Электроника НТБ #6/2021
С. Белоусов
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ВСТРОЕННЫХ PVT-СЕНСОРОВ ПРИ РАЗРАБОТКЕ ПРОЕКТОВ НА БАЗЕ СОВРЕМЕННЫХ FinFET-ТЕХНОЛОГИЙ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.207.6.56.61 Рассматриваются общие принципы реализации системы диагностики и контроля современных систем на кристалле на базе FinFET с применением датчиков и контроллеров физических параметров, интегрируемых на этапе проектирования будущих устройств, на основе аппаратных компонентов платформы SLM от Synopsys.
Электроника НТБ #3/2021
А. Строгонов, М. Белых, Д. Пермяков, В. Полковников
МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ БИС С УЧЕТОМ НАДЕЖНОСТИ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.204.3.46.56 В статье рассмотрены основные механизмы деградации МОП-транзисторов субмикронных БИС, способы построения моделей МОП-транзисторов с учетом эффектов старения, требования к маршруту проектирования высоконадежных КМОП БИС и инструменты проектирования с учетом надежности, реализованные в наиболее широко применяемых САПР.