Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "сбис"
Наноиндустрия #5/2023 А.А.Глушко, М.Р.Гусев, В.В.Макарчук ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305 Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.
Наноиндустрия #2/2020 С.О.Белостоцкая, А.А.Лукьянов, А.С.Росляков, А.Н.Семёнов, Р.А.Фёдоров Оценка надежности однократно программируемых постоянно запоминающих устройств, созданных на основе программируемых с помощью механизма электромиграции перемычек (eFuse)
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.114.121 Оценивается надежность однократно программируемых постоянно запоминающих устройств (ОППЗУ), реализованных на технологии HCMOS8D с топологическими нормами 180 нм, разработанных для интеграции в базовый кристалл серии 5521ТР. На основе базовых слоев технологии HCMOS8D разработана структура и конструкция программируемых с помощью механизма электромиграции элементов ОППЗУ – перемычек (eFuse) на основе слоев n+-поликремния и силицида никеля. Разработана методика оценки надежности разработанных eFuse для ячеек памяти базового кристалла серии 5521ТР. Показано, что eFuse сохраняет остаточное сопротивление в заданных пределах в течение всего срока эксплуатации.
Электроника НТБ #3/2019 Ж.-Ф. Бинуа, С. Белоусов, Ю. Ковалевский Средства статической верификации SpyGlass и VC LP: поиск ошибок на уровне RTL
Приводятся назначение и некоторые возможности средств статической верификации SpyGlass и VC LP от компании Synopsys в приложении к их применению на уровне RTL с целью выявления ошибок в проектах СБИС на ранних стадиях процесса разработки. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.184.3.98.103 УДК 004.4'233:621.3.049.774 | ВАК 05.13.12
Наноиндустрия #9/2018 Аристов Роман Сергеевич, Власов Андрей Игоревич, Вирясова Анастасия Юрьевна, Гладких Алексей Алексеевич, Макарчук Владимир Васильевич Исследование различных моделей сверточных нейронных сетей для классификации изображений дефектов топологического рисунка СБИС
Рассмотрены различные современные модели нейронных сетей, произведено их обучение и приведены результаты экспериментальных исследований использования каждой модели для классификации дефектов топологии СБИС. Описан метод использования нейронных сетей для детектирования объектов на изображении, и приведен результат применения данного метода для дефектов топологии СБИС. УДК 004.94 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.392.398
Наноиндустрия #9/2018 Глушко Андрей Александрович, Яшин Георгий Алексеевич, Новоселов Антон Сергеевич, Амирханов Алексей Владимирович, Зинченко Людмила Анатольевна, Макарчук Владимир Васильевич, Сергеева Наталья Алексеевна Применение визуальной аналитики и систем приборно- технологического моделирования при управлении качеством технологических процессов формирования кристаллов СБИС
методика применения средств визуальной аналитики для управления качеством технологических процессов формирования кристаллов СБИС. Рассмотрено применение предложенной методики управления качеством на примерах обнаружения неисправности имплантера и проектирования тестовой структуры контроля сопротивления LDD-областей. УДК 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.376.384
Наноиндустрия #9/2018 Ильин Сергей Алексеевич, Кочанов Сергей Константинович, Ласточкин Олег Викторович, Новиков Антон Алексеевич, Шипицин Дмитрий Святославович Особенности разработки STD/IO библиотек на основе MCML схемотехники в базисе технологии КМОП 90 нм и оценка перспектив их применения при проектировании СБИС
В статье описываются особенности и принципы разработки STD/IO библиотек на основе MCML схемотехники в базисе отечественной технологии КМОП 90 нм. Приведены базовые компоненты струтуры схемотехники MCML элементов. Рассмотрены плюсы и минусы выбранной логики. Проведено ее сравнение с традиционной CMOS. Оценены перспективы применения библиотек при проектировании СБИС. УДК 621.3.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.361.364
Электроника НТБ #5/2016 Л.Барышников, С.Баранов, М.Какоулин Цифровая обработка радиосигнала – решения на основе СБИС АО "ПКК Миландр"
Рассмотрены проблемы создания цифровых радиоприемных устройств на отечественной элементной базе. Описано решение для цифровой обработки радиосигналов на основе комплекта СБИС АО "ПКК Миландр".
Электроника НТБ #9/2015 Ю.Завалин, В.Немудров, А.Гришаков, Д.Куликов Полузаказные СнК – основа мелкосерийного производства СБИС специального назначения
Рассматриваются полузаказные СБИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК), разработанные в АО “НИИМА “Прогресс”. Отмечены преимущества их использования в отечественной электронной компонентной базе по сравнению с решениями на основе ПЛИС и заказных специализированных СБИС.
Электроника НТБ #5/2012 В.Немудров, В.Мочкин О неотложных мерах в микроэлектронике России
Более десяти лет в России на разных уровнях дискутируется идея создания сети дизайн-центров, национальной базы IP-блоков, сквозной системы проектирования, охватывающей и аппаратурные предприятия, и компании-производители элементной базы. На реализацию такой стратегии государство выделяло определенные средства, есть и элементная база, созданная в рамках подобной идеологии. Однако как система эта стратегия не заработала. Авторы предлагают ряд новых шагов в этом направлении, в том числе – создание Центра управления развитием ЭКБ. Безусловно, все эти предложения дискуссионные, но обсуждение проблемы управления государственными инвестициями в развитие отечественной ЭКБ более чем актуально.
eng
