Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега - полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия"

Электроника НТБ #9/2024
И. Семейкин
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62 Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.