Электроника НТБ #2/2025
Р. Алексеев, В. Мальцев
МОДЕЛИРОВАНИЕ ДЕПАССИВАЦИИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА Si–SiO2 В СТРУКТУРЕ LDMOS-ТРАНЗИСТОРА С ПРИМЕНЕНИЕМ САПР SENTAURUS TCAD
DOI: 10.22184/1992-4178.2025.243.2.116.120 В статье рассмотрены методы прогнозирования процессов деградации LDMOS-транзисторов во время эксплуатации при различных температурных режимах. Моделирование LDMOS-транзистора в САПР Sentaurus TCAD показало, что изменение температурных условий приводит к различной скорости деградации характеристик транзистора, таких как пороговое напряжение и ток утечки.
Электроника НТБ #1/2022
В. Мельников, Н. Скрипкин, С. Платонов, Ю. Поляков
ПРОГНОЗИРОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ БЕЗНАКАЛЬНЫХ МАГНЕТРОНОВ. РАСШИРЕНИЕ ТЕХНИЧЕСКИХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.212.1.130.134 Разработанный в АО «Плутон» мобильный автоматизированный измерительный комплекс (МАИК) позволяет контролировать ряд параметров, оказывающих критическое влияние на надежность изделия и исключить влияние человеческого фактора в процессе измерений его характеристик.
Электроника НТБ #1/2022
А. Строгонов, М. Белых, Д. Пермяков
АНАЛИЗ МЕТОДОВ РАСЧЕТА ЭКСПЛУАТАЦИОННОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ ОТКАЗОВ БИС
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.212.1.122.129 Наиболее популярные в России руководства для прогнозирования интенсивности отказов радиоэлектронных систем – справочник Министерства обороны США MIL-HDBK-217F и отечественный справочник «Надежность ЭРИ». В статье приведены сведения об описанных в этих справочниках моделях и методах оценки интенсивности отказов БИС, рассмотрены примеры расчета эксплуатационной интенсивности отказов для некоторых ПЛИС.