Тег "энергонезависимая память"
Электроника НТБ #7/2024 Д. Садеков КИТАЙСКИЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬ SHANGHAI BELLING: ОБЗОР ПРОДУКЦИИ ПРОМЫШЛЕННОГО И ГРАЖДАНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.238.7.88.91 Shanghai Belling – одна из ведущих микроэлектронных компаний Китая, выпускающая широкую номенклатуру продукции, которая охватывает несколько ключевых направлений: учет энергоресурсов, управление питанием, аналоговые микросхемы общего применения, высокоскоростные и прецизионные АЦП. В статье представлен обзор основных категорий продукции Shanghai Belling промышленного и гражданского назначения.
Наноиндустрия #9/2018 Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович 1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния
УДК 538.956/537.226.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281
Наноиндустрия #9/2018 Лебедев Антон Олегович, Иванов Сергей Владимирович, Воронов Даниил Дмитриевич, Орлов Олег Михайлович Исследование проблем повторяемости и воспроизводимости характеристик ячейки резистивной памяти на основе оксида гафния
В работе будут представлены экспериментальные данные, демонстрирующие наличие проблемы с повторяемостью и воспроизводимостью электрофизических характеристик ячеек ReRAM. Также будет представлен обзор методов улучшения стабильности характеристик, произведен анализ их применимости к имеющимся образцам памяти. Будут предложены различные схемотехниченские и структурные изменения ячеек для повышения стабильности характеристик. УДК 004.076.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.234.235
Наноиндустрия #1/2016 А.Петров, Л.Алексеева, А.Иванов, В.Лучинин, А.Романов, T.Чикев, Т.Набатамэ На пути к нейроморфной мемристорной компьютерной платформе
Эффекты переключения сопротивления в наноразмерных пленках открыли перспективы создания резистивной памяти произвольного доступа (ReRAM), в ячейках которой данные сохраняются за счет изменения сопротивления материала. DOI:10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109
Электроника НТБ #3/2012 М.Гольцова Конференция ISSCC. Кремний – основа устойчивого развития современного мира
В этом году, как и раньше на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) были представлены новейшие давно ожидаемые приборы, воплощенные в кремнии и определяющие перспективы развития полупроводниковой электроники в ближайшем будущем.
Электроника НТБ #4/2011 М.Гольцова Международная конференция ISSCC 2011. От микросхем больших объемов до имплантируемых устройств. Часть 2
По широте охвата новых направлений конференция ISSCC 2011, названная “Полупроводниковой Олимпиадой”, оказалась рекордной. Никогда еще в рамках одной площадки не было представлено так много готовых к внедрению новейших технологий, включая новые типы энергонезависимой памяти, преобразователей изображения, МЭМС, устройств аккумулирования энергии. Разработчики сообщали и демонстрировали готовые к коммерческому внедрению приборы, а не теоретические выкладки с обещанием “счастья” в далеком или не столь далеком будущем. И, конечно, не был обойден вопрос: что ждет промышленность после 20/22 нм?
eng
