Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "silicon carbide (sic)"

Электроника НТБ #8/2020
М. Макушин
МОЩНЫЕ SiC- И GaN‑ПРИБОРЫ: ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.199.8.46.58 Дальнейшее развитие силовой электроники связано с совершенствованием мощных полупроводниковых приборов. Возможности традиционной кремниевой технологии практически исчерпаны, дальнейшие перспективы связаны с приборами на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)