Электроника НТБ #6/2023
А. Шишарин
РАЗРАБАТЫВАЕМЫЙ АО «АНГСТРЕМ» 32 РАЗРЯДНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР «ТРАССА 1П»: ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.227.6.56.59 Рассмотрен 32 разрядный универсальный микроконтроллер «Трасса 1П», разрабатываемый АО «Ангстрем». Приведена информация о характеристиках и перспективах развития данного микроконтроллера. Ключевые слова: микроконтроллер, память, интерфейс
Электроника НТБ #2/2023
Е. Панкратова, Ш. Шугаепов, Е. Ермолаев, В. Егошин
ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КОМПЛЕКТУЮЩИХ В АО «ЗПП»
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.68.70 Рассмотрено применение фотолитографии в АО «Завод полупроводниковых приборов» (АО «ЗПП») для изготовления различных металлических комплектующих. Приведены примеры изделий, изготовленных с использованием данной технологии.
Наноиндустрия #9/2018
Аваков Сергей Мирзоевич, Плебанович Владимир Иванович
Безмасковая литография
Наряду с массовым производством все чаще возникает потребность в индивидуальном подходе при производстве интегральных микросхем (ИМС). Десятилетиями складывающаяся технология производства ИМС не подразумевает индивидуального производства. Наличие фотошаблона (маски) подразумевает многократное повторение одного и того же изделия. Появление многолучевых сканирующих генераторов изображений позволило серьезно подойти к освоению технологии безмасочной литографии. УДК 621.38, ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.200.202
Электроника НТБ #3/2018
В. Плебанович, С. Аваков, В. Карлов
Динамичное изменение топологии микросхем – преимущество мультифотонаборного степпера
Мультифотонаборный степпер ЭМ-5784 производства ОАО «КБТЭМ-ОМО» (г. Минск, Республика Беларусь) предлагается использовать для изготовления специальных схем с уникальным кодом. УДК 621.382.002 | ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.174.3.106.110
Электроника НТБ #4/2017
В.Плебанович, С.Воронин
Комплект оборудования ОАО "КБТЭМ-ОМО" для проекционной субмикронной литографии
Фотолитография – ключевая операция в микроэлектронике, производстве МЭМС, микроэлектрооптических систем, прецизионных СВЧ печатных плат. Точное соответствие изготавливаемой конструкции расчетам конструктора – залог высокого качества, воспроизводимости параметров и достижения предельных возможностей технологии. Специалисты ОАО "КБТЭМ-ОМО" представляют комплект оборудования для проекционной субмикронной литографии. УДК 621.38 ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.164.4.62.69
Фотоника #2/2017
Ю.С.Боброва, М.Андроник, Б.Б.Самадов, Д.А.Даниленко
Особенности нанесения жидких фотополимеров при формировании планарных оптических волноводов
Рассмотрены способы нанесения полимерных слоев для формирования планарных оптических волноводов, интегрированных в оптоэлектронные модули. Даны рекомендации по планаризации полимерных слоев, наносимых на заготовки с рельефом высотой до нескольких десятков микрометров. DOI: 10.22184/1993-7296.2017.62.2.34.41
Наноиндустрия #8/2016
А.Кузнецов, К.Пучнин, В.Грудцов
Методы создания химических рисунков на поверхности
Рассмотрены масочные и безмасочные методы функционализации для формирования рисунков на поверхностях различных материалов. DOI:10.22184/1993-8578.2016.70.8.110.117
Электроника НТБ #4/2015
В.Плебанович
Двухсторонняя литография – решение проблемы отвода тепла и разводки межсоединений в ИМС
Авторы предлагают способ двухсторонней литографии для создания теплоотводящих каналов на непланарной стороне подложки и обеспечения высокой точности совмещения элементов на обеих ее сторонах. Поясняется, как реализовать этот процесс на оборудовании, имеющемся на современном производстве ИМС.
Электроника НТБ #3/2011
Г.Трапашко
Контроль микроразмеров при производстве ИС. Задачи и особенности
Фотолитография – ключевой технологический процесс в производстве полупроводниковых приборов и микросхем. Суть процесса заключается в переносе оригинала топологии интегральной схемы на поверхность полупроводниковой пластины. Характеристики микросхем зависят от точности изготовления их минимальных элементов. Задача фотолитографии – обеспечить качественное формирование этих элементов на всем поле кремниевой пластины с соблюдением допускаемых отклонений размеров элементов и их расположения относительно нижележащих структур, сформированных в предыдущем цикле.