Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "химическое осаждение"

Наноиндустрия #5/2024
А.В.Блинов, З.А.Рехман, П.А.Трушов, А.В.Прасолова, М.А.Ясная, Н.М.Бочаров, М.В.Вакуленко
СИНТЕЗ И СТАБИЛИЗАЦИЯ НАНОРАЗМЕРНОГО КАРБОНАТА МАГНИЯ ГИДРОКСИЭТИЛЦЕЛЛЮЛОЗОЙ

DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2024.17.5.292.301 В данной работе проводили синтез наноразмерного карбоната магния, стабилизированного гидроксиэтилцеллюлозой, методом химического осаждения в водной среде. В качестве прекурсора использовали ацетат магния, а осадителем выступал карбонат аммония. Проводили оптимизацию методики синтеза, в результате которой получили тернарную поверхность, характеризующую зависимость среднего гидродинамического радиуса наночастиц с входными параметрами. Исследована микроструктура поверхности полученных образцов методом сканирующей электронной микроскопии, и установлено, что образец сформирован стержнеобразными частицами длиной от 2 до 6 мкм, размер частиц в которых варьируется от 20 до 50 нм. Исследование фазового состава показали, что образец состоит из трех фаз с различными типами кристаллических решеток. Для определения оптимального типа взаимодействия частиц карбоната магния с гидроксиэтилцеллюлозой проводили компьютерное квантово-химическое моделирование. Выявили, что процесс стабилизации наноразмерного карбоната магния и гидроксиэтилцеллюлозой энергетически выгоден и взаимодействие происходит через гидроксильную группу. Также для подтверждения результатов моделирования образцы исследовали методом ИК-спектроскопии с преобразованием Фурье. Анализ результатов выявил, что взаимодействие наночастиц MgCO3 происходит с заряженной группой OH–.

Электроника НТБ #5/2020
М. Макушин, В. Мартынов
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ: ПРОБЛЕМЫ РАЗВИТИЯ. Часть 2

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.120.127 Рассматриваются некоторые аспекты развития технологий микроэлектроники: ALD- и ХОПФ процессы, ионная имплантация, EUV литография, совершенствование методик тестирования.