Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега - транзисторы с глубоко обедненным каналом

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "транзисторы с глубоко обедненным каналом"

Электроника НТБ #1/2012
М.Гольцова
Международная Конференция IEDM. Самые быстрые, самые небольшие, самые необычные микросхемы

Международная конференция по электронным приборам IEDM (International Electron Devices Meeting) – один из выдающихся мировых форумов, на котором производители и научные организации представляют крупные технологические достижения в области физики, проектирования, производства и моделирования полупроводниковых и электронных приборов. В связи с развитием технологий КМОП-транзисторов нанометровых размеров, новых типов продвинутой памяти, дисплеев, сенсоров, МЭМС, новейших квантовых и наноустройств, приборов аккумулирования энергии на конференции, состоявшейся 5–7 декабря 2011 года, основное внимание было уделено трем проблемам. Первая – насколько реально в последующие два–три года развитие технологии трехмерных транзисторов типа FinFET. Вторая – конкуренция между "неумирающей" памятью на фазовых переходах (PCRAM), магнитная память на основе эффекта передачи спинового момента (Spin Torque Transfer MRAM, STT-MRAM), так называемая трековая (гоночная память или "ипподром") память (Racetrack memory) компании IBM и резистивной памяти (MRAM). Третья – развивающиеся технологии – устройства на графене, туннельные полевые транзисторы, в том числе на полупроводниковых соединениях III–V и нанопроводах.