Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "stress migration"

Электроника НТБ #1/2020
В. Емельянов
Повышение устойчивости к стресс-миграции пленочных структур на основе алюминия в микроэлектронике

Описан способ повышения качества тонких пленок на основе алюминия, составляющих токопроводящий рисунок субмикронных полупроводниковых приборов и микросхем. Для исключения или минимизации дефектов на слое сплава алюминия формируется пассивирующий слой нитрида титана, способствующий нивелированию остаточных напряжений в структуре и улавливанию мигрирующих атомов алюминия, что существенно снижает процессы стресс-миграции в системе. DOI: 10.22184/1992-4178.2020.192.1.152.159