sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)
Книги по электронике
Статьи
Электроника НТБ #8/2025
Колонка Департамента радиоэлектронной промышленности
Электроника НТБ #6/2025
КОЛОНКА ДЕПАРТАМЕНТА РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Репортажи
//
все
Электроника НТБ #3/2025
ВИЗИТ НА ПР-ВО АО «КРАСНОЗНАМЕНСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ «АРСЕНАЛ»
Электроника НТБ #10/2024
ЛОКАЛИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБОРУДОВАНИЯ. ВИЗИТ НА ПРОИЗВОДСТВО ООО «ПРОТЕХ»
Новости
//
все новости
28.10.2025
Международная выставка «Интерполитех» стартовала в Москве
21.10.2025
Выставка Testing&Control 2025 открыла свои двери для специалистов
События
//
все события
до 31.10.2025
Международный форум-выставка «Российский промышленник - 2025». г.Санкт- Петербург
c 25.11.2025 до 27.11.2025
4-я Международная выставка-форум «Электроника России». г. Москва, МВЦ «Крокус Экспо»
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
Медиаданные:
О журнале
Учредитель
Издатель
Редакционный совет
Распространение_
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Реклама:
Отдел рекламы
В журнале
На сайте
Авторам:
Соискателям учёной степени
Требования к статьям
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по электронике
читать книгу
Эрентраут Д., Мейсснер Э., Боковски М.
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия /При поддержке ЗАО «Светлана-Рост», пер. с англ. под ред. В.П. Чалого
читать книгу
Рэндл У. Биард, Тимоти У. МакЛэйн
Малые беспилотные летательные аппараты. Теория и практика /При поддержке ОАО «НПП «Радар ммс» перевод с англ. под ред. к.т.н. Г.В. Анцева
читать книгу
Адонин А.С., Петросянц К.О.
КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "radiation effects"
Наноиндустрия #9/2018
Петросянц Константин Орестович, Кожухов Максим Владимирович, Попов Дмитрий Александрович
Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.404.405
Наноиндустрия #9/2018
Петросянц Константин Орестович
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, γ- и X-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300 °C) и низких (до −200 °C) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы определения их параметров. Отмечены направления дальнейшего развития методов TCAD и SPICE моделирования компонентов п/п БИС. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.42.45
Электроника НТБ #8/2012
Л.Мироненко, В.Юдинцев
Повышение радиационной стойкости интегральных схем. Конструктивные методы на базе промышленной технологии
Ни одна технология производства компонентов для аэрокосмических систем не может гарантировать их полный иммунитет к радиационным эффектам. Чтобы смягчать риски их воздействия, необходимо создавать радиационно-стойкие приборы с самого начала их проектирования. В статье рассматриваются методы повышения радиационной стойкости электронных компонентов космических систем.
Разработка: студия
Green Art