Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Книги
по электронике
Шарапов В.М.,Полищук Е.С., Кошевой Н.Д.,Ишанин Г.Г., Минаев И.Г., Совлуков А.С. /Под общ. ред. Шарапова В.М., Полищука Е.С.
Датчики
Тег "гетероструктура"
Фотоника #7/2018 Г. А. Мустафаев, В. А. Панченко, А. Г. Мустафаев, Н. В. Черкесова Оптические свойства гетероструктуры на основе полупроводников AlN / GaN
Современные технологии создания гетероструктур на основе твердых растворов полупроводниковых нитридов позволяют получать высокоэффективные светоизлучающие диоды. Нитриды алюминия и галлия, а также твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для оптоэлектронных устройств фиолетовой области спектра. Проведено исследование оптических свойств многослойной гетероструктуры на основе широкозонных полупроводников AlN / GaN. Моделирование проводилось с использованием математического пакета программ MathCad. Полученные результаты позволяют формировать интегральные структуры, излучающие несколько длин волн, совокупность которых позволяет увеличить дифференциальную квантовую эффективность светодиода в ультрафиолетовой области спектра. Предложена структура источника излучения с длинами волны в окрестностях 278 и 317 нм. DOI: 10.22184/1993-7296.2018.12.7.680.683
Электроника НТБ #9/2014 А.Гудков, А.Гогин, М.Кик, А.Козлов, А.Самусь МЕМРИСТОРЫ – НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Рассмотрены возможности формирования мемристивных структур различными технологическими методами и с различными материалами барьерных слоев. Показана перспективность использования мемристоров в развитии полупроводниковой электроники. Описана технология формирования экспериментальных образцов мемристоров. Представлены предварительные результаты экспериментального исследования мемристивных структур Pt/TiO2/TiOx/Pt. Показан процесс "формовки" (электроформовки) и последовательное изменение вольт-амперной характеристики. Приведена типичная вольт-амперная характеристика мемристора Pt/TiO2/TiOx/Pt после проведения процесса "формовки".
Наноиндустрия #5/2011 Д.Красовицкий, А.Алексеев, С.Петров, В.Чалый Стандартизованное производство гетероструктур III-N для твердотельной СВЧ-электроники
Приведены возможности широкозонных полупроводниковых нитридов III группы для мощных устройств СВЧ-диапазона и преодоления проблем при разработке технологии приборных нитридных гетероструктур. Создание специализированного ростового оборудования и новаторские конструкции гетероструктур и режимов роста позволили достичь мирового уровня, расширить перспективы их дальнейшего улучшения.
Наноиндустрия #4/2011 Д.Красовицкий, А.Алексеев, С.Петров, В.Чалый Стандартизованное производство гетероструктур III-N для твердотельной СВЧ-электроники
Рассмотрены возможности широкозонных полупроводниковых нитридов III группы для мощных приемопередающихустройств СВЧ-диапазона, пути преодоления проблем, возникающих при разработке технологии приборных нитридных гетероструктур. Создание специализированного ростового оборудования и применение новаторских конструкций гетероструктур и режимов их роста позволили достичь результатов мирового уровня и расширить перспективы улучшения таких структур.
eng
