Электроника НТБ #8/2019
М. Макушин
Тенденции развития силовой электроники
DOI: 10.22184/1992-4178.2019.189.8.50.55 Рассматриваются перспективы в сфере мощных полупроводниковых приборов. Господствующие сейчас кремниевые приборы будут замещаться GaN- и SiC-приборами. Возможно развитие сектора приборов типа «GaN-на-SiC», совмещающих достоинства обеих технологий, и обещающего стать перспективным направлением развития мощных полупроводниковых приборов.