБ #5/2019
А. Строгонов, С. Цыбин, П. Городков
Методы повышения стойкости ПЛИС со статическим ОЗУ к воздействию ионизирующего излучения

При непрерывном уменьшении технологических проектных норм ошибки, вызванные излучением, стали оказывать существенное влияние на надежность БИС. В статье рассмотрены основные аппаратные и программные методы защиты современных ПЛИС со статическим ОЗУ от влияния сбоев, вызванных ионизирующим излучением.