Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "depassivation"

Электроника НТБ #2/2025
Р. Алексеев, В. Мальцев
МОДЕЛИРОВАНИЕ ДЕПАССИВАЦИИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА Si–SiO2 В СТРУКТУРЕ LDMOS-ТРАНЗИСТОРА С ПРИМЕНЕНИЕМ САПР SENTAURUS TCAD

DOI: 10.22184/1992-4178.2025.243.2.116.120 В статье рассмотрены методы прогнозирования процессов деградации LDMOS-транзисторов во время эксплуатации при различных температурных режимах. Моделирование LDMOS-транзистора в САПР Sentaurus TCAD показало, что изменение температурных условий приводит к различной скорости деградации характеристик транзистора, таких как пороговое напряжение и ток утечки.