Наноиндустрия #9/2018
Петросянц Константин Орестович, Кожухов Максим Владимирович, Попов Дмитрий Александрович
Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.404.405
Наноиндустрия #9/2018
Петросянц Константин Орестович
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, γ- и X-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300 °C) и низких (до −200 °C) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы определения их параметров. Отмечены направления дальнейшего развития методов TCAD и SPICE моделирования компонентов п/п БИС. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.42.45
Электроника НТБ #8/2012
Л.Мироненко, В.Юдинцев
Повышение радиационной стойкости интегральных схем. Конструктивные методы на базе промышленной технологии
Ни одна технология производства компонентов для аэрокосмических систем не может гарантировать их полный иммунитет к радиационным эффектам. Чтобы смягчать риски их воздействия, необходимо создавать радиационно-стойкие приборы с самого начала их проектирования. В статье рассматриваются методы повышения радиационной стойкости электронных компонентов космических систем.