Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "quality factor"

Электроника НТБ #9/2023
К. Дудинов, Н. Заднепряная
ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ F-КЛАССА

DOI: 10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127 Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F-класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.

Электроника НТБ #2/2022
В. Кочемасов, С. Хорев
СОВРЕМЕННЫЕ ИНДУКТИВНЫЕ РАДИОКОМПОНЕНТЫ. ЧАСТЬ 1

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.213.2.142.152 Рассмотрены современные индуктивные радиокомпоненты. Приведена информация об основных типах, характеристиках и производителях таких компонентов.

Фотоника #1/2022
А. В. Якухина, В. В. Светухин, А. С. Кадочкин
Сравнение влияния технологических факторов на добротность мезаструктур оптических резонаторов, изготовленных по кремниевой технологии

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.1.10.20 Представлены результаты исследования влияния величины шероховатости поверхности световодного слоя на величину добротности мезаструктур оптических резонаторов, работающих в режиме мод шепчущей галереи (МШГ), изготовленных с использованием кремниевой технологии. В качестве материала световодного слоя исследованы два варианта: SiO2 и Si. Проведено исследование влияния величины шероховатости боковой поверхности световодного слоя на величину добротности для каждого варианта структуры. Величина шероховатости боковой поверхности световодного слоя исследовалась при помощи АСМ и РЭМ. Для мезаструктур оптических резонаторов со световодным слоем как из Si, так и из SiO2 в результате оптимизации базовых технологических процессов удалось достичь снижения величины шероховатости с 30–40 нм до 1–3 нм. Проведенная путем численного моделирования оценка показала, что добротность оптических резонаторов со световодным слоем из SiO2 может быть достигнута 109 за счет снижения шероховатости боковой поверхности световодного слоя.

Электроника НТБ #6/2019
В. Кочемасов, С. Хорев
Конденсаторы переменной емкости

DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.128.135 Рассмотрены конденсаторы переменной емкости. Приведена информация об основных типах таких устройств, их характеристиках и производителях.