Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "lithography"
Наноиндустрия #2/2020 И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков Сканирующая зондовая микроскопия дихалькогенидов переходных металлов
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.132.134 С помощью зондовой микроскопии проводились измерения перспективных материалов. Простота метода позволяет узнать морфологию и структуру поверхности, проводимость, исследовать свойства материала при нагреве.
Наноиндустрия #1/2020 И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков Применение сканирующей зондовой и капиллярной микроскопии в международном сотрудничестве
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.1.16.20 Научное сотрудничество групп зондовой микроскопии МГУ имени М.В.Ломоносова и Технологического университета имени Шарифа (Тегеран) в рамках российско-иранского проекта оказалось крайне плодотворным. За три года проекта получены оригинальные результаты по локальной модификации поверхности в тонких пленках благодаря использованию сканирующей капиллярной микроскопии. Разработана установка комбинированной зондовой и капиллярной микроскопии.
Электроника НТБ #5/2018 М. Макушин, В. Мартынов EUV-литография на пороге. Технологические и зкономические аспекты освоения в производстве
Рассматриваются возможности и проблемы внедрения EUV-литографии (литография в предельной УФ-области спектра) в серийное производство ИС. УДК 621.37 | ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.176.5.108.116
Электроника НТБ #3/2018 В. Плебанович, С. Аваков, В. Карлов Динамичное изменение топологии микросхем – преимущество мультифотонаборного степпера
Мультифотонаборный степпер ЭМ-5784 производства ОАО «КБТЭМ-ОМО» (г. Минск, Республика Беларусь) предлагается использовать для изготовления специальных схем с уникальным кодом. УДК 621.382.002 | ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.174.3.106.110
Электроника НТБ #3/2017 М.Макушин, В.Мартынов Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы по материалам международных форумов. Часть 2
Большое внимание на конференциях было уделено вопросам применения кремния на технологическом уровне менее 11/9 нм, использованию новых приборных структур (FinFET, FD-SOI) и приборов (STT-MRAM), EUV-литографии и перспективным материалам. DOI: 10.22184/1992-4178.2017.163.3.138.145 УДК 621.382 ВАК 05.27.00
Наноиндустрия #3/2012 А.Филонов, С.Савинов, О.Синицына, Г.Мешков, И.Яминский ФемтоСкан Х – новый сканирующий зондовый микроскоп
Сканирующая зондовая микроскопия позволяет изучать структуру и свойства объектов на атомном и молекулярном уровнях. Инновационная компания Центр перспективных технологий разработала новый сканирующий зондовый микроскоп, ориентированный на биологические исследования. Отличительными качествами этого микроскопа являются высокоскоростная электроника, свободный доступ в область образца, удобство использования и возможность управления через Интернет.
eng
