Электроника НТБ #9/2024
И. Семейкин
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62 Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.